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聯(lián)電 文章 最新資訊

日經(jīng)：聯(lián)電力拚先進(jìn)制程瞄準(zhǔn)6納米

  • 「日經(jīng)亞洲」（Nikkei Asia）獲悉，臺(tái)灣第2大晶圓代工業(yè)者聯(lián)電（UMC）正評(píng)估進(jìn)軍先進(jìn)制程生產(chǎn)的可行性，這個(gè)領(lǐng)域目前主要由臺(tái)積電、三星和英特爾主導(dǎo)。4名人士透露，聯(lián)電正探索未來(lái)的成長(zhǎng)動(dòng)能，可能包括6納米制程芯片生產(chǎn)。 6納米工藝適用于制造用于Wi-Fi、射頻（RF）和藍(lán)牙的先進(jìn)連接芯片、應(yīng)用于多種場(chǎng)景的人工智能（AI）加速器，以及用于電視和汽車的核心處理器。多個(gè)消息來(lái)源透露，聯(lián)電也在探索合作選項(xiàng)，例如擴(kuò)大與美國(guó)芯片制造商英特爾（Intel）在12納米制程生產(chǎn)的合作。 雙方定于2027年之前在美國(guó)亞
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聯(lián)電赴美合并格羅方德？英特爾也許是更好的選擇

  • 據(jù)日媒稍早報(bào)導(dǎo)，作為中國(guó)臺(tái)灣晶圓代工第二名的聯(lián)電，正與美國(guó)半導(dǎo)體巨頭、全球第5大晶圓代工廠格羅方德（GlobalFoundries），探索合并的可能性。 聯(lián)電雖予以否認(rèn)，表示沒(méi)有合并案在進(jìn)行中，但業(yè)界認(rèn)為，如果聯(lián)電能與英特爾合并，不但互補(bǔ)性較高，也較有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。日經(jīng)亞洲報(bào)導(dǎo)指出，格羅方德疑似與聯(lián)電洽談合并可能性，一旦成功，產(chǎn)能將橫跨亞洲、美國(guó)與歐洲，有望成為全球第2大晶圓代工業(yè)者，僅次于臺(tái)積電。 消息人士甚至表示，格羅方德已與美國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣政府官員接觸，2家芯片制造商于2年前曾討論過(guò)結(jié)盟方案，但并未達(dá)成
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聯(lián)電被逼赴美設(shè)廠？業(yè)界曝最慘結(jié)果：恐10年賠不完

  • 繼臺(tái)積電赴美設(shè)廠后，聯(lián)電也傳出被要求前往美國(guó)投資，根據(jù)鏡周刊報(bào)導(dǎo)，美國(guó)代表拜訪聯(lián)電，且聯(lián)電沒(méi)拒絕的本錢，分析師直指聯(lián)電前景隱憂。同業(yè)擔(dān)憂若聯(lián)電沒(méi)有足夠訂單，就算赴美10年也賠不完。報(bào)導(dǎo)指出，聯(lián)電除了得面對(duì)中國(guó)大陸成熟制程的殺價(jià)壓力，還傳出美國(guó)代表拜訪聯(lián)電董座洪嘉聰，要求聯(lián)電赴美設(shè)廠，討論聯(lián)電未來(lái)的發(fā)展策略，證實(shí)了此項(xiàng)傳言；聯(lián)電則強(qiáng)調(diào)，「來(lái)訪是一般性產(chǎn)業(yè)拜訪及交流」。報(bào)導(dǎo)引述分析師說(shuō)法指出，聯(lián)電迄今并沒(méi)有在美國(guó)經(jīng)營(yíng)晶圓廠的經(jīng)驗(yàn)，聯(lián)電在成熟制程芯片價(jià)格和毛利率，都比臺(tái)積電低，加上口袋不深，美國(guó)制造成本更是遠(yuǎn)高
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DUV曝光機(jī)光阻劑力拼島內(nèi)自給 核心材料明年供臺(tái)積電、聯(lián)電

  • 中國(guó)臺(tái)灣自研重點(diǎn)放在半導(dǎo)體關(guān)鍵材料自主化，9家廠商年底將進(jìn)行終端產(chǎn)線驗(yàn)證。 最快明年深紫外光（DUV）曝光機(jī)的光阻劑核心材料，可打入臺(tái)積電、聯(lián)電等代工大廠產(chǎn)線中。微影制程是在晶圓上制作電路圖案，隨著精細(xì)度有DUV、EUV（極紫外光）差別。 光阻劑是一種光敏感材料，由樹脂、光敏感劑、溶劑和添加劑等組成，乃微影不可或缺重要材料。 至于曝光機(jī)的光罩部份，島內(nèi)像是家登都有生產(chǎn)，比例已不低。但過(guò)去晶圓代工制程曾發(fā)生過(guò)光阻劑大缺貨，為了把關(guān)鍵材料掌握在自己手中，島內(nèi)推動(dòng)兩期半導(dǎo)體先進(jìn)制程與封裝材料研發(fā)。 第一期202
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聯(lián)電新加坡Fab 12i P3新廠首批設(shè)備到廠

  • 據(jù)聯(lián)電（UMC）官網(wǎng)消息，5月21日，聯(lián)電在新加坡Fab 12i舉行第三期擴(kuò)建新廠的上機(jī)典禮，首批設(shè)備到廠，象征公司擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃建立新廠的重要里程碑。據(jù)悉，聯(lián)電曾表示新加坡Fab12i P3旨在成為新加坡最先進(jìn)半導(dǎo)體晶圓代工廠之一，提供22/28nm制程，以支持5G、物聯(lián)網(wǎng)和車用電子等領(lǐng)域需求，總投資金額為50億美元。據(jù)了解，聯(lián)電早在2022年2月宣布了在新加坡Fab 12i P3廠的擴(kuò)建計(jì)劃。當(dāng)時(shí)消息稱，新廠第一期月產(chǎn)能規(guī)劃30,000片晶圓，2024年底開始量產(chǎn)，后又在2022年底稱，在過(guò)程中因缺工缺料及
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5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案

  • 聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項(xiàng)RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米R(shí)FSOI制程平臺(tái)上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應(yīng)用于手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項(xiàng)國(guó)際專利，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機(jī)對(duì)頻段數(shù)量需求的不斷增長(zhǎng)，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對(duì)晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時(shí)常見(jiàn)的射頻干擾問(wèn)題，將裝置中
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聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶采用，預(yù)計(jì)今年量產(chǎn)

  • 近日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說(shuō)會(huì)，公布2024年第一季財(cái)報(bào)，合并營(yíng)收546.3億元新臺(tái)幣，較2023年第四季549.6億元新臺(tái)幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺(tái)幣成長(zhǎng)0.8%。第一季毛利率達(dá)30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺(tái)幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領(lǐng)域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長(zhǎng)4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營(yíng)運(yùn)效率提升，仍維持相對(duì)穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動(dòng)下，特殊制程占總營(yíng)收
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劍指 12nm，英特爾與聯(lián)電結(jié)盟的五大利好

  • 1 月 25 日，處理器大廠英特爾與晶圓代工大廠聯(lián)華電子公司聯(lián)合宣布，他們將合作開發(fā) 12nm 半導(dǎo)體工藝平臺(tái)，以滿足移動(dòng)、通信基礎(chǔ)設(shè)施和網(wǎng)絡(luò)等高增長(zhǎng)市場(chǎng)的需求。據(jù) TrendForce 集邦咨詢研究顯示，2023 年 Q3 全球晶圓代工前十排名再度刷新，英特爾躋身第九，聯(lián)電排名第四。在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)不斷擴(kuò)大和競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的背景下，英特爾和聯(lián)電的抱團(tuán)不僅標(biāo)志著兩家想要在技術(shù)研發(fā)上取得突破，也預(yù)示了未來(lái)晶圓代工格局可能產(chǎn)生變化。此次英特爾和聯(lián)電的聯(lián)手，分別可以給雙方帶來(lái)哪些好處？在此之前，先了解一下本次合作
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聯(lián)電10月?tīng)I(yíng)收 寫九個(gè)月新高

  • 公布10月合并營(yíng)收191.91億元，月微增0.7％，仍寫九個(gè)月?tīng)I(yíng)收新高，年減21.2％。市場(chǎng)法人認(rèn)為，在該公司預(yù)估第四季出貨小減約5％、ASP（平均銷售單價(jià)）持平上季的狀況下，第四季營(yíng)收將可望持平或小幅低于上季表現(xiàn)。聯(lián)電公布10月自結(jié)合并營(yíng)收191.91億元，月增0.73％，為今年與同期次高，但年減21.17％，累計(jì)前十月?tīng)I(yíng)收1,867.66億元，為同期次高，年減20.6％。聯(lián)電先前法說(shuō)會(huì)釋出第四季展望，認(rèn)為計(jì)算機(jī)和通訊領(lǐng)域的短期需求逐漸回溫，但車用市場(chǎng)狀況仍具挑戰(zhàn)性，客戶仍采謹(jǐn)慎保守方式管理庫(kù)存，因此，
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聯(lián)電、日月光CoWoS封裝中介層訂單將漲價(jià)

晶圓代工大廠公布最新?tīng)I(yíng)收，全年資本支出不變

  • 晶圓代工大廠聯(lián)電公布2023年5月自結(jié)合并營(yíng)收，金額來(lái)到新臺(tái)幣187.78億元，較4月增加1.72%，較2022年同期減少達(dá)23.14%，為2023年次高成績(jī)。累計(jì)，2023年前5個(gè)月?tīng)I(yíng)收為914.49億元，較2022年同期減少17.35%，也為同期次高成績(jī)。先前聯(lián)電法說(shuō)時(shí)曾表示，由于市場(chǎng)需求仍低迷、客戶持續(xù)庫(kù)存調(diào)整，未見(jiàn)明確復(fù)蘇跡象。因此，預(yù)期2023年第二季晶圓出貨量及美元平均售價(jià)將較首季持穩(wěn)，毛利率預(yù)計(jì)維持34%~36%、產(chǎn)能利用率為71%~73%，全年資本支出維持30億美元不變。另外，在先前股東會(huì)
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南科突發(fā)壓降事件！聯(lián)電：部分晶圓報(bào)廢；臺(tái)積電：不影響運(yùn)營(yíng)

  • 6月1日下午，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)南部科學(xué)園區(qū)發(fā)生壓降情況。對(duì)于壓降事件的發(fā)生，南科管理局指出，臺(tái)電豐華D/S變電所下午2時(shí)59分因161kV GIS隔離開關(guān)故障，發(fā)生電力壓降，造成臺(tái)南園區(qū)及高雄園區(qū)部分廠商電壓驟降。資料顯示，臺(tái)積電和聯(lián)電分別為全球排名第一和第三的晶圓代工廠商，均在臺(tái)南擁有多座晶圓廠。而此次事件也引發(fā)了業(yè)界對(duì)企業(yè)運(yùn)營(yíng)狀況及全球半導(dǎo)體產(chǎn)能的高度關(guān)注。對(duì)此，臺(tái)積電和聯(lián)電均在當(dāng)天作出了回應(yīng)。臺(tái)積電不對(duì)營(yíng)運(yùn)造成影響臺(tái)積電表示，受影響的廠區(qū)電力供應(yīng)均迅速恢復(fù)正常，不預(yù)期對(duì)營(yíng)運(yùn)造成影響，詳細(xì)壓降原因依臺(tái)電公
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傳赴日設(shè)新晶圓廠？聯(lián)電否認(rèn)

  • 聯(lián)電近年來(lái)積極布局車用芯片市場(chǎng)，2022年整體營(yíng)收占比已達(dá)9％，而據(jù)日媒報(bào)導(dǎo)指出，聯(lián)電因?yàn)榭春密囉眯酒枨蠓€(wěn)健，考慮投資5,000億日?qǐng)A在日本三重縣桑名市的現(xiàn)有晶圓廠區(qū)內(nèi)再興建一座新晶圓廠。不過(guò)，聯(lián)電對(duì)此表示并無(wú)此事。聯(lián)電過(guò)去在日本擁有一座8吋晶圓代工廠聯(lián)日半導(dǎo)體（UMC Japan），但已于2012年宣布清算并結(jié)束營(yíng)運(yùn)。不過(guò)，日本IDM廠過(guò)去十年內(nèi)的積極整并，聯(lián)電2019年完全收購(gòu)富士通半導(dǎo)體旗下位于日本三重縣桑名市的12吋晶圓廠并成立USJC子公司，成功卡位日本晶圓代工市場(chǎng)。聯(lián)電日本12吋廠第一季平均
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晶圓代工廠聯(lián)電公布最新財(cái)報(bào) 產(chǎn)業(yè)進(jìn)入庫(kù)存調(diào)整期

  • 近期，半導(dǎo)體晶圓代工廠聯(lián)電公布最新財(cái)報(bào)，公司11月?tīng)I(yíng)收225.45億元新臺(tái)幣，相較去年同期的196.61億元新臺(tái)幣增加14.67%，環(huán)比減少7.39%，連續(xù)三個(gè)月出現(xiàn)衰退；累計(jì)2022年前11月合并營(yíng)收2577.59億元新臺(tái)幣，相較去年同期的1927.31億元新臺(tái)幣增加了33.74%。據(jù)中國(guó)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，聯(lián)電總經(jīng)理王石此前在法說(shuō)會(huì)上預(yù)估，第四季度晶圓出貨量將減少約10%，產(chǎn)品平均售價(jià)持平，毛利率將約41%至43%，產(chǎn)能利用率恐將降至90%，11月?tīng)I(yíng)收呈現(xiàn)月減，符合法說(shuō)會(huì)提出產(chǎn)業(yè)進(jìn)入庫(kù)存調(diào)整的預(yù)期。
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聯(lián)電與Cadence共同開發(fā)認(rèn)證的毫米波參考流程達(dá)成一次完成硅晶設(shè)計(jì)

  • 聯(lián)華電子與全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)廠商益華計(jì)算機(jī)(Cadence Design Systems, Inc.)于今(30)日宣布雙方合作經(jīng)認(rèn)證的毫米波參考流程，成功協(xié)助亞洲射頻IP設(shè)計(jì)的領(lǐng)導(dǎo)廠商聚睿電子(Gear Radio Electronics)，在聯(lián)電28HPC+ 制程技術(shù)以及Cadence? 射頻(RF)解決方案的架構(gòu)下，達(dá)成低噪音放大器 (LNA) IC一次完成硅晶設(shè)計(jì)(first-pass silicon success) 的非凡成果。 經(jīng)驗(yàn)證的聯(lián)電28HPC+解決方案非常適合生產(chǎn)應(yīng)用于高
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聯(lián)電介紹

臺(tái)灣聯(lián)電集團(tuán)總部設(shè)在臺(tái)灣,集團(tuán)旗下有5家晶圓代工廠,包括聯(lián)電、聯(lián)誠(chéng)、聯(lián)瑞、聯(lián)嘉以及最新投資的合泰半導(dǎo)體,是全球半導(dǎo)體投資第四大,僅次于英代爾、摩托羅拉及西門子. 根據(jù)"經(jīng)濟(jì)部中央標(biāo)準(zhǔn)局"公布的近5年島內(nèi)百大"專利大戶"名單,以申請(qǐng)件數(shù)排名, 聯(lián)電第一、工研院第二、臺(tái)積電第三;就取得美國(guó)專利件數(shù)而言,1993年至1997年所累積的件數(shù),聯(lián)電是臺(tái)積電的兩倍、工研院的3倍. [ 查看詳細(xì) ]

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