閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

汽車(chē)數(shù)字儀表群與存儲(chǔ)架構(gòu)的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

本文首先將重點(diǎn)闡述汽車(chē)設(shè)計(jì)/可靠性方面的一些限制，然后會(huì)評(píng)測(cè)數(shù)字儀表群架構(gòu)，以及存儲(chǔ)子系統(tǒng)的取舍對(duì)于未來(lái)...
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三星開(kāi)始將部分閃存工廠轉(zhuǎn)換為邏輯產(chǎn)品生產(chǎn)線

　　據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，三星電子(Samsung Electronics)為將供不應(yīng)求的應(yīng)用處理器產(chǎn)量做最大提升，9月起將會(huì)把原生產(chǎn)閃存(NAND Flash)的器興14產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為系統(tǒng)LSI產(chǎn)線。三星內(nèi)部人員表示，器興14產(chǎn)線原有的閃存生產(chǎn)設(shè)備，將會(huì)移至新建成的華城16產(chǎn)線，而器興14產(chǎn)線將轉(zhuǎn)生產(chǎn)系統(tǒng)LSI。由于近來(lái)行動(dòng)應(yīng)用處理器和CMOS傳感器(CIS)需求大增，為擴(kuò)大產(chǎn)量而決定進(jìn)行轉(zhuǎn)換。　　
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常憶科技推出全球第一顆256Kbit序列閃存產(chǎn)品

　　臺(tái)灣新竹，常憶科技于2011年7月29日正式宣布推出全球第一顆256Kbit序列閃存產(chǎn)品─PM25LD256C。　　市場(chǎng)上既有的序列閃存廠商之技術(shù), 由于在小容量產(chǎn)品上已無(wú)法有效降低die size及成本, 因此序列閃存產(chǎn)品在業(yè)界之最小容量一般只做到512Kbit, 惟常憶科技以pFlash的專(zhuān)利設(shè)計(jì)才能有效降低512Kbit以下容量的Flash die size, 故決定推出該項(xiàng)業(yè)界獨(dú)有之產(chǎn)品。　　
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Anobit推出高性能超低功耗閃存控制器MSP2025

　　來(lái)自以色列的閃存廠商Anobit近日宣布推出新款高性能超低功耗嵌入式閃存控制器“MSP2025”，主要面向平板機(jī)、智能手機(jī)等便攜設(shè)備，數(shù)據(jù)傳輸率可達(dá)空前的666MB/s，成為迄今為止性能最高的嵌入式閃存控制器。
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SANDISK嵌入式固態(tài)硬盤(pán)采用全新SATA μSSD標(biāo)準(zhǔn)

全球領(lǐng)先的閃存存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商SanDisk公司（NASDAQ：SNDK）今日宣布，在其郵票大小的嵌入式固態(tài)硬盤(pán)系列SanDisk iSSD產(chǎn)品線中采用全新的SATA μSSD標(biāo)準(zhǔn)。一直致力于維護(hù)串行ATA （SATA）技術(shù)的質(zhì)量和完整性以及推廣工作的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)組織SATA-IO也于今日發(fā)布了此項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)。
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閃存將取代磁盤(pán)成為新型存儲(chǔ)嗎

　　很多評(píng)論家，包括ESG的分析師都已經(jīng)開(kāi)始預(yù)測(cè)，在未來(lái)短短幾年內(nèi)，閃存將在主存儲(chǔ)中完全取代磁盤(pán)，使閃存成為一種新型的磁盤(pán)。他們的基本論點(diǎn)是，因?yàn)楣虘B(tài)盤(pán)(SSD)是基于集成電路的，所以他們的價(jià)格遵循摩爾定律，然而作為一種不可靠的機(jī)械裝置的硬盤(pán)卻并非如此。
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閃存將取代磁盤(pán)成為新型存儲(chǔ)嗎？

　　很多評(píng)論家，包括ESG的分析師都已經(jīng)開(kāi)始預(yù)測(cè)，在未來(lái)短短幾年內(nèi)，閃存將在主存儲(chǔ)中完全取代磁盤(pán)，使閃存成為一種新型的磁盤(pán)，磁盤(pán)成為新型的磁帶，而磁帶變成老舊的磁帶，甚至是死亡。雖然沒(méi)有什么比不再用聽(tīng)到磁頭劃過(guò)盤(pán)片的聲音更好的事了，但是我認(rèn)為這些評(píng)論者可能有點(diǎn)樂(lè)觀了，就像是時(shí)尚人士預(yù)測(cè)深褐色會(huì)成為一種新的黑顏色一樣。
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數(shù)碼產(chǎn)品普及閃存將引領(lǐng)存儲(chǔ)潮流

　　隨著數(shù)碼產(chǎn)品，如智能手機(jī)和單反數(shù)碼相機(jī)等的高速發(fā)展和普及，人們對(duì)體積小容量大的閃存類(lèi)產(chǎn)品需求越來(lái)越大。在很多時(shí)候，閃存品質(zhì)的好壞甚至直接影響到了數(shù)碼產(chǎn)品性能的發(fā)揮和數(shù)據(jù)的安全。近日，全球閃存領(lǐng)導(dǎo)品牌SanDisk閃迪中國(guó)區(qū)銷(xiāo)售總監(jiān)郭文利先生造訪昆明，記者對(duì)其進(jìn)行了采訪，就閃存市場(chǎng)的發(fā)展和閃迪中國(guó)市場(chǎng)策略進(jìn)行了溝通。
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第一季度NAND閃存領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)加劇

　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2011年第一季度NAND閃存領(lǐng)域爭(zhēng)奪頭號(hào)排名的競(jìng)爭(zhēng)加劇，排名第二的東芝接近與三星電子平起平坐。長(zhǎng)期以來(lái)，三星一直是最大的NAND閃存廠商。　
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武漢力源代理銷(xiāo)售Greenliant產(chǎn)品

　　武漢力源信息技術(shù)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)武漢力源)，日前與節(jié)能、高可靠性和安全性存儲(chǔ)器和固態(tài)存儲(chǔ)產(chǎn)品領(lǐng)域首屈一指供應(yīng)商Greenliant簽署了代理協(xié)議。根據(jù)雙方的協(xié)定,作為Greenliant的授權(quán)目錄分銷(xiāo)商, 武漢力源將在中國(guó)地區(qū)推廣和銷(xiāo)售Greenliant全部的NANDrive嵌入式固態(tài)存儲(chǔ)器(SSD)、NAND閃存控制器和特殊閃存產(chǎn)品。
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三星因?qū)＠謾?quán)向飛索賠償1.5億美元

　　飛索半導(dǎo)體(Spansion)與三星電子就專(zhuān)利訴訟達(dá)成和解，未來(lái)5年三星將向飛索半導(dǎo)體支付1.5億美元。根據(jù)雙方的協(xié)議，飛索半導(dǎo)體和三星簽訂了7年交叉專(zhuān)利授權(quán)。飛索同意以3000萬(wàn)美元收購(gòu)三星的破產(chǎn)債權(quán)，如果被法院批準(zhǔn)，飛索將被允許撤銷(xiāo)165-185萬(wàn)股股票。　　
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基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì)

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì),摘要：介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù)，它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫(xiě)頻率限制，提供更好的讀寫(xiě)速度，以適應(yīng)高清播放和高清監(jiān)控等高存儲(chǔ)要求的應(yīng)用。分析該新型閃存軟硬件接口的設(shè)計(jì)方法。
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關(guān)鍵字：嵌入式接口設(shè)計(jì) 高性能閃存 DDR NAND 基于

Spansion公司發(fā)布2011年第一季度財(cái)報(bào)

　　行業(yè)領(lǐng)先的閃存解決方案廠商Spansion公司(NYSE:CODE)今日發(fā)布截止至2011年3月27日第一財(cái)季的運(yùn)營(yíng)成果。由于公司重組后實(shí)行的新會(huì)計(jì)計(jì)量產(chǎn)生的影響，Spansion公司同時(shí)提供GAAP和非GAAP結(jié)果。公司美國(guó)GAAP凈銷(xiāo)售額為2.929億美元，經(jīng)營(yíng)虧損70萬(wàn)美元，凈虧損1410萬(wàn)美元。公司美國(guó)非GAAP調(diào)整后凈銷(xiāo)售額2.944億美元，調(diào)整后運(yùn)營(yíng)收入3850萬(wàn)美元，調(diào)整后凈收入為2510萬(wàn)美元。
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帶有雙組閃存的MCU優(yōu)點(diǎn)

帶有雙組閃存的MCU優(yōu)點(diǎn),MCU(微控制器)在過(guò)去幾十年里在CPU性能、通信接口、模數(shù)和數(shù)模外設(shè)、內(nèi)存大小及讀寫(xiě)次數(shù)等方面呈指數(shù)發(fā)展。我們專(zhuān)注于帶有非易失性嵌入式存儲(chǔ)器的MCU(我們?cè)赨SB閃存驅(qū)動(dòng)器、存儲(chǔ)器等內(nèi)擁有閃存)，從首批帶有一次性編
關(guān)鍵字： MCU優(yōu)點(diǎn) 閃存雙組帶有

4月上旬閃存芯片價(jià)格創(chuàng)7個(gè)月新高

　　據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，內(nèi)存調(diào)研公司集邦科技發(fā)布最新研究數(shù)據(jù)，今年四月上旬NAND閃存芯片價(jià)格創(chuàng)下了7個(gè)月以來(lái)的新高水平，一定程度上反映了繼上月日本地震海嘯災(zāi)害中斷相關(guān)供應(yīng)鏈后芯片價(jià)格的總體情況。　
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]