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海力士
海力士 文章 進(jìn)入海力士技術(shù)社區(qū)
韓國(guó)海力士宣布關(guān)閉美國(guó)8英寸芯片廠
- 遭遇價(jià)格暴跌的全球內(nèi)存芯片市場(chǎng)，仍未見(jiàn)正面轉(zhuǎn)機(jī)，這一領(lǐng)域的企業(yè)，已是哀鴻遍野，正在尋求停產(chǎn)，或者變賣(mài)生產(chǎn)設(shè)備，連全球巨頭也未能擺脫這一局面。 昨天，全球第二大內(nèi)存芯片企業(yè)韓國(guó)海力士公司發(fā)表聲明說(shuō)，9月份之前，公司將停工、關(guān)閉旗下位于美國(guó)俄勒岡州Eugene市的8英寸工廠，并考慮出售生產(chǎn)。理由是，由于內(nèi)存芯片價(jià)格繼續(xù)暴跌，公司全球今年銷(xiāo)售額可能大幅下滑9%。 而由于公司12英寸工廠投產(chǎn)速度快于預(yù)期，產(chǎn)能已出現(xiàn)嚴(yán)重過(guò)剩，這使得8英寸工廠的生產(chǎn)已經(jīng)不具有任何成本優(yōu)勢(shì)。海力士說(shuō)，關(guān)閉工廠有利成本縮
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全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)放緩但前景仍然看好
- 美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）日前發(fā)表半年度研究報(bào)告指出，受內(nèi)存IC產(chǎn)業(yè)的拖累，08年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售整體增長(zhǎng)放緩，不過(guò)半導(dǎo)體銷(xiāo)售額在2011年前仍將保持強(qiáng)勁增長(zhǎng)，2011年銷(xiāo)售額將從08年的2666億美元增長(zhǎng)到3241億美元。 SIA表示，雖然內(nèi)存IC市場(chǎng)價(jià)格走勢(shì)疲軟繼續(xù)導(dǎo)致整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受壓，但由于PC、移動(dòng)設(shè)備和其它消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域?qū)Π雽?dǎo)體的需求旺盛，半導(dǎo)體總體產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額將保持強(qiáng)勁增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)08-11年芯片銷(xiāo)售額的復(fù)合年增率為6.1%。其中，今年P(guān)C總體銷(xiāo)量有望達(dá)到3億臺(tái)左右，手機(jī)單位出貨量預(yù)
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海力士半導(dǎo)體江蘇無(wú)錫廠停電4小時(shí) 半數(shù)晶圓報(bào)廢
- 有消息傳出，韓國(guó)內(nèi)存芯片大廠海力士（Hynix）大陸江蘇無(wú)錫DRAM制造晶圓廠區(qū)21日下午不明原因停電超過(guò)四個(gè)小時(shí)，當(dāng)?shù)卦庐a(chǎn)能10萬(wàn)片的12英寸晶圓廠本月恐半數(shù)會(huì)晶圓會(huì)報(bào)廢，沖擊全球DRAM供給約1%。 由于目前正邁入旺季庫(kù)存補(bǔ)貨期，業(yè)界已開(kāi)始憂心客戶端會(huì)出現(xiàn)恐慌性買(mǎi)盤(pán)進(jìn)場(chǎng)，造成短期DRAM價(jià)格急拉。DRAM業(yè)者表示，以過(guò)去經(jīng)驗(yàn)來(lái)看，雖然晶圓廠多有不斷電系統(tǒng)，但在停電的瞬間，仍無(wú)法滿足每一道制程所需的電力需求，尤其四個(gè)小時(shí)以上的停電，關(guān)鍵機(jī)臺(tái)都將停擺，原本在生產(chǎn)在線的晶圓都要報(bào)廢，損失相當(dāng)大，若
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存儲(chǔ)器大廠意外頻發(fā)“穩(wěn)定”行業(yè)價(jià)格
- 近期記憶體業(yè)者常幽默指出，以后DRAM和NAND型快閃記憶體(Flash)產(chǎn)業(yè)可能只有2種方法可帶動(dòng)價(jià)格，一是每年1次的晶圓廠跳電事件，帶來(lái)的“自然減產(chǎn)機(jī)制”，使得上游供給減少，二是記憶體廠制程凸捶，導(dǎo)致的供給大減，尤其DRAM產(chǎn)業(yè)這么依賴個(gè)人電腦(PC)的成長(zhǎng)性，很難再出現(xiàn)需求大好的情況，只好想盡辦法讓供給減少，維持價(jià)格秩序。 意外事件＋制程出錯(cuò) 穩(wěn)定價(jià)格的捷徑 2007年8月三星電子(Samsung Electronics)廠房意外電線走火，導(dǎo)致NAND Fla
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三星減少NAND閃存供貨量 擬甩掉臺(tái)灣廠商
- 近期，三星和海力士(Hynix)面向臺(tái)灣的NAND閃存芯片供貨量有所下降，另一方面，英特爾和Micron的合資公司IM則推出了更具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格并逐步搶占市場(chǎng)，許多分析人士認(rèn)為未來(lái)閃存市場(chǎng)或許將會(huì)出現(xiàn)另一番局面。 三星和海力士減少向臺(tái)灣內(nèi)存廠商的供貨量，是為了滿足蘋(píng)果這類(lèi)國(guó)際大客戶的供貨需求。東芝也限制了供應(yīng)量，唯獨(dú)沒(méi)有對(duì)群聯(lián)電子(Phison Electronics)采取限制措施，這使得不少臺(tái)灣企業(yè)開(kāi)始考慮降低對(duì)大廠商產(chǎn)品的依賴。 一些臺(tái)灣內(nèi)存廠商指出，它們都不愿意繼續(xù)向三星和海力士采購(gòu)，
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傳華潤(rùn)上華購(gòu)首鋼NEC 首鋼或退出半導(dǎo)體業(yè)
- 繼9月從無(wú)錫海力士-意法半導(dǎo)體手中接過(guò)8英寸生產(chǎn)線設(shè)備之后，芯片制造商無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司(0597.HK，下稱(chēng)華潤(rùn)上華)再次出手。 記者近日從接近華潤(rùn)集團(tuán)高層的業(yè)內(nèi)人士處獲悉，華潤(rùn)集團(tuán)欲收購(gòu)首都鋼鐵集團(tuán)旗下半導(dǎo)體業(yè)務(wù)公司——首鋼日電電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“首鋼NEC”)的大部分股權(quán)，并將把這部分資產(chǎn)注入華潤(rùn)控股的芯片制造企業(yè)華潤(rùn)上華。 “收購(gòu)價(jià)格還沒(méi)有最終確定?！鄙鲜鲋槿耸客嘎?，但是華潤(rùn)上華有著強(qiáng)烈意愿，華潤(rùn)集團(tuán)也非常支持，目前華潤(rùn)與首鋼NEC已達(dá)成初步交易意向。 首鋼NEC
- 關(guān)鍵字： 消費(fèi)電子 意法半導(dǎo)體 海力士 NEC 半導(dǎo)體材料
我國(guó)IC芯片生產(chǎn)線達(dá)50條 應(yīng)繼續(xù)鼓勵(lì)發(fā)展
- 到2007年8月底，“十一五”規(guī)劃期的五年時(shí)間已過(guò)去了1/3，謹(jǐn)在此回顧一下這段時(shí)間內(nèi)我國(guó)IC芯片線建設(shè)的進(jìn)展?fàn)顩r。 2005年底，我國(guó)共有40條IC芯片線在運(yùn)轉(zhuǎn)，其中有1條12英寸線，9條8英寸線，8條6英寸線，8條5英寸線，14條4英寸線。從2006年1月至2007年8月期間，我國(guó)建成投入運(yùn)營(yíng)11條IC芯片線，但由于原有的1條生產(chǎn)線停止運(yùn)營(yíng)，因此，凈增10條線，總計(jì)達(dá)到50條線。 經(jīng)統(tǒng)計(jì)，2006年1月至2007年8月期間投入運(yùn)營(yíng)的，計(jì)有1條
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海力士半導(dǎo)體DRAM產(chǎn)品獲得 ISi存儲(chǔ)技術(shù)授權(quán)
- 海力士已經(jīng)同意在其動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技術(shù)。采用Z-RAM的DRAM將使用一種單晶體管位單元，來(lái)替代多個(gè)晶體管和電容器的組合，這代表了自上世紀(jì)70年代初發(fā)明DRAM來(lái)，基本DRAM位單元實(shí)現(xiàn)了首次變革。海力士已經(jīng)獲得了搶先將Z-RAM引入DRAM市場(chǎng)的機(jī)會(huì)。為確保這項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，兩家公司已經(jīng)投入相當(dāng)大的工程資源共同開(kāi)發(fā)該項(xiàng)目。 Z-RAM最初作為全球成本最低的嵌入式內(nèi)存技術(shù)而應(yīng)用于邏輯芯片，如移動(dòng)芯片組、微處
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半導(dǎo)體制造大門(mén)向中國(guó)敞開(kāi)？
- 海力士與ST的合資晶圓制造廠終于落戶無(wú)錫，這座占地800余畝的新廠位于無(wú)錫新區(qū)，主要制造NAND閃存和DRAM存儲(chǔ)器芯片。這個(gè)晶圓廠的一期工程總投資為20億美元，成為迄今為止我國(guó)單體投資最大的半導(dǎo)體項(xiàng)目，同時(shí)它也是無(wú)錫市政府引進(jìn)的江蘇省最大的外商獨(dú)資項(xiàng)目，因此被無(wú)錫當(dāng)?shù)氐膱?bào)紙稱(chēng)為“晶圓航母”。新工廠一投產(chǎn)運(yùn)營(yíng)，馬上就可以量產(chǎn)最先進(jìn)的12英寸的70nm晶圓，而且未來(lái)４期項(xiàng)目的總投資額將有望超過(guò)１００億美元。 業(yè)界一些專(zhuān)家和權(quán)威人士也對(duì)這個(gè)項(xiàng)目普遍稱(chēng)道，認(rèn)為該項(xiàng)目將使中國(guó)和世界半導(dǎo)體頂尖技術(shù)的差距縮短５～１０
- 關(guān)鍵字： ＩＣ產(chǎn)業(yè) ST 半導(dǎo)體 海力士 晶圓 其他IC 制程
2006年10月，無(wú)錫海力士意法半導(dǎo)體在無(wú)錫正式投產(chǎn)
- 2006年10月，無(wú)錫海力士意法半導(dǎo)體在無(wú)錫正式投產(chǎn)。
- 關(guān)鍵字： 海力士 意法半導(dǎo)體
海力士與ST為合資存儲(chǔ)器芯片制造廠舉行落成典禮
- 意法半導(dǎo)體公司和另一家大型半導(dǎo)體廠商海力士半導(dǎo)體為在中國(guó)江蘇省無(wú)錫市合資建立的存儲(chǔ)器芯片前端制造廠舉行了正式的開(kāi)業(yè)典禮。中國(guó)地方及國(guó)家領(lǐng)導(dǎo)參加了開(kāi)業(yè)典禮。 這個(gè)技術(shù)先進(jìn)的新工廠將負(fù)責(zé)制造NAND閃存和DRAM存儲(chǔ)器芯片，該合資公司是海力士與意法半導(dǎo)體成功合作的結(jié)晶。合資雙方將獲得規(guī)模經(jīng)濟(jì)帶來(lái)的巨大的經(jīng)濟(jì)效益，將能提前進(jìn)入飛速增長(zhǎng)的中國(guó)市場(chǎng)，在制造工藝和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)上實(shí)現(xiàn)優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)。無(wú)錫晶圓制造廠將加快
- 關(guān)鍵字： ST為 存儲(chǔ)器芯片制造廠 單片機(jī) 海力士 合資 落成典禮 嵌入式系統(tǒng) 通訊 網(wǎng)絡(luò) 無(wú)線 存儲(chǔ)器
海力士2006年4月啟用無(wú)錫半導(dǎo)體廠
- 海力士與意法半導(dǎo)體合資興建的江蘇無(wú)錫半導(dǎo)體廠，將在明年4月著手量產(chǎn)。 韓國(guó)業(yè)界相關(guān)人員近日指出，據(jù)傳海力士最快將在明年第一季底，最遲將在明年第二季初啟用無(wú)錫廠。無(wú)錫廠將以生產(chǎn)DRAM為主，NAND型閃存則將視市場(chǎng)需求彈性生產(chǎn)。 無(wú)錫廠區(qū)達(dá)16萬(wàn)平方米，海力士計(jì)劃投入2兆韓元以上興建一座八吋晶圓廠與一座12吋晶圓廠。明年4月將啟用的為8吋晶圓廠，將采用9
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海力士介紹
海力士半導(dǎo)體公司（Hynix，諺文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韓國(guó)的電子公司，全球二十大半導(dǎo)體銷(xiāo)量巨頭之一。海力士于1983年以現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)有限公司的名字創(chuàng)立。在80及90年代 他們專(zhuān)注于銷(xiāo)售DRAM，后來(lái)是SDRAM。2001年他們以6億5000萬(wàn)美元的價(jià)格出售TFT LCD業(yè)務(wù)，同年他們開(kāi)發(fā)出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。
價(jià)格操控與處份
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