碳化硅文章最新資訊

Microchip與臺達電子簽署碳化硅解決方案合作協(xié)議，共創(chuàng)電源管理未來

隨著人工智能（AI）快速發(fā)展與萬物電氣化進程加速，市場對更高的電源效率與可靠性的需求持續(xù)增長。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日宣布與全球電源管理與智能綠色解決方案領導者臺達電子工業(yè)股份有限公司（Delta Electronics, Inc.）（以下簡稱“臺達電子”）簽署全新合作協(xié)議。雙方將攜手在臺達設計中應用Microchip的mSiC?產(chǎn)品與技術，通過雙方合作加速創(chuàng)新型碳化硅（SiC）解決方案、節(jié)能產(chǎn)品及系統(tǒng)的開發(fā)，助力構建更可持續(xù)的未來。Microchip負責高功
關鍵字： Microchip 臺達碳化硅 SiC 電源管理

基本半導體子公司注冊資本增至2.1億元

7月9日，深圳基本半導體股份有限公司子公司——基本封裝測試（深圳）有限公司完成工商變更登記，公司注冊資本從1000萬元大幅增至2.1億元人民幣，由母公司基本半導體和深圳市投控基石新能源汽車產(chǎn)業(yè)私募股權投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）共同注資。此舉標志著基本半導體在車規(guī)級碳化硅領域的戰(zhàn)略布局又邁出重要一步，為后續(xù)研發(fā)創(chuàng)新和產(chǎn)能擴充奠定堅實基礎。戰(zhàn)略資本加持助力新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展本次增資得到了深圳市投控基石新能源汽車產(chǎn)業(yè)基金的戰(zhàn)略支持，是對基本半導體在新能源汽車功率器件領域技術積累和市場優(yōu)勢的充分認可。該基金是
關鍵字：基本半導體碳化硅車規(guī)級

基本半導體完成1.5億元D輪融資，加速碳化硅領域布局

近日，深圳基本半導體股份有限公司（簡稱“基本半導體”）宣布完成D輪融資，融資金額達1.5億元人民幣。本輪融資由中山火炬開發(fā)區(qū)科創(chuàng)產(chǎn)業(yè)母基金與中山金控聯(lián)合投資，資金將主要用于碳化硅功率器件的技術研發(fā)、產(chǎn)能擴張以及市場拓展?；景雽w成立于2016年，是一家專注于碳化硅功率器件研發(fā)與制造的高新技術企業(yè)。其核心產(chǎn)品包括1200V/20A JBS碳化硅二極管、1200V平面柵碳化硅器件以及10kV/2A SiC PiN二極管等。這些產(chǎn)品以低損耗、高頻率等優(yōu)勢，廣泛應用于電動汽車、軌道交通、光伏逆變器和航空航天等領
關鍵字：基本半導體碳化硅

據(jù)報道，Wolfspeed 將被 Apollo 領導的債權人接管，同時競爭對手將迎來機遇

據(jù)路透社援引彭博社報道，在關于即將破產(chǎn)的傳聞出現(xiàn)近一個月后，Wolfspeed 現(xiàn)在正面臨一次重大動蕩。由 Apollo 全球管理公司領導的債權人正準備根據(jù)破產(chǎn)計劃接管公司。報道稱，這家陷入困境的碳化硅巨頭預計將在幾天內(nèi)公布一項預包裝破產(chǎn)計劃——旨在迅速削減數(shù)十億美元的債務。在鎖定重組協(xié)議后，Wolfspeed 將要求債權人就計劃進行投票，然后正式申請第 11 章保護，報道補充道。由意法半導體領導的對頭將受益根據(jù) TrendForce 的觀察，由于破產(chǎn)程序的不確定性，Wolfspeed 的 Si
關鍵字：碳化硅意法半導體功率器件

中國最大碳化硅工廠點火，可供應本地30%需求，Wolfspeed壓力很大

據(jù)當?shù)孛襟w《一財全球》和IT之家報道，據(jù)報道，美國碳化硅（SiC）巨頭 Wolfspeed 在與快速崛起的中國競爭對手的激烈競爭中徘徊在破產(chǎn)邊緣，中國最大的碳化硅晶圓廠已在武漢正式投產(chǎn)，旨在供應該國國內(nèi)產(chǎn)量的 30%。YiCai 報告稱，一個 SiC 晶圓模型的車載測試最快將于下個月開始，而另外近 10 個模型已經(jīng)在驗證中。不久之后將進行大規(guī)模生產(chǎn)和交付。IT Home 表示，該工廠的一期重點是功率器件，計劃年產(chǎn) 360,000 片 6 英寸 SiC 晶圓。另一方面，益財國際補充說，這足以支持超過 1
關鍵字：碳化硅 Wolfspeed

利用 SMFA 系列非對稱 TVS 二極管實現(xiàn)高效 SiC MOSFET 柵極保護

引言碳化硅（ SiC）MOSFET在電源和電力電子領域的應用越來越廣泛。隨著功率半導體領域的發(fā)展，開關損耗也在不斷降低。隨著開關速度的不斷提高，設計人員應更加關注MOSFET的柵極驅動電路，確保對MOSFET的安全控制，防止寄生導通，避免損壞功率半導體。必須保護敏感的MOSFET柵極結構免受過高電壓的影響。Littelfuse提供高效的保護解決方案，有助于最大限度地延長電源的使用壽命、可靠性和魯棒性。柵極驅動器設計措施關于SiC-MOSFET驅動器電路的穩(wěn)健性，有幾個問題值得考慮。除了驅動器安全切換半導
關鍵字：碳化硅 MOSFET 電源功率半導體

碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術可靠性真相

全社會都在積極推動低碳化轉型，而低碳化的背后其實是電氣化。在新型電氣能源架構中，相比于從前，一次能源到終端用戶的能源轉換次數(shù)增多。雖然可再生能源是免費的，但是這種多層級的能源轉換，每一步都會帶來一定的能耗損失，因此追求更高效的能源轉化效率至關重要。SiC正是功率半導體的能效提升技術，它的出現(xiàn)滿足了低碳化時代兩大全新的市場需求：1能效創(chuàng)新： SiC技術在光伏、儲能、數(shù)據(jù)中心等大功率電源管理領域，能夠顯著
關鍵字：英飛凌碳化硅溝槽柵技

碳化硅急需開辟電動汽車之外的第二條戰(zhàn)線

電能與智能是現(xiàn)代社會發(fā)展的兩大主題，電能如同工業(yè)文明的血液系統(tǒng)，提供物理世界運行的能量基礎，智能恰似數(shù)字文明的神經(jīng)網(wǎng)絡，構建數(shù)字空間的決策中樞。作為電能轉換的智能開關，功率半導體在構建現(xiàn)代社會能源體系中發(fā)揮著關鍵性的樞紐作用，通過對電壓、電流和頻率的精準調(diào)控，功率半導體可以有效地提升電能轉換效率。經(jīng)過七十年的發(fā)展，功率半導體經(jīng)歷了兩次大的技術升級，第一次是以硅基IGBT 和CoolMOS為代表的第二代功率器件替代以可控硅晶閘管和MOSFET為代表的第一代功率器件，由于同屬硅基材料體系，第二代功率器件兼具成
關鍵字： 202504 碳化硅電動汽車

碳化硅能效革命核心突破點：共源共柵（cascode）結構詳解

安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場效應晶體管（SiC JFET cascode）在硬開關與軟開關應用場景中展現(xiàn)出顯著技術優(yōu)勢。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應用指南》系列文檔，通過三篇技術解析深入剖析器件特性，本文作為開篇之作，將聚焦闡釋cascode結構的核心機理。該指南不僅系統(tǒng)闡述共源共柵器件的拓撲架構，更對關鍵電參數(shù)、獨特性能優(yōu)勢及設計支持體系進行全方位解讀，為功率半導體開發(fā)者提供從基礎理論到實踐應用的完整技術指引。Cascode簡介碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）相比其
關鍵字：安森美碳化硅共源共柵 cascode

碳化硅技術賦能EA10000系列電源的技術解析與優(yōu)勢對比

_____為了減緩氣候變化，人類在非化石燃料和可再生能源解決方案方面取得了顯著進展，交通領域的電氣化進程也在加速推進。這些新興技術大多對電源提出了更高的要求，尤其是對大功率的需求。例如，電動汽車（EV）的電池包電壓已高達900 VDC以上，容量可達95kWh；快充和超充系統(tǒng)功率更是輕松突破240kW。氫燃料電池堆作為另一種汽車供電技術，其功率可超過500kW，電流高達1000A。市場需求下的挑戰(zhàn)一方面，我們需要擺脫化石燃料，另一方面，全球能耗又在不斷攀升。服務器農(nóng)場就是一個能源需求更高的例子。為了有足夠的
關鍵字：碳化硅碳化硅MOSFET

為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？

簡介電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優(yōu)勢（圖1），這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術。圖 1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術？眾多終端產(chǎn)品制造商已選擇碳化硅技術替代傳統(tǒng)硅技術，基于雙極結型晶體
關鍵字：碳化硅 Cascode

為什么碳化硅Cascode JFET可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？

簡介電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優(yōu)勢（圖1），這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術。特性Si4H-SiCGaN禁帶能量（eV）1.123.263.50電子遷移率(cm2/Vs)14009001250空穴遷移率(cm2/Vs)600100200
關鍵字：碳化硅 Cascode JFET 碳化硅安森美

三安與意法半導體重慶8英寸碳化硅晶圓合資廠正式通線

服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST) ，和中國化合物半導體龍頭企業(yè)（涵蓋LED、碳化硅、光通信、RF、濾波器和氮化鎵等產(chǎn)品）三安光電近日宣布，雙方在重慶設立的8英寸碳化硅晶圓合資制造廠（即“安意法半導體有限公司”，以下簡稱安意法）現(xiàn)已正式通線。這一里程碑標志著意法半導體和三安正朝著于2025年年底前實現(xiàn)在中國本地生產(chǎn)8英寸碳化硅這一目標穩(wěn)步邁進，屆時將更好地滿足中國新能源汽車、工業(yè)電源及能源等市場對碳化硅日益增長的需求。三安光電和意法
關鍵字：安意法意法半導體碳化硅碳化硅晶圓

碳化硅與硅：為什么 SiC 是電力電子的未來

在這里，我們比較了碳化硅（SiC）與硅以及在汽車和可再生能源等行業(yè)的電力電子中的應用。我們將探討硅和碳化硅之間的顯著差異，并了解 SiC 為何以及如何塑造電力電子的未來。硅（Si）到碳化硅（SiC）：改變電力電子的未來電力電子技術在過去幾年中取得了前所未有的進步。硅（Si）等傳統(tǒng)半導體材料一直主導著電力電子和可再生能源行業(yè)。然而，碳化硅（SiC）的出現(xiàn)徹底改變了這一領域，為卓越的性能和效率鋪平了道路。無與倫比的效率、熱性能和高壓能力使碳化硅成為用于電子和半導體器件的下一代半導體材料。硅與
關鍵字：碳化硅 SiC 電力電子

800V與碳化硅成為新能源汽車電驅的新寵，器件性能與可靠性還有上升空間

1 我國能源汽車已突破1000萬輛，今年將增長24%據(jù)賽迪顧問 2024 年 12 月發(fā)布的數(shù)據(jù)預測顯示，我國新能源汽車的新車全球市占率有望穩(wěn)居七成以上，我國從汽車大國邁向汽車強國的步伐更加堅實。據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2024年我國汽車產(chǎn)銷分別完成3128.2萬輛和3143.6萬輛，同比分別增長3.7％和4.5％，繼續(xù)保持在3000萬輛以上規(guī)模，產(chǎn)銷總量連續(xù)16年穩(wěn)居全球第一。其中，新能源汽車產(chǎn)銷首次突破1000萬輛，分別達到1288.8萬輛和1286.6萬輛，同比分別增長34.4％和35.5
關鍵字：電驅碳化硅 SiC 新能源汽車 800V

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碳化硅介紹

碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。制造由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。發(fā)現(xiàn) 愛德華·古德里希·艾其遜在1893年制造出此化合物，并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術仍為眾人使用中。性質(zhì) 碳化硅至少有70種 [ 查看詳細 ]