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聯(lián)電 文章 最新資訊

聯(lián)電與Cypress攜手打造65納米SONOS閃存技術(shù)

  • 　　聯(lián)電與Cypress 27日宣布采用新的65納米SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon;硅-氧-氮化硅-氧-硅)閃存技術(shù)，已成功產(chǎn)出有效硅芯片(working silicon)，預(yù)計(jì)將于第3季正式問(wèn)世;聯(lián)電不但會(huì)采用此新制程為Cypress生產(chǎn)次世代PSoC可編程系統(tǒng)單芯片、nvSRAM和其他產(chǎn)品，也可在Cypress授權(quán)協(xié)議下，將此技術(shù)提供其他公司使用。 　
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智能手機(jī)需求不佳為上游廠商敲警鐘

  • 　　花旗環(huán)球證券分析師GlenYeung指出，智慧型手機(jī)業(yè)者對(duì)半導(dǎo)體廠第三季的投片量不佳，將使半導(dǎo)體大廠第三季營(yíng)收陷入嚴(yán)重困境(Inbig trouble)。 　　花旗環(huán)球追蹤供應(yīng)鏈發(fā)現(xiàn)，即使智慧型手機(jī)大廠蘋(píng)果與宏達(dá)電，也缺乏強(qiáng)力拉貨力道，因此供應(yīng)鏈廠商如聯(lián)電第三季的營(yíng)收表現(xiàn)也被大幅下修，季增率原本預(yù)期為20%，現(xiàn)在降為3%?！?/li>
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聯(lián)電擬先拿下大陸和艦30%股權(quán)日后再全數(shù)購(gòu)回

  • 　　聯(lián)電本周三將舉行股東會(huì)，由于聯(lián)電先前合并和艦條件，因大股東意見(jiàn)不同及未符合主管機(jī)關(guān)規(guī)定下破局，聯(lián)電這次重新修訂預(yù)計(jì)先取得和艦3成股權(quán)，日后再全數(shù)購(gòu)回，議案將在股東會(huì)討論，預(yù)料將成為今年股東會(huì)焦點(diǎn)。 　　
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聯(lián)電發(fā)行5億美元?dú)W元可轉(zhuǎn)換公司債

  • 　　聯(lián)電日前定價(jià)發(fā)行了5億美元的歐元可轉(zhuǎn)換公司債(Euro-Convertible Bond，ECB)，以負(fù)利率發(fā)行，首創(chuàng)臺(tái)幣計(jì)價(jià)。主辦承銷商野村證券表示，以臺(tái)幣計(jì)價(jià)公司沒(méi)有匯兌風(fēng)險(xiǎn)，將匯兌風(fēng)險(xiǎn)轉(zhuǎn)嫁到投資人身上，未來(lái)可能成為公司發(fā)行海外債的新趨勢(shì)。 　　
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聯(lián)電務(wù)實(shí)研發(fā)策略奏效

  • 　　晶圓代工廠40納米及28納米等先進(jìn)制程技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)激烈，臺(tái)積電目前仍是全球最大40/28納米產(chǎn)能供應(yīng)者，全球晶圓(GlobalFoundries)及韓國(guó)三星電子等2家業(yè)者緊跟在后，但過(guò)去與臺(tái)積電在技術(shù)研發(fā)上競(jìng)爭(zhēng)激烈的聯(lián)電，已多次表示，不會(huì)跟進(jìn)其它同業(yè)進(jìn)行軍備競(jìng)賽。 　　
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聯(lián)電擴(kuò)大12寸產(chǎn)能

  • 　　為維持全球第二大晶圓代工廠地位，聯(lián)電今年資本支出的18億美元預(yù)算，其中9成資金將用來(lái)擴(kuò)充南科12寸廠Fab12A及新加坡12寸廠Fab12i的產(chǎn)能。 　　
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聯(lián)電2010年?duì)I收創(chuàng)新高

  • 　　聯(lián)電2010年?duì)I收創(chuàng)下1204億(新臺(tái)幣，下同)新高，全年EPS達(dá)1.91元，則是近年來(lái)最佳紀(jì)錄。聯(lián)電今年資本支出預(yù)計(jì)與去年的18億美元持平。 　　聯(lián)電日前召開(kāi)法說(shuō)會(huì)，公布2010年第四季營(yíng)收為313.2億元，季減4.1%，年增12.9%。單季毛利率為32.1%，營(yíng)業(yè)凈利率21.1%，稅后凈利64.2億元，每股獲利為0.52元。2010年全年?duì)I收為1204.3億元，獲利239億元，每股盈余1.91元。 　　
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聯(lián)電MEMS感測(cè)芯片成功產(chǎn)出

  • 　　晶圓代工廠聯(lián)電投入微機(jī)電 (MEMS)技術(shù)開(kāi)發(fā)已3年，19日宣布成功產(chǎn)出CMOS-MEMS感測(cè)芯片，預(yù)計(jì)2011年投入量產(chǎn)。 　　聯(lián)電CMOS-MEMS技術(shù)制造的麥克風(fēng)元件已完成功能驗(yàn)證，訊噪比 (S/N ratio) 已可達(dá)到 56dBA 以上的水平，其性能極具國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，預(yù)計(jì)將于2011年上半年提供工程樣品，接著便能進(jìn)入量產(chǎn)。CMOS-MEMS加速度計(jì)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)也己符合消費(fèi)性電子產(chǎn)品之應(yīng)用規(guī)格 (1g ~16g)，其功能也達(dá)量產(chǎn)的目標(biāo)?！?/li>
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聯(lián)電65納米eFlash制程搶先問(wèn)世

  • 　　搶在臺(tái)積電之前，聯(lián)電日前率先與合作伙伴美高森美(Microsemi)共同發(fā)布首款采用65奈米嵌入式快閃(Embedded Flash,eFlash)制程技術(shù)生產(chǎn)的現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)平臺(tái)，讓eFlash制程技術(shù)順利邁入65奈米世代，對(duì)其未來(lái)進(jìn)一步拓展汽車、工業(yè)、醫(yī)療及航天等半導(dǎo)體市場(chǎng)將大有幫助。 　　　　
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聯(lián)電第三季度獲利創(chuàng)近6年新高

  • 　　聯(lián)電法說(shuō)會(huì)昨公布第3季獲利創(chuàng)近6年新高，每股盈余0.7元。展望第4季，聯(lián)電認(rèn)為，整體產(chǎn)能利率將維持在9成以上水平，預(yù)估Q4出貨季減5%，不過(guò)高階制程比重持續(xù)提升有助平均價(jià)格上揚(yáng)，65奈米制程以下先進(jìn)制程比重可望拉升至35%。 　　
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Global Foundries緊追　聯(lián)電"二哥"位置難坐

  • 　　2009年初才正式成軍的Global Foundries，近2年在晶圓代工業(yè)界掀起波瀾，2010年9月初在美國(guó)舉辦首屆全球技術(shù)論壇，揭露20納米技術(shù)藍(lán)圖，展現(xiàn)其先進(jìn)制程布局速度，并可望于年底前試產(chǎn)28納米制程。10月中技術(shù)論壇移師來(lái)臺(tái)，Global Foundries更宣布2010年?duì)I收可望上看35億美元(約新臺(tái)幣1,085億元)。Global Foundries這1年來(lái)的攻城略地，確實(shí)讓市場(chǎng)印象深刻，但如此的積極作為，也恐怕更加動(dòng)搖聯(lián)電的晶圓二哥地位。 　　
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聯(lián)電通過(guò)資本支出18.19億美元

  • 　　聯(lián)電日前調(diào)高資本支出，25日董事會(huì)正式通過(guò)2010年資本支出追加計(jì)畫(huà)，2010年總預(yù)算調(diào)高至18.19億美元，主要用以擴(kuò)充12寸與8寸廠產(chǎn)能。 　　聯(lián)電原訂2010年資本支出為12億~15億美元，執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉在8月初法人說(shuō)明會(huì)中即宣布，將資本支出調(diào)高至18億美元。 　　孫世偉日前指出，2010年資本支出將有高達(dá)87%用以擴(kuò)充12寸廠產(chǎn)能，13%資金用以擴(kuò)充8寸廠產(chǎn)能。目前機(jī)臺(tái)采購(gòu)與裝置進(jìn)度順利，新加坡 Fab12i廠大幅建置65/55奈米產(chǎn)能以服務(wù)客戶，在臺(tái)南科學(xué)園區(qū) Fab12A廠的第3期無(wú)塵室
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聯(lián)電6月收入同比增長(zhǎng)26%

  • 　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)灣聯(lián)電周四宣布，公司6月份收入同比增長(zhǎng)26%，從上年同期的新臺(tái)幣82.4億元增至新臺(tái)幣103.4億元。 　　聯(lián)電在公告中稱，截至6月30日的6個(gè)月收入同比增長(zhǎng)69%，從新臺(tái)幣334.7億元增至564.6億元。聯(lián)華電子沒(méi)有透露收入增長(zhǎng)的原因。 　　聯(lián)電第二季度收入增長(zhǎng)31%，從上年同期的新臺(tái)幣226.3億元增至新臺(tái)幣297.5億元。該公司第一季度收入增長(zhǎng)超過(guò)一倍，從上年同期的新臺(tái)幣108.4億元增至新臺(tái)幣267.2億元。 　　聯(lián)電4月底表示，繼第一季度8英寸等值晶圓發(fā)貨量達(dá)到10
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聯(lián)電：明年試產(chǎn)28nm工藝3D堆疊芯片

  • 　　據(jù)悉，臺(tái)灣代工廠聯(lián)電(UMC)計(jì)劃于2011年年中開(kāi)始，使用28nm新工藝試產(chǎn)3D立體堆疊式芯片，并于2012年批量投產(chǎn)。 　　聯(lián)電CEO孫世偉(Shih-Wei Sun)表示，這種3D堆疊芯片使用了硅通孔(TSV)技術(shù)，是聯(lián)電與日本爾必達(dá)、臺(tái)灣力成科技(PTI)共同研發(fā)完成的。這次三方合作匯聚了聯(lián)電的制造技術(shù)、爾必達(dá)的內(nèi)存技術(shù)和力成的封裝技術(shù)，并在3D IC方案中整合了邏輯電路和DRAM。 　　孫世偉指出，客戶需要3D-IC TSV方案用于下一代CMOS圖像傳感器、MEMS芯片、功率放大器和其他
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聯(lián)電通過(guò)私募案　將貼近市價(jià)發(fā)行

  • 　　聯(lián)電15日召開(kāi)股東會(huì)，會(huì)中通過(guò)私募增資案，聯(lián)電董事長(zhǎng)洪嘉聰指出，為維護(hù)股東權(quán)益，目前的股價(jià)不會(huì)發(fā)行，未來(lái)發(fā)行價(jià)格將貼近市價(jià)，而大股東也不會(huì)參與。對(duì)于第3季狀況，財(cái)務(wù)長(zhǎng)劉啟東表示，第3季產(chǎn)能依然吃緊，其中以高階制程最緊。 　　聯(lián)電股東會(huì)中承認(rèn)2009年度財(cái)報(bào)，每股純益新臺(tái)幣 0.31元，并決議通過(guò)每股配發(fā)0.5元現(xiàn)金股息。 　　另外，會(huì)中也通過(guò)辦理私募增資。洪嘉聰強(qiáng)調(diào)，通過(guò)私募增資案只是保留彈性，于未來(lái)適當(dāng)時(shí)機(jī)辦理，引進(jìn)策略合作伙伴，而目前價(jià)格將不會(huì)發(fā)行，未來(lái)發(fā)行價(jià)格將會(huì)貼近市價(jià)，同時(shí)，聯(lián)電大股東及
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聯(lián)電介紹

臺(tái)灣聯(lián)電集團(tuán)總部設(shè)在臺(tái)灣,集團(tuán)旗下有5家晶圓代工廠,包括聯(lián)電、聯(lián)誠(chéng)、聯(lián)瑞、聯(lián)嘉以及最新投資的合泰半導(dǎo)體,是全球半導(dǎo)體投資第四大,僅次于英代爾、摩托羅拉及西門(mén)子. 根據(jù)"經(jīng)濟(jì)部中央標(biāo)準(zhǔn)局"公布的近5年島內(nèi)百大"專利大戶"名單,以申請(qǐng)件數(shù)排名, 聯(lián)電第一、工研院第二、臺(tái)積電第三;就取得美國(guó)專利件數(shù)而言,1993年至1997年所累積的件數(shù),聯(lián)電是臺(tái)積電的兩倍、工研院的3倍. [ 查看詳細(xì) ]

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