閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

三星半導(dǎo)體16產(chǎn)線將轉(zhuǎn)產(chǎn)閃存

　　三星電子(Samsung Electronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設(shè)的半導(dǎo)體廠，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，三星預(yù)計(jì)于2011年初完工的半導(dǎo)體華城廠16產(chǎn)線，將于2011年下半開始優(yōu)先量產(chǎn)閃存。　　2010年5月在三星會長李健熙的參與下，華城廠16產(chǎn)線正式動工。包含建筑物費(fèi)用等將階段性投入12兆韓元進(jìn)行建設(shè)。三星半導(dǎo)體16產(chǎn)線以12吋晶圓為基準(zhǔn)，每月最大產(chǎn)能可達(dá)20萬片以上。　　三星將優(yōu)先在16產(chǎn)線進(jìn)行閃存生產(chǎn)
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基于浮柵技術(shù)的閃存

基于浮柵技術(shù)的閃存,　　恒憶閃存基于浮柵技術(shù)。閃存晶體管的絕緣柵極(浮柵)捕獲(或排除)電子，因此，晶體管的閾值電壓被修改(偏離原始電壓值)。在附加的編程和閾壓感應(yīng)電路的輔助下，這種效應(yīng)可用保存和檢索數(shù)據(jù)。　　在寫操作期間，閃
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DRAM內(nèi)存芯片價格或迎來短期上漲

　　存儲芯片市場調(diào)研公司inSpectrum表示，盡管下滑趨勢依舊，但內(nèi)存和閃存芯片價格有望在中國十一長假后迎來小幅回升。　　來自交易市場的消息稱，在十一長假結(jié)束前市場對DRAM內(nèi)存和NAND閃存芯片的需求已經(jīng)出現(xiàn)回升跡象。很多廠商稱十一長假帶來的市場需求已經(jīng)耗掉其大部分存貨，下周將進(jìn)行新一輪的存貨補(bǔ)充。　　不過inSpectrum也認(rèn)為，由于零售渠道的根本需求依舊很弱，所以這種價格反彈只能是短期行為，不會持續(xù)太長。而且一些廠商繼續(xù)在其零售渠道降低eTT芯片價格，這也影響了整個內(nèi)存芯片市場的價格走
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基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用,　目前，針對NOR Flash設(shè)計(jì)的文件系統(tǒng)JFFS/JFFS2在嵌入式系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用;隨著NAND作為大容量存儲介質(zhì)的普及，基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS(Yet Another Flash File System)正逐漸被應(yīng)用到嵌入式系統(tǒng)中?！　?/li>
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DRAM銷售將于后年衰退近三成

　　國際研究暨顧問機(jī)構(gòu)顧能(Gartner)今(1)日指出，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)產(chǎn)業(yè)景氣盛況將在明年下半年改變，至2012年銷售恐將衰退近三成。　　顧能表示，由于初期PC市場表現(xiàn)強(qiáng)勁和供應(yīng)減少，使DRAM產(chǎn)業(yè)獲利看漲，今年收益逼近420億美元，較預(yù)期獲利高出82.5%，出現(xiàn)戲劇性成長和變化;惟至2011年下半年將有所轉(zhuǎn)變，2012年的銷售恐將衰退29%。　　不過，快閃存儲器市場在智能型手機(jī)和平版媒體強(qiáng)勁的銷售帶動下，收益至2013年皆會維持原有的成長。
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基于閃存TMS320VC5409DSP并行引導(dǎo)裝載方法

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分析師認(rèn)為閃存熱但是供應(yīng)鏈不配套

　　無疑2009年對于閃存市場是可怕之年。　　要感謝產(chǎn)業(yè)的很快復(fù)蘇，預(yù)測2010年全球閃存市場已經(jīng)很熱，然而按Web-Feet Research報(bào)告，其供應(yīng)鏈部分卻遭受困境。　　按Web-Feet剛公布的全球閃存的季度報(bào)告，NOR及NAND市場都很熱。NOR市場由2009年的47億美元，上升到2010年的57億美元。而NAND市場與2009年相比增長33.4%，達(dá)215億美元。　　這是好的消息而壞消息在供應(yīng)鏈中也開始傳了出來。　　Apple及其它OEM釆購大量的閃存，使得市場中有些購買者采
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基于EPG3231和閃存的聲音播放器設(shè)計(jì)

摘要：提出一種在單片機(jī)系統(tǒng)中比較簡單地使用大容量NAND Flash存儲器的方法。與一般方法相比，編寫應(yīng)用程序的程序員不需要掌握計(jì)算機(jī)文件系統(tǒng)的規(guī)范，只要按照NAND Flash的讀、寫、擦除等時序?qū)ζ溥M(jìn)行操作，把NANDFl
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TIMC敗部復(fù)活投入閃存產(chǎn)業(yè)再造

　　臺灣創(chuàng)新記憶體公司TIMC，在整合DRAM受挫后，各界一度以為(宣明智)白忙一場，不過經(jīng)濟(jì)部通過TIMC與茂德、翔淮先進(jìn)光罩及晶豪科等公司合作，共同投入雙子星技術(shù)開發(fā)，讓TIMC敗部復(fù)活，TIMC表示，目前儲存型快閃記憶體產(chǎn)業(yè)主要還是掌握在美日韓手上，臺灣缺乏專利與自主技術(shù)，產(chǎn)業(yè)再造是業(yè)界必走的路。　　由聯(lián)電榮譽(yù)副董事長宣明智主導(dǎo)的TIMC，當(dāng)初是應(yīng)政府救DRAM產(chǎn)業(yè)而籌設(shè)，但在籌設(shè)過程中，也獲得日商爾必達(dá)的善意回應(yīng)，但DRAM的合約價和市場價格，已在籌設(shè)過程中回到成本之上，業(yè)界從一天賠一棟帝寶回
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Spansion卷土重來，分析師眾說紛紜話前景

Spansion目前正準(zhǔn)備高調(diào)卷土重來，這次能否成功，抑或再次失敗？分析師對Spansion的前景眾說紛紜。上個...
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嵌入式系統(tǒng)中基于閃存平臺的存儲管理策略

嵌入式系統(tǒng)中基于閃存平臺的存儲管理策略,開發(fā)了一個基于閃存平臺的嵌入式文件系統(tǒng)。為保證閃存扇區(qū)的平均使用率和均衡擦寫次數(shù)，引入了損壞管理策略，在這種策略中采用了動態(tài)存儲空間管理模式和先入先出（FIFO）策略。所采用的冗余設(shè)計(jì)、快速計(jì)算和跟蹤策略還可以延長核心扇區(qū)使用壽命，保證系統(tǒng)啟動可靠的服務(wù)。
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NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)

NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì),閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構(gòu)成，每個塊又劃分為固定大小的頁，塊是擦
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PIC單片機(jī)與串行閃存的SPI接口設(shè)計(jì)

本文介紹的M25P16與PIC16F877A的接口已應(yīng)用于自來水流量數(shù)據(jù)采集的本地存儲中。運(yùn)行穩(wěn)定可靠，未發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)丟失現(xiàn)象，對其他應(yīng)用有一定的參考價值。
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傳Spansion將出售兩座日本半導(dǎo)體廠給德州儀器

　　NOR型閃存大廠飛索半導(dǎo)體(SpansionInc.)日本子公司Spansion Japan Ltd.可望在5月底以100億至200億日圓價格出售位于日本福島縣會津若松市(Aizuwakamatsu)廠區(qū)的兩座半導(dǎo)體廠給德州儀器(TexasInstrumentsInc.)。　　報(bào)導(dǎo)指出，德儀計(jì)劃將12英寸廠生產(chǎn)設(shè)備運(yùn)回美國德州，并將8英寸廠調(diào)整為模擬芯片生產(chǎn)線。德儀執(zhí)行長RichTempleton甫于4月26日指出，目前產(chǎn)出正處于歷史最高水淮，今年產(chǎn)能將因去年購買的8英寸晶圓設(shè)備上線而呈現(xiàn)逐季攀高
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NAND閃存銷售Q1微增三星東芝主宰市場

　　據(jù)市場研究公司iSuppli發(fā)表的按美元統(tǒng)計(jì)的第一季度全球NAND閃存市場的銷售收入數(shù)字顯示，三星和東芝主宰了NAND閃存市場，僅給其它所有的公司留下了較少的市場份額。三星今年第一季度的市場份額是38.5%，緊隨其后的東芝的市場份額是33.8%。其它每一個廠商爭奪的市場份額只有27.7%。　　按美元統(tǒng)計(jì)，今年第一季度全球NAND閃存市場的銷售收入是43.6億美元，比 2009年第四季度的43.3億美元增長了0.6%。因此，你可以計(jì)算出供應(yīng)商的實(shí)際銷售收入。iSuppli稱，這是一個好消息，因?yàn)闅v史
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]