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三星無意加入美光減產(chǎn)隊(duì)伍？

  • 據(jù)韓國時(shí)報(bào)報(bào)道，雖然美光、SK海力士開始大舉節(jié)約成本來應(yīng)對(duì)營收、毛利率下滑困境，但三星非常不可能改變芯片生產(chǎn)的策略。至2023年第一季為止，三星基本上仍會(huì)設(shè)法保住毛利率，預(yù)測(cè)消費(fèi)者信心最快2023年第二季即可恢復(fù)。報(bào)道引述三星某一線供應(yīng)商資深高層受訪時(shí)表示，三星正在設(shè)法削減芯片庫存，雖然減產(chǎn)勢(shì)必有利短期供需狀況，但三星似乎不考慮大幅削減存儲(chǔ)產(chǎn)出，因?yàn)樵摴救栽诟囍圃焐痰戎匾蛻粲懻撘绾巫寧齑婊謴?fù)健康。據(jù)悉，三星重點(diǎn)在于美國晶圓代工廠的技術(shù)導(dǎo)入及裝機(jī)行動(dòng)。三星比較可能去調(diào)整存儲(chǔ)芯片的產(chǎn)能，以至于影響設(shè)
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存儲(chǔ)巨頭美光宣布：裁員4800人！停發(fā)獎(jiǎng)金！

  • 存儲(chǔ)芯片大廠美光（Micron）公布了截至2022年12月1日的2023財(cái)年第一季度業(yè)績(jī)。受存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)持續(xù)下滑影響，該季度美光營收同比大跌46.8%，凈利潤(rùn)也出現(xiàn)了虧損。同時(shí)，美光還宣布了明年裁員約10%的計(jì)劃，預(yù)計(jì)將有4800名員工受影響。根據(jù)財(cái)報(bào)顯示，美光2023財(cái)年第一季度營收為40.9億美元，與去年同期的76.9億美元相比大跌46.8%，與上一季度的66.4億美元環(huán)比下滑38.4%；GAAP凈虧損為1.95億美元，稀釋后每股虧損0.18美元；No-GAAP凈虧損為3900萬美元，稀釋后每股虧損0
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美光與AMD宣布全新技術(shù)合作

  • 12月19日，美光宣布，與AMD在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實(shí)驗(yàn)室，以減少服務(wù)器內(nèi)存驗(yàn)證時(shí)間。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5內(nèi)存和第四代AMD EPYCTM（霄龍）處理器均已出貨。長(zhǎng)期以來，超級(jí)計(jì)算機(jī)承擔(dān)著高性能計(jì)算工作負(fù)載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負(fù)載需要運(yùn)行TB級(jí)的數(shù)據(jù)量以進(jìn)行數(shù)百萬個(gè)并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣候預(yù)測(cè)；地震建模；化學(xué)、物理和生物分析等。隨著計(jì)算機(jī)架構(gòu)的進(jìn)步，此類工作負(fù)載往往托管在超大型“可橫向擴(kuò)展”的高性能服務(wù)器集群中。這些服務(wù)器集群需要集合最強(qiáng)大的算力、架構(gòu)、內(nèi)存和存儲(chǔ)
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SSD跌成白菜價(jià) 三星急忙出手：閃存逆市漲價(jià)10%

  • 2022年內(nèi)存及閃存兩種存儲(chǔ)芯片的價(jià)格一直在下滑，以致于SSD硬盤跌成白菜價(jià)了，2TB不到700元，但是這樣的價(jià)格也讓閃存廠商很難受，三星已經(jīng)開始出手逆轉(zhuǎn)價(jià)格，12月份閃存漲價(jià)10%。據(jù)電子時(shí)報(bào)援引供應(yīng)鏈消息，雖然市場(chǎng)需求低迷，但三星12月上半月依舊選擇上調(diào)NAND閃存價(jià)格，其中3D NAND閃存價(jià)格漲幅高達(dá)10%。三星是全球第一大閃存供應(yīng)商，Q2季度的銷售額59.8億美元，環(huán)比下滑5.4%，所占的份額也由上一季度的35.3%降至33%，依然遙遙領(lǐng)先其他廠商。a收購Intel閃存業(yè)務(wù)之后，SK海力士成立了
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芯片補(bǔ)助重組半導(dǎo)體版圖，美光如何“端水”？

  • 隨著疫情、地緣政治影響，全球各國積極鞏固半導(dǎo)體資源及建立生產(chǎn)供應(yīng)鏈。在各地補(bǔ)助支持政策的推波助瀾下，強(qiáng)調(diào)全球多元生產(chǎn)及彈性供應(yīng)的國際存儲(chǔ)芯片大廠美光，也身處半導(dǎo)體供應(yīng)鏈重組的浪潮中。在全球不景氣沖擊下，鎧俠、SK海力士陸續(xù)采取減產(chǎn)或降低資本支出以自保，美光日前也宣布第4季起同步減產(chǎn)DRAM和NAND Flash約二成，并持續(xù)下調(diào)資本支出，包括2022～2023年資本支出調(diào)降幅度高達(dá)四成。在下游市場(chǎng)需求下降與景氣復(fù)蘇反轉(zhuǎn)時(shí)間難料下，存儲(chǔ)廠正試圖透過供給調(diào)節(jié)來加速市場(chǎng)秩序恢復(fù)平衡。盡管美光在資本支出投入轉(zhuǎn)趨保
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美光 DDR5 搭配第四代 AMD EPYC 處理器官方基準(zhǔn)測(cè)試：內(nèi)存帶寬翻倍

  • IT之家 12 月 19 日消息，據(jù)美光發(fā)布，美光與 AMD 雙方在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實(shí)驗(yàn)室，以減少服務(wù)器內(nèi)存驗(yàn)證時(shí)間，在產(chǎn)品驗(yàn)證和發(fā)布期間共同進(jìn)行工作負(fù)載測(cè)試。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的 DDR5 內(nèi)存和第四代 AMD EPYCTM （霄龍）處理器均已出貨，官方對(duì)其進(jìn)行了一些常見的高性能計(jì)算（HPC）工作負(fù)載基準(zhǔn)測(cè)試。長(zhǎng)期以來，超級(jí)計(jì)算機(jī)承擔(dān)著高性能計(jì)算工作負(fù)載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負(fù)載需要運(yùn)行 TB 級(jí)的數(shù)據(jù)量以進(jìn)行數(shù)百萬個(gè)并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣
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美光 DDR5 內(nèi)存配合第四代 AMD EPYC 處理器，提升高性能計(jì)算工作負(fù)載

  • 美光與AMD聯(lián)手為客戶及數(shù)據(jù)中心平臺(tái)提供一流的用戶體驗(yàn)。雙方在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實(shí)驗(yàn)室，以減少服務(wù)器內(nèi)存驗(yàn)證時(shí)間，在產(chǎn)品驗(yàn)證和發(fā)布期間共同進(jìn)行工作負(fù)載測(cè)試。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的 DDR5 內(nèi)存和第四代 AMD EPYCTMTM （霄龍）處理器均已出貨，我們對(duì)其進(jìn)行了一些常見的高性能計(jì)算（HPC）工作負(fù)載基準(zhǔn)測(cè)試。 長(zhǎng)期以來，超級(jí)計(jì)算機(jī)承擔(dān)著高性能計(jì)算工作負(fù)載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負(fù)載需要運(yùn)行TB 級(jí)的數(shù)據(jù)量以進(jìn)行數(shù)百萬個(gè)并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣候預(yù)測(cè)；地震建模；化學(xué)、物理和生
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全球首款！美光232層NAND客戶端SSD正式出貨

  • 12月15日，美光宣布，已開始向PC OEM客戶出貨適用于主流筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)的美光2550 NVMe固態(tài)硬盤（SSD）。據(jù)官方介紹，美光2550是全球首款采用200+層NAND技術(shù)的客戶端SSD，該產(chǎn)品基于PCIe 4.0架構(gòu)，采用美光232層NAND技術(shù)，加強(qiáng)了散熱架構(gòu)和低功耗設(shè)計(jì)。美光2550 SSD可在包括游戲、消費(fèi)和商用客戶端等主流PC平臺(tái)上提升應(yīng)用程序的運(yùn)行速度和響應(yīng)靈敏度。與競(jìng)品相比，2550 SSD文件傳輸速度快112%，辦公應(yīng)用運(yùn)行速度快67%，主流游戲加載速度快57%，內(nèi)容創(chuàng)
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美光推出采用232層NAND技術(shù)的全球最先進(jìn)客戶端SSD

  • Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，已向全球個(gè)人電腦原始設(shè)備制造商（OEM）客戶出貨適用于主流筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)的美光 2550 NVMe? 固態(tài)硬盤（SSD）。2550 是全球首款采用 200+ 層 NAND 技術(shù)的客戶端 SSD，它憑借存儲(chǔ)密度和功耗優(yōu)勢(shì)，在性能[[1]]方面超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，其出色的響應(yīng)能力和低功耗表現(xiàn)可幫助用戶延長(zhǎng)工作和家用 PC 的電池續(xù)航時(shí)間。美光副總裁兼客戶端存儲(chǔ)部門總經(jīng)理 Praveen Vaidyanathan 表示：“我們將通過該
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美光新技術(shù) 內(nèi)存芯片無需再用昂貴的EUV光刻機(jī)

  • 內(nèi)存工藝進(jìn)入20nm節(jié)點(diǎn)之后，廠商的命名已經(jīng)發(fā)生了變化，都被稱為10nm級(jí)內(nèi)存，但有更細(xì)節(jié)的劃分，之前是1x、1y 和 1z三代，后面是1α，1β，1γ。    在1α，1β，1γ這三代中，三星在1α上就開始用EUV光刻工藝，但是代價(jià)就是成本高。而美光前不久搶先宣布的量產(chǎn)1β內(nèi)存芯片則沒有使用EUV工藝，避免了昂貴的光刻機(jī)。    不使用EUV光刻，美光在1β內(nèi)存上使用的主要是第二代HKMG工藝、ArF浸液多重光刻等工藝，實(shí)現(xiàn)了35%的存儲(chǔ)密度提升，同時(shí)省電15%。
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美光發(fā)布 HSE 3.0 開源存儲(chǔ)引擎

  • IT之家 11 月 20 日消息，2020 年初，美光的軟件工程師宣布了一款專為 SSD 和持久內(nèi)存設(shè)計(jì)的開源存儲(chǔ)引擎 HSE，這是一款快速鍵值存儲(chǔ)數(shù)據(jù)庫。去年 HSE 2.0 首次亮相，不再依賴于對(duì) Linux 內(nèi)核的修改，改為完全基于用戶空間的解決方案。本周，美光發(fā)布了 HSE 3.0 開源存儲(chǔ)引擎，帶來了更多功能改進(jìn)。據(jù)介紹，HSE 3.0 改進(jìn)了數(shù)據(jù)管理，提高了各種重要工作負(fù)載的性能。此外，HSE 3.0 引擎圍繞具有單調(diào)遞增鍵（例如時(shí)間序列數(shù)據(jù)）的工作負(fù)載、多客戶端工作負(fù)載、將壓縮和未壓縮值存儲(chǔ)
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美光 DDR5 內(nèi)存現(xiàn)已配合第四代 AMD EPYC 處理器平臺(tái)出貨

  • 2022 年 11 月 18 日——中國上?！獌?nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布出貨適用于數(shù)據(jù)中心并已通過AMD 全新EPYC? （霄龍） 9004 系列處理器驗(yàn)證的 DDR5 內(nèi)存。隨著現(xiàn)代服務(wù)器配備更多處理內(nèi)核的CPU，其單個(gè)CPU內(nèi)核的內(nèi)存帶寬在不斷下降。為緩解這一瓶頸，美光 DDR5 提供比前幾代產(chǎn)品更高的帶寬，從而提升可靠性和可擴(kuò)展性。第四代 AMD EPYC 處理器與美光 DDR5 的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，使
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美光宣布推出適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5存儲(chǔ)器

  • 當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月10日，美光宣布推出適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5存儲(chǔ)器，該存儲(chǔ)器已針對(duì)新的AMD EPYC? 9004系列處理器進(jìn)行了驗(yàn)證。隨著現(xiàn)代服務(wù)器將更多處理內(nèi)核裝入CPU，每個(gè)CPU內(nèi)核的存儲(chǔ)器帶寬一直在下降。與前幾代相比，美光DDR5提供了更高的帶寬，從而緩解了這一瓶頸，提高了可靠性和可擴(kuò)展性。據(jù)介紹，美光將配備其DDR5的單個(gè)第4代AMD EPYC處理器系統(tǒng)的STREAM基準(zhǔn)性能與3200MT/秒的第3代AMD EPYC處理器系統(tǒng)和美光DDR4進(jìn)行了比較。使用第4代AMD EPYC處理器系統(tǒng)
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美光：成功繞過了EUV光刻技術(shù)

  • 本周美光宣布，采用全球先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機(jī)制造商、芯片平臺(tái)合作伙伴進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。1β工藝可將能效提高約15％，存儲(chǔ)密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達(dá)16Gb(2GB)。一個(gè)值得關(guān)注的點(diǎn)是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。這意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計(jì)方案。畢竟，DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目前通過不斷縮小電路
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芯片巨頭美光：成功繞過了EUV光刻技術(shù)

  • 　　本周美光宣布，采用全球最先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機(jī)制造商、芯片平臺(tái)合作伙伴進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備?！　?β工藝可將能效提高約15％，存儲(chǔ)密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達(dá)16Gb(2GB)?！　∫粋€(gè)值得關(guān)注的點(diǎn)是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）?！　∵@意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計(jì)方案。畢竟，DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目
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美光介紹

　美光科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱美光科技）是全球最大的半導(dǎo)體儲(chǔ)存及影像產(chǎn)品制造商之一，其主要產(chǎn)品包括DRAM、NAND閃存和CMOS影像傳感器。美光科技先進(jìn)的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)、計(jì)算機(jī)、服務(wù)、汽車、網(wǎng)絡(luò)、安防、工業(yè)、消費(fèi)類以及醫(yī)療等領(lǐng)域，為客戶在這些多樣化的終端應(yīng)用提供“針對(duì)性”的解決方案。 　　美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商之 [ 查看詳細(xì) ]

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