碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

總投資50億美元，Wolfspeed全球最大碳化硅工廠封頂

據(jù)Wolfspeed官微消息，全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者Wolfspeed在位于美國(guó)北卡羅來(lái)納州查塔姆縣的“John Palmour 碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據(jù)悉，John Palmour 碳化硅制造中心總投資50億美元，占地445英畝，一期建設(shè)預(yù)計(jì)將于2024年底竣工。該制造中心將制造200mm碳化硅（SiC）晶圓，顯著擴(kuò)大Wolfspeed材料產(chǎn)能，滿(mǎn)足對(duì)于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的需求。產(chǎn)能的爬坡將為近期簽訂的客戶(hù)協(xié)議（瑞薩、英飛凌、以及其他企業(yè)等）提供支持，推動(dòng)具有重要
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Wolfspeed宣布其全球最大、最先進(jìn)的碳化硅工廠封頂

2024年3月27日，Wolfspeed宣布，其在位于美國(guó)北卡羅來(lái)納州查塔姆縣的“John Palmour碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據(jù)官方介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，獲得了來(lái)自公共部門(mén)和私營(yíng)機(jī)構(gòu)的支持，將助力從硅向碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型，提升對(duì)于能源轉(zhuǎn)型至關(guān)重要的材料的供應(yīng)。該中心占地445英畝，一期建設(shè)預(yù)計(jì)將于2024年底竣工，該中心將制造200mm碳化硅（SiC）晶圓，顯著擴(kuò)大Wolfspeed材料產(chǎn)能，滿(mǎn)足對(duì)于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的
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Wolfspeed 8英寸SiC襯底產(chǎn)線(xiàn)一期工程封頂

3月28日消息，當(dāng)?shù)貢r(shí)間3月26日，Wolfspeed宣布第三座工廠——8英寸SiC襯底產(chǎn)線(xiàn)一期工程舉行了封頂儀式。據(jù)了解，該工廠位于貝卡萊納州查塔姆縣，總投資50億美元（約合人民幣356億元），占地面積445英畝，主要生產(chǎn)8英寸SiC單晶襯底。目前，該工廠已有一些長(zhǎng)晶爐設(shè)備進(jìn)場(chǎng)，預(yù)計(jì)2024年底將完成一期工程建設(shè)，2025年上半年開(kāi)始生產(chǎn)，預(yù)計(jì)竣工達(dá)產(chǎn)后Wolfspeed的SiC襯底產(chǎn)量將擴(kuò)大10倍。近期，Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶(hù)協(xié)議，查塔姆工廠的投建將為這些協(xié)議提供支持，同
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近年來(lái)對(duì)碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增

隨著近年來(lái)對(duì)碳化硅（SiC）襯底需求的持續(xù)激增，市場(chǎng)研究公司TrendForce表示，對(duì)于SiC的成本降低呼聲越來(lái)越高，因?yàn)樽罱K產(chǎn)品價(jià)格仍然是消費(fèi)者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本占整個(gè)成本結(jié)構(gòu)的比例最高，約占50%。因此，襯底部分的成本降低和利用率提高尤為關(guān)鍵。由于其成本優(yōu)勢(shì)，大尺寸襯底逐漸開(kāi)始被采用，市場(chǎng)對(duì)其寄予了很高的期望。中國(guó)SiC襯底制造商天科藍(lán)半導(dǎo)體計(jì)算，從4英寸升級(jí)到6英寸可以使單位成本降低50%，從6英寸升級(jí)到8英寸可以再次降低35%。與此同時(shí)，8英寸襯底可以生產(chǎn)更多的芯片，從而減少邊緣浪
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SEMICON2024收官，第三代半導(dǎo)體賽道競(jìng)爭(zhēng)激烈！

3月20日，春分時(shí)期，萬(wàn)物復(fù)蘇，SEMICON China 2024在上海新國(guó)際博覽中心拉開(kāi)了序幕。現(xiàn)場(chǎng)一片繁忙熱鬧，據(jù)悉本次展會(huì)面積達(dá)90000平方米，共有1100家展商、4500個(gè)展位和20多場(chǎng)會(huì)議及活動(dòng)涉及了IC制造、功率及化合物半導(dǎo)體、先進(jìn)材料、芯車(chē)會(huì)等多個(gè)專(zhuān)區(qū)。本次展會(huì)中，碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈格外亮眼，據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì)，共有近70家相關(guān)企業(yè)帶來(lái)了一眾新品與最新技術(shù)，龍頭企業(yè)頗多，材料方面包括Resonac、天域半導(dǎo)體、天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等企業(yè)，設(shè)備端則如晶盛機(jī)電、中微公司
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英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率樹(shù)立行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)

英飛凌科技股份公司近日推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列，使電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用取得了飛躍性的進(jìn)展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動(dòng)摩托車(chē)、微型電動(dòng)汽車(chē)和電動(dòng)叉車(chē)等應(yīng)用提供出色的性能。新 MOSFET產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開(kāi)關(guān)損耗，有益于用于服務(wù)器、電信、儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）、音頻、太陽(yáng)能等用途的各種開(kāi)關(guān)應(yīng)用。此外，憑借寬安全工作區(qū)（SOA）和業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統(tǒng)等靜態(tài)開(kāi)關(guān)應(yīng)用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200
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英飛凌推出OptiMOS? 6200V MOSFET

英飛凌科技股份公司近日出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列，使電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用取得了飛躍性的進(jìn)展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動(dòng)摩托車(chē)、微型電動(dòng)汽車(chē)和電動(dòng)叉車(chē)等應(yīng)用提供出色的性能。新MOSFET產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開(kāi)關(guān)損耗，有益于用于服務(wù)器、電信、儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）、音頻、太陽(yáng)能等用途的各種開(kāi)關(guān)應(yīng)用。此外，憑借寬安全工作區(qū)（SOA）和業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統(tǒng)等靜態(tài)開(kāi)關(guān)應(yīng)用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)
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功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？

在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級(jí)。之前我們討論過(guò)功率MOSFET的雪崩效應(yīng)，今天，我們將繼續(xù)分享相關(guān)UIS (UIL)數(shù)據(jù)表的額定值。除了Ipk vs tav圖之外，大多數(shù)功率MOSFET數(shù)據(jù)表還包含一個(gè)UIS能量額定值，通常列在最大值表中。這有點(diǎn)誤導(dǎo)，因?yàn)楹苊黠@ (E=0.5Vav*Ipk*tav) 功率 M
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全球加速碳化硅產(chǎn)能擴(kuò)充

受惠于下游應(yīng)用市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求，碳化硅產(chǎn)業(yè)正處于高速成長(zhǎng)期。據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)預(yù)期，至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)?？赏_(dá)53.3億美元，其主流應(yīng)用仍倚重電動(dòng)汽車(chē)及可再生能源。近期，備受關(guān)注的碳化硅市場(chǎng)又有了新動(dòng)態(tài)，涉及三菱電機(jī)、美爾森、芯粵能等企業(yè)。三菱電機(jī)SiC工廠預(yù)計(jì)4月開(kāi)建據(jù)日經(jīng)新聞近日?qǐng)?bào)道，三菱電機(jī)將于今年4月，在日本熊本縣開(kāi)工建設(shè)新的8英寸SiC工廠，并計(jì)劃于2026年4月投入運(yùn)營(yíng)。2023年3月，三菱電機(jī)宣布，計(jì)劃在5年內(nèi)投資約1000億日元（折合人民幣約48.56億元）建設(shè)一個(gè)
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Vishay的新款80V對(duì)稱(chēng)雙通道MOSFET的RDS(ON)達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平，可顯著提高功率密度、能效和熱性能

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型80 V對(duì)稱(chēng)雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT，將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換，在提高功率密度和能效的同時(shí)，增強(qiáng)熱性能，減少元器件數(shù)量并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。日前發(fā)布的雙通道MOSFET可用來(lái)取代兩個(gè)PowerPAK 1
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芯動(dòng)半導(dǎo)體與與意法半導(dǎo)體達(dá)成SiC合作

3月13日消息，日前，芯動(dòng)半導(dǎo)體官微宣布，已與意法半導(dǎo)體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將就SiC芯片業(yè)務(wù)展開(kāi)合作。此次與意法半導(dǎo)體就SiC芯片業(yè)務(wù)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，也將進(jìn)一步推動(dòng)長(zhǎng)城汽車(chē)垂直整合，穩(wěn)定供應(yīng)鏈發(fā)展。公開(kāi)資料顯示，芯動(dòng)半導(dǎo)體于2022年11月成立于江蘇無(wú)錫，由長(zhǎng)城汽車(chē)與穩(wěn)晟科技合資成立，以開(kāi)發(fā)第三代功率半導(dǎo)體SiC模組及應(yīng)用解決方案為目標(biāo)。目前，芯動(dòng)半導(dǎo)體位于無(wú)錫的第三代半導(dǎo)體模組封測(cè)制造基地項(xiàng)目已完成建設(shè)。該項(xiàng)目總投資8億元，規(guī)劃車(chē)規(guī)級(jí)模組年產(chǎn)能為120萬(wàn)套，預(yù)計(jì)本月正式量產(chǎn)。除了碳化硅模塊外，芯動(dòng)
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英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度

英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC??MOSFET?2000?V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿(mǎn)足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度的需求，而且即使面對(duì)嚴(yán)格的高電壓和開(kāi)關(guān)頻率要求，也不會(huì)降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線(xiàn)電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達(dá)到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5
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英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動(dòng)低碳化的高性能系統(tǒng)

英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開(kāi)啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，?英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(biāo)（如能量和電荷儲(chǔ)量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進(jìn)一步推動(dòng)了低碳化進(jìn)程。CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2)?技術(shù)繼續(xù)發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢(shì)，通過(guò)降低能量損耗來(lái)提高功率轉(zhuǎn)換過(guò)程
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晶盛機(jī)電披露碳化硅進(jìn)展

近日，晶盛機(jī)電在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，目前公司已基本實(shí)現(xiàn)8-12英寸大硅片設(shè)備的全覆蓋并批量銷(xiāo)售，6英寸碳化硅外延設(shè)備實(shí)現(xiàn)批量銷(xiāo)售且訂單量快速增長(zhǎng)，成功研發(fā)出具有國(guó)際先進(jìn)水平的8英寸單片式碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了成熟穩(wěn)定的8英寸碳化硅外延工藝。同時(shí)公司基于產(chǎn)業(yè)鏈延伸，開(kāi)發(fā)出了應(yīng)用于8-12英寸晶圓及封裝端的減薄設(shè)備、外延設(shè)備、LPCVD設(shè)備、ALD設(shè)備等。晶盛機(jī)電自2017年開(kāi)始碳化硅產(chǎn)業(yè)布局，聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設(shè)備兩大業(yè)務(wù)。公司已掌握行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅襯底技術(shù)和工藝，量產(chǎn)晶片的核心位錯(cuò)達(dá)到
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?MOSFET共源放大器的頻率響應(yīng)

在本文中，我們通過(guò)研究MOSFET共源放大器的s域傳遞函數(shù)來(lái)了解其頻率響應(yīng)。之前，我們了解了MOSFET共源放大器的大信號(hào)和小信號(hào)行為。這些分析雖然有用，但僅適用于低頻操作。為了了解共用源（CS）放大器在較高頻率下的功能，我們需要更詳細(xì)地研究其頻率響應(yīng)。在本文中，我們將在考慮MOSFET寄生電容的情況下導(dǎo)出CS放大器的全傳遞函數(shù)。然而，在我們這么做之前，讓我們花點(diǎn)時(shí)間回顧頻域中更為普遍的傳遞函數(shù)（TF）分析。s域傳輸函數(shù)TF是表示如何由線(xiàn)性系統(tǒng)操縱輸入信號(hào)（x）以產(chǎn)生輸出信號(hào)（y）的方程式。其形式為：&n
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