美光 文章 進入美光技術(shù)社區(qū)
美光新內(nèi)存模塊 開始送樣
- 美光18日宣布，該公司多重存取雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）開始送樣，針對內(nèi)存需求高達每DIMM 插槽128GB以上的應(yīng)用，其效能更勝目前的硅晶穿孔型（TSV）RDIMM。光第一代MRDIMM，與IntelR XeonR 6處理器兼容。美光MRDIMM現(xiàn)已上市，將于2024年下半年開始大量出貨。 美光指出，開始送樣的內(nèi)存是美光MRDIMM系列的第一代產(chǎn)品，實現(xiàn)最高帶寬、最大容量、最低延遲，以及更高的每瓦效能，加速內(nèi)存密集型如虛擬化多租戶、HPC和AI數(shù)據(jù)中心等的工作負載。美光副總裁暨運算產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)
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美光首款M.2 2230 PCIe 4.0 SSD推出
- 美光宣布旗下消費級品牌英睿達推出新款固態(tài)硬盤P310，這也是其首款M.2 2230 PCIe 4.0 SSD，將SSD帶到了最小尺寸的M.2規(guī)格上。據(jù)悉，此次發(fā)布的P310系列，精心準備了1TB與2TB兩種大容量選項，以滿足不同用戶的存儲需求。其核心搭載了美光自主研發(fā)、業(yè)界領(lǐng)先的232層3D QLC NAND閃存技術(shù)，這一創(chuàng)新不僅大幅提升了存儲密度，更在性能上實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。具體而言，P310的順序讀取速度高達7100 MB/s，順序?qū)懭胨俣纫策_到了驚人的6000 MB/s，同時，在4K隨機讀寫測試中，分
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美光MRDIMM創(chuàng)新技術(shù)打造最高性能、低延遲主存，為數(shù)據(jù)中心工作負載加速
- 美光科技股份有限公司近日宣布，已出樣多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）。該款?MRDIMM?將賦能美光客戶應(yīng)對日益繁重的工作負載，從而最大化計算基礎(chǔ)設(shè)施的價值。對于需要每個?DIMM?插槽內(nèi)存超過?128GB?的應(yīng)用，美光?MRDIMM?提供最高帶寬、最大容量、最低延遲以及更高的每瓦性能，在加速內(nèi)存密集型虛擬化多租戶、高性能計算和?AI?數(shù)據(jù)中心工作負載方面，表現(xiàn)優(yōu)于當前的?TSV RDI
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HBM排擠效應(yīng) DRAM漲勢可期
- 近期在智慧手機、PC、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器上，用于暫時儲存數(shù)據(jù)的DRAM價格漲勢停歇，買家拉貨不積極，影響DRAM報價漲勢。 業(yè)者期待，SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產(chǎn)能增開，對一般型DRAM產(chǎn)生的排擠效應(yīng)，加上產(chǎn)業(yè)旺季來臨，可帶動DRAM重啟漲勢。 據(jù)了解，6月指針性產(chǎn)品DDR4 8GB合約價約2.10美元、容量較小的4GB合約價1.62美元左右，表現(xiàn)持平，主要是供需雙方對價格談判，呈現(xiàn)拉鋸狀況。而另一方面，三星新一代HBM3E，據(jù)傳有望通過輝達（NVIDIA）認證，輝達GB200將于2025年放量，其
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全球三大廠HBM沖擴產(chǎn) 明年倍增
- AI應(yīng)用熱！SK海力士、三星及美光等全球前三大內(nèi)存廠，積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)能擴充計劃，市場人士估計，2025年新增投片量約27.6萬片，總產(chǎn)能拉高至54萬片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零組件，根據(jù)外媒拆解，英偉達H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超過生產(chǎn)封裝。HBM經(jīng)歷多次迭代發(fā)展，進入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相繼采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場，而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿載。美光2
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美光發(fā)布2024年可持續(xù)發(fā)展報告，聚焦進展與長期愿景
- 全球內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日發(fā)布了2024 年可持續(xù)發(fā)展報告，詳細介紹了美光在可持續(xù)發(fā)展方面的進展，彰顯了其屢獲殊榮的可持續(xù)發(fā)展成果，并進一步強化了對可持續(xù)發(fā)展和前沿技術(shù)的承諾。美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 表示：“美光正在助推技術(shù)進步，這將在未來幾年創(chuàng)造新的重大機遇。2024 年可持續(xù)發(fā)展報告彰顯了我們當前的承諾和未來的雄心，即通過技術(shù)惠及我們的社區(qū)和地球。通過不懈努力，我們已經(jīng)取得了穩(wěn)步進展，我期待公
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什么是GDDR7內(nèi)存——有關(guān)即將推出的圖形VRAM技術(shù)
- 什么是 GDDR7 內(nèi)存？它是用于 GPU 的下一代圖形內(nèi)存，例如即將推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它將在未來幾年內(nèi)用于各種產(chǎn)品，為現(xiàn)有的 GDDR6 和 GDDR6X 解決方案提供代際升級，從而提高游戲和其他類型的工作負載的性能。但這個名字下面還有很多事情要做。自從第二代GDDR內(nèi)存（用于“圖形雙倍數(shù)據(jù)速率”）推出以來，這種模式就非常清晰。GDDR（前身為 DDR SGRAM）早在 1998 年就問世了，每隔幾年就會有新的迭代到來，擁有更高的速度和帶寬。當前一代
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美光愛達荷與紐約晶圓廠預(yù)計分別于2027、2028年投產(chǎn)
- 日前，美光（Micron）舉行2024年Q3財報電話會議。美光總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在報告中提到，其位于愛達荷州博伊西的晶圓廠預(yù)計將于2027財年投入運營，而紐約州的克萊晶圓廠則預(yù)計將在2028財年或之后開始生產(chǎn)。2022年，美光曾宣布擬于未來20年投資1000億美元，在紐約州克萊建設(shè)大型晶圓廠項目。其中包含2座晶圓廠的首階段項目將耗資200億美元，定于2029年投運。此外，美光還計劃未來在紐約州克萊再建設(shè)兩座晶圓廠，目標2041年投運。同年，美光還宣布計劃在10年內(nèi)投資150億美
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傳ASMPT與美光聯(lián)合開發(fā)下一代HBM4鍵合設(shè)備
- 據(jù)韓媒報道，韓國后端設(shè)備制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高帶寬內(nèi)存 (HBM) 生產(chǎn)的演示熱壓 (TC) 鍵合機。雙方已開始聯(lián)合開發(fā)下一代鍵合機，用于HBM4生產(chǎn)。根據(jù)報道，美光還從日本新川半導(dǎo)體和韓美半導(dǎo)體采購TC鍵合機，用于生產(chǎn)HBM3E，于今年4月向韓美半導(dǎo)體提供了價值226億韓元的TC Bonder采購訂單。據(jù)透露，美光正在使用熱壓非導(dǎo)電薄膜 (TC-NCF) 工藝制造 HBM3E，該種工藝很可能會在下一代產(chǎn)品 HBM4 中采用。HBM4 16H產(chǎn)品正在考慮使用混合鍵合。此外，目前美光最大的
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美光預(yù)計愛達荷州、紐約州新晶圓廠分別于 2027、2028 財年投運
- IT之家 6 月 28 日消息，美光在業(yè)績演示文稿中表示，其位于美國愛達荷州博伊西總部和紐約州克萊的新 DRAM 內(nèi)存晶圓廠將分別于 2027、2028 財年正式投運：譯文：愛達荷州晶圓廠要到 2027 財年才會帶來有意義的位元供應(yīng)，而紐約（州）的建設(shè)資本支出預(yù)計要到 2028 財年或更晚才會帶來位元供應(yīng)的增長。原文：This Idaho fab will not contribute to meaningful bit supply until fiscal 2027 and the New
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HBM供應(yīng)吃緊催生DRAM漲價 美光股價飆漲
- 內(nèi)存大廠美光預(yù)計6月26日公布季報，自美光的高帶寬內(nèi)存（HBM）開始供貨給輝達后，已化身為AI明星股，年初至今，美光股價大漲近七成，市值大增636.26億美元，至1,545.22億美元。 市場分析師預(yù)期，美光經(jīng)營層將大談需求改善、行業(yè)供應(yīng)緊張、價格進一步上揚，以及他們供應(yīng)給輝達和其他AI芯片廠商的HBM，下一世代的發(fā)展，提出對后市正向的看法。由于AI應(yīng)用的需求，人們對DRAM、HBM的興趣與日俱增，且內(nèi)存市場通常存在「FOMO」（Fear of missing out）現(xiàn)象，意思是「害怕錯失機會」，在美光
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HBM產(chǎn)能緊 美光傳大舉擴產(chǎn)
- 在人工智能（AI）熱潮席卷全球下，帶動市場對于高帶寬內(nèi)存（HBM）需求大幅增長，造成產(chǎn)能緊張。知情者透露，美國內(nèi)存芯片大廠美光（Micron）為掌握更多HBM產(chǎn)量，正在美國打造多條測試生產(chǎn)線以求擴大產(chǎn)能，并首度考慮在馬來西亞生產(chǎn)HBM，同時擴大在臺中的產(chǎn)能。 日本經(jīng)濟新聞20日報導(dǎo)，美光今年6月初曾經(jīng)表示目標在2025年底，把其HBM市占率大幅提升至目前的逾3倍，達到25％附近，這跟其目前在全球DRAM市占率差不多，美光正積極要在HBM領(lǐng)域追上韓國SK海力士與三星電子。知情者表示，美光正擴大其愛達荷州博伊
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美光后里廠火災(zāi) 公司聲明營運未受任何影響
- 中國臺灣美光內(nèi)存后里廠20日下午5點34分發(fā)生火警，火勢快速撲滅，無人傷亡，美光昨深夜發(fā)出聲明指出，臺中廠火警廠區(qū)營運未受任何影響。 臺中市消防局昨日傍晚5時34分獲報，中國臺灣美光位在后里區(qū)三豐路的廠房發(fā)生火災(zāi)，消防局抵達時廠區(qū)人員已將火勢撲滅，無人受傷，原因有待厘清。根據(jù)經(jīng)濟日報報導(dǎo)，美光針對臺中廠火警一事發(fā)出聲明，經(jīng)查證所有員工與承包商安全無虞，且廠區(qū)營運未受任何影響。美光是國際三大DRAM廠商，市占約19.2％，與前兩大三星及SK海力士合計市占達96％。美光高達65％的DRAM產(chǎn)品在中國臺灣生產(chǎn)，
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美光：GDDR7內(nèi)存已正式送樣
- 6月5日，美光科技宣布出樣業(yè)界容量密度最高的新一代GDDR7顯存。美光GDDR7采用其1β（1-beta）DRAM技術(shù)和創(chuàng)新架構(gòu)，速率高達32Gb/s。性能上，GDDR7的系統(tǒng)帶寬超過1.5TB/s，較GDDR6提升高達60%，并配備四個獨立通道以優(yōu)化工作負載，從而實現(xiàn)更快的響應(yīng)時間、更流暢的游戲體驗和更短的處理時間。與GDDR6相比，美光GDDR7的能效提升超過50%，實現(xiàn)了更優(yōu)的散熱和續(xù)航；全新的睡眠模式可將待機功耗降低高達70%。美光GDDR7還具備領(lǐng)先的可靠性、可用性及適用性（RAS），在不影響性
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美光介紹
美光科技有限公司（以下簡稱美光科技）是全球最大的半導(dǎo)體儲存及影像產(chǎn)品制造商之一，其主要產(chǎn)品包括DRAM、NAND閃存和CMOS影像傳感器。美光科技先進的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動、計算機、服務(wù)、汽車、網(wǎng)絡(luò)、安防、工業(yè)、消費類以及醫(yī)療等領(lǐng)域，為客戶在這些多樣化的終端應(yīng)用提供“針對性”的解決方案。
美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高級半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商之 [ 查看詳細 ]
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