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碳化硅 mosfet 文章 最新資訊

英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400V，重新定義AI服務器電源的功率密度和效率

  • 隨著人工智能（AI）處理器對功率的要求日益提高，服務器電源（PSU）必須在不超出服務器機架規(guī)定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因為高級GPU的能源需求激增。到本十年末，每顆高級GPU芯片的能耗可能達到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關特定客戶需求的出現(xiàn)，促使英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）開發(fā)電壓650 V以下的SiC MOSFET產(chǎn)品?，F(xiàn)在，英飛凌基于今年早些時候發(fā)布的第二代（G2）CoolSiCTM技術，推出全新CoolSiC??MOS
  • 關鍵字： 英飛凌  CoolSiC MOSFET  AI服務器電源  

英飛凌推出集成高精度溫度傳感器的新型600V CoolMOS S7TA MOSFET

  • 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出適用于汽車功率管理應用的600 V CoolMOS? S7TA超級結MOSFET。S7TA專為滿足汽車電子部件的特殊要求而設計，其集成溫度傳感器在工業(yè)應用同類產(chǎn)品（CoolMOS? S7T）取得的進步基礎上，顯著提高了結溫傳感的精度，因此具有諸如更高的耐用性、安全性和效率等對于汽車領域至關重要的優(yōu)勢。與同系列中的工業(yè)級產(chǎn)品一樣，車規(guī)級CoolMOS? S7TA?尤其適合固態(tài)繼電器（SSR）應用。它具有出色的RDS(on)?
  • 關鍵字： 英飛凌  溫度傳感器  CoolMOS  MOSFET  

安森美選址捷克共和國打造端到端碳化硅生產(chǎn)，供應先進功率半導體

  • ●? ?安森美 (onsemi) 將實施高達 20 億美元的多年投資計劃，鞏固其面向歐洲和全球客戶的先進功率半導體供應鏈●? ?垂直整合的碳化硅工廠將為當?shù)貛硐冗M的封裝能力，使安森美能夠更好地滿足市場對清潔、高能效半導體方案日益增長的需求 ? ? ?●? ?安森美與捷克共和國政府合作制定激勵方案，以支持投資計劃落實●? ?該投資將成為捷克共和國歷史上最大的私營企業(yè)投資項目之一，屬于對中歐先進半導
  • 關鍵字： 安森美  碳化硅  功率半導體  

一文了解SiC MOS的應用

  • 作為第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實現(xiàn)更低的開關和導通損耗，同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業(yè)典型應用碳化硅MOSFET的主要應用領域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機、新能源汽車空調、新能
  • 關鍵字： SiC  MOS  碳化硅  MOSFET  

新型OptiMOS 7 MOSFET改進汽車應用中的導通電阻、設計穩(wěn)健性和開關效率

  • 英飛凌科技股份公司正在擴大其用于汽車應用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產(chǎn)品組合，在40 V?產(chǎn)品組合中新增了采用穩(wěn)健且無鉛封裝的器件，并且推出了80 V和100 V型號的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對各項標準和未來的48 V汽車應用進行了優(yōu)化，包括電動助力轉向、制動系統(tǒng)、新區(qū)域架構中的功率開關、電池管理、電子保險絲盒，以及各種12 V和48 V電氣系統(tǒng)應用中的直流/直流和BLDC驅動器等。這些產(chǎn)品還適用于輕型電動汽車（LEV）、電動二輪車、電動踏板車、電動摩
  • 關鍵字： 英飛凌科技  汽車應用  OptiMOS? 7   MOSFET  

使用先進的SPICE模型表征NMOS晶體管

  • 為特定CMOS工藝節(jié)點設計的SPICE模型可以增強集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章，但如果我們的主要目標是準確模擬集成電路MOSFET的電學行為，那么結合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中，我將介紹下載用于IC設計的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過程。然后，我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進
  • 關鍵字： CMOS，MOSFET  晶體管，Spice模型  

安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設計注意事項，您知道嗎？

  • 安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應用進行了優(yōu)化。此前我們描述了M3S的一些關鍵特性以及與第一代相比的顯著性能提升，本文則將重點介紹M3S產(chǎn)品的設計注意事項和使用技巧。寄生導通問題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC，因此在最高結溫TJ(MAX) = 175°C時具有最低值。即使數(shù)據(jù)表中的典型V
  • 關鍵字： SiC  MOSFET  RSP  

英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2

  • 在技術進步和低碳化日益受到重視的推動下，電子行業(yè)正在向結構更緊湊、功能更強大的系統(tǒng)轉變。英飛凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢。這些產(chǎn)品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡，同時兼顧系統(tǒng)的散熱要求和空間限制。目前，英飛凌正在通過采用?Thin-TOLL 8x8?和?TOLT?封裝的兩個全新產(chǎn)品系列，擴展其?CoolSiC? MOSFET分立式半導體器件?650 V產(chǎn)品組合。這兩個產(chǎn)品系列基于Coo
  • 關鍵字： 英飛凌  CoolSiC  MOSFET  

電驅逆變器SiC功率模塊芯片級熱分析

  • 本文提出一個用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內并聯(lián)裸片之間的熱失衡問題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆裸片在連續(xù)工作時的溫度，分析兩個電驅逆變模塊驗證，該測溫系統(tǒng)的驗證方法是，根據(jù)柵源電壓閾值選擇每個模塊內的裸片。我們將從實驗數(shù)據(jù)中提取一個數(shù)學模型，根據(jù)Vth選擇標準，預測當逆變器工作在電動汽車常用的電壓和功率范圍內時的熱不平衡現(xiàn)象。此外，我們還能夠延長測試時間，以便分析在電動汽車生命周期典型電流負荷下的芯片行為。
  • 關鍵字： 電驅逆變器  碳化硅  電動汽車  大功率  

天岳先進上海碳化硅基地驗收

  • 作為天岳先進三大SiC材料生產(chǎn)基地之一，與其位于山東濟南和濟寧的兩大基地相比，其上?；仨椖克坪醺荜P注。近日，天岳先進上海基地項目披露了最新進展，再次成為焦點。2024年5月，天岳先進位于上海臨港重裝備產(chǎn)業(yè)區(qū)的生產(chǎn)基地第一個項目完成驗收，意味著該生產(chǎn)基地由此進入新的發(fā)展階段。01天岳先進“瘋狂”擴產(chǎn)據(jù)悉，天岳先進上海基地項目最初于2021年第二季度備案和申報，規(guī)劃投資25億元，項目全部達產(chǎn)后，SiC襯底的產(chǎn)能約為30萬片/年。從投資規(guī)模和產(chǎn)能規(guī)劃來看，上?；仨椖坑型屘煸老冗M的市場地位再進一步。近年來
  • 關鍵字： 天岳先進  碳化硅  

MOSFET在服務器電源上的應用

  • 服務器電源主要用在數(shù)據(jù)中心場景中，主要應用于服務器、存儲器等設備。它和PC電源一樣，都是一種開關電源。服務器電源按照標準可以分為ATX電源和SSI電源兩種。ATX標準是Intel在1997年推出的一個規(guī)范，使用較為普遍，輸出功率一般在125瓦～350瓦之間主要用于臺式機、工作站和低端服務器。SSI（Server System Infrastructure）規(guī)范是Intel聯(lián)合一些主要的IA架構服務器生產(chǎn)商推出的新型服務器電源規(guī)范，SSI規(guī)范的推出是為了規(guī)范服務器電源技術，降低開發(fā)成本，延長服務器的使用壽命
  • 關鍵字： MOSFET  服務器電源  

意法半導體在意大利打造世界首個一站式碳化硅產(chǎn)業(yè)園

  • ●? ?ST將在意大利卡塔尼亞新建8英寸碳化硅功率器件和模塊大規(guī)模制造及封測綜合基地●? ?這項多年長期投資計劃預計投資總額達50億歐元，包括意大利政府按照《歐盟芯片法案》框架提供的20億歐元資金●? ?卡塔尼亞碳化硅產(chǎn)業(yè)園將實現(xiàn)ST的碳化硅制造全面垂直整合計劃，在一個園區(qū)內完成從芯片研發(fā)到制造、從晶圓襯底到模塊的碳化硅功率器件全部生產(chǎn)，賦能汽車和工業(yè)客戶的電氣化進程和高能效轉型服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體?
  • 關鍵字： 意法半導體  碳化硅  

PANJIT最新高效能60V/100V/150V車規(guī)級MOSFET系列

  • PANJIT?推出最新的60V、100V?和?150V?車規(guī)級?MOSFET，此系列通過先進的溝槽技術設計達到優(yōu)異性能和效率。此系列?MOSFET?專為汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)設計，提供優(yōu)異的品質因數(shù)（FOM），顯著降低?RDS(ON)?和電容。這確保了最低的導通和開關損耗，從而提升了整體性能。新系列?MOSFET?提供多種封裝，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、T
  • 關鍵字： PANJIT  MOSFET  

ST宣布50億歐元在意新建8英寸SiC工廠

  • 自意法半導體（STMicroelectronics）官方獲悉，當?shù)貢r間5月31日，意法半導體宣布，將在意大利卡塔尼亞新建一座大批量200mm碳化硅（SiC）工廠，用于功率器件和模塊以及測試和封裝。新碳化硅工廠的建設是支持汽車、工業(yè)和云基礎設施應用中碳化硅器件客戶向電氣化過渡并尋求更高效率的關鍵里程碑。據(jù)悉，該項目預計總投資約為50億歐元（約合人民幣392.61億元），意大利政府將提供約20億歐元的補助支持。新工廠的目標是在2026年投入生產(chǎn)，到2033年達到滿負荷生產(chǎn)，滿產(chǎn)狀態(tài)下每周可生產(chǎn)多達15,000
  • 關鍵字： ST  意大利  碳化硅  

MOSFET基本原理、參數(shù)及米勒效應全解

  • 1MOSFET基本工作原理1.1小功率MOSFET場效應管（FET）是利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，由于緊靠半導體中的多數(shù)載流子導電，又稱單極型晶體管。場效應管分為結型和絕緣柵兩種，因為絕緣柵型晶體管（MOSFET，下面簡稱MOS管）的柵源間電阻比結型大得多且比結型場效應管溫度穩(wěn)定性好、集成化時工藝簡單，因而目前普遍采用絕緣柵型晶體管。MOS管分為N溝道和P溝道兩類，每一類又分為增強型和耗盡型兩種，只要柵極-源極電壓uGS為零時漏極電流也為零的管子均屬于增強型管，只要柵極-源極
  • 關鍵字： MOSFET  參數(shù)  米勒效應  
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碳化硅 mosfet介紹

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