存儲(chǔ)器文章最新資訊

新一代非易失性存儲(chǔ)器——NVSRAM的原理和應(yīng)用

摘要：本文介紹了針對(duì)高端存儲(chǔ)應(yīng)用的最新非易失性存儲(chǔ)器NVSRAM?？梢愿鶕?jù)應(yīng)用要求以及功能需要選擇最佳的非易失性存儲(chǔ)器架構(gòu)。關(guān)鍵詞： Flash；EEPROM；SRAM；NVSRAM 概述眾所周知，在非易失性存儲(chǔ)器領(lǐng)域，市場(chǎng)熱度節(jié)節(jié)攀升。近日，SRAM家族又增加了新的成員—NVSRAM。NVSRAM 為 Non-volatile SRAM縮寫(xiě)，即為非易失性SRAM。本文將比較各類(lèi)非易失性存儲(chǔ)器，并介紹NVSRAM的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)， NVSRAM 的應(yīng)用以及工作方式。非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用
關(guān)鍵字： 0701_A NVSRAM SRAM 消費(fèi)電子雜志_技術(shù)長(zhǎng)廊存儲(chǔ)器消費(fèi)電子

MRAM：內(nèi)存的新潮流(上)

摘要： Freescale運(yùn)用自旋電子技術(shù)制作了新的非易失性RAM，本文對(duì)此進(jìn)行了詳細(xì)介紹。關(guān)鍵詞： MRAM；自旋電子；位線；字線在半導(dǎo)體業(yè)界，微處理器是一種更有魅力，利潤(rùn)更高，而且更難以設(shè)計(jì)的產(chǎn)品，而內(nèi)存芯片在推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)向前發(fā)展的過(guò)程中則會(huì)起到關(guān)鍵性的作用。Intel早期的成功，來(lái)源于其1970年推出的、當(dāng)時(shí)業(yè)界第一款DRAM芯片，1kb的1103。兩年后，1103成為業(yè)界銷(xiāo)售情況最好的內(nèi)存芯片，在很多新的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中取代了磁芯存儲(chǔ)器。DRAM在過(guò)去的歲月中成為半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展
關(guān)鍵字： 0701_A MRAM 消費(fèi)電子雜志_技術(shù)長(zhǎng)廊存儲(chǔ)器消費(fèi)電子

首款單碟60GB 1.8英寸硬盤(pán)面世

希捷科技公司日前宣布，開(kāi)始向全球客戶(hù)發(fā)售其Lyrion硬盤(pán)。Lyrion作為業(yè)內(nèi)首款單碟60GB 1.8英寸硬盤(pán)在容量方面實(shí)現(xiàn)了突破，采用了垂直記錄技術(shù)，厚度只有5毫米。由于消費(fèi)者在日常生活中越來(lái)越依賴(lài)于他們的消費(fèi)電子設(shè)備，包括個(gè)人媒體播放器、便攜式導(dǎo)航系統(tǒng)、數(shù)字視頻照相機(jī)或便攜式存儲(chǔ)設(shè)備，因此在這些設(shè)備中裝備高可靠性硬盤(pán)變得越來(lái)越重要，而這些硬盤(pán)必須具備專(zhuān)門(mén)為便攜式手持設(shè)備市場(chǎng)設(shè)計(jì)的功能。據(jù)悉，
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DRAM 8英寸線趨減 IC制造須理性突圍

　　DRAM 8英寸線將逐漸退出　　隨著半導(dǎo)體工藝制程技術(shù)的進(jìn)步，90納米及以下制程產(chǎn)品的比重增大以及12英寸硅片的優(yōu)越性逐漸擴(kuò)大，首先在競(jìng)爭(zhēng)最激烈的存儲(chǔ)器制造中呈現(xiàn)。　　臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體的黃崇仁表示，2006年是轉(zhuǎn)折點(diǎn)，DRAM中的8英寸芯片性?xún)r(jià)比已不具有優(yōu)勢(shì)，一批較早的8英寸芯片廠，已無(wú)法采用0.11微米工藝來(lái)制造512Mb的DDR2存儲(chǔ)器。　　臺(tái)灣拓璞產(chǎn)業(yè)研究所最近發(fā)表的看法認(rèn)為，五大集團(tuán)三星、美光、海力士、英飛凌及爾必達(dá)主導(dǎo)了全球的DRAM業(yè)，全球DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)應(yīng)用中，有
關(guān)鍵字： 8英寸 DRAM IC制造單片機(jī) 理性突圍嵌入式系統(tǒng) 存儲(chǔ)器

適用于圖像檢測(cè)壓縮系統(tǒng)的內(nèi)存存取方式

為了兼具可擴(kuò)展性和數(shù)據(jù)處理速度，對(duì)于各種應(yīng)用，如圖像數(shù)據(jù)偵錯(cuò)、視頻數(shù)據(jù)壓縮、音頻數(shù)據(jù)增益、馬達(dá)控制等，可編程數(shù)據(jù)處理模塊(Programmable Data Processing Module)是時(shí)勢(shì)所需。在處理的數(shù)據(jù)量越來(lái)越大的情況下，所需的內(nèi)存容量隨之增大，以往的先進(jìn)先出隊(duì)列(First-In-First-Out, FIFO)無(wú)法滿足其高速度與大容量的需求，許多硬件工程師開(kāi)始考慮使用DRAM的可能性。DRAM具備可快速存取、可依照設(shè)計(jì)者規(guī)劃使用空間、大容量等優(yōu)點(diǎn)，但是內(nèi)存數(shù)組需要重新充電，而雙倍數(shù)據(jù)速
關(guān)鍵字：測(cè)量測(cè)試消費(fèi)電子存儲(chǔ)器消費(fèi)電子

DRAM 8英寸生產(chǎn)線趨減 IC制造須理性突圍

　　推動(dòng)全球半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)步的兩個(gè)輪子，一個(gè)是縮小特征尺寸，另一個(gè)是增大硅片直徑，通?？偸且圆粩嗟乜s小特征尺寸為先。如今，全球正進(jìn)入12英寸，65納米芯片生產(chǎn)線的興建高潮，業(yè)界正在為何時(shí)進(jìn)入18英寸硅片生產(chǎn)展開(kāi)可行性討論。在此前提下，業(yè)界關(guān)心全球8英寸芯片生產(chǎn)線的現(xiàn)狀，以及何時(shí)將退出歷史舞臺(tái)。縱觀全球半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的歷史過(guò)程，進(jìn)入8英寸硅片時(shí)代約于1997年。通常每種硅片的生存周期在20年左右，所以8英寸硅片目前仍處于平穩(wěn)發(fā)展時(shí)段，顯然90納米及65納米產(chǎn)品已開(kāi)始上升。 &
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微型硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)技術(shù)與嵌入式應(yīng)用整合方案

目前，硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器采用的主流接口是高技術(shù)配置接口標(biāo)準(zhǔn)(ATA)，即IDE接口，而且絕大多數(shù)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器都采用了并行ATA接口。部分硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器同時(shí)也支持CF (Compact Flash)規(guī)范、安全數(shù)字輸入/輸出(SDIO)標(biāo)準(zhǔn)和串行ATA規(guī)范。由于并行ATA和CF是便攜手持市場(chǎng)的最普遍的兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，因此本文側(cè)重討論這兩個(gè)規(guī)范。CF 3.0規(guī)范能夠在與標(biāo)準(zhǔn)IDE完全相同的真IDE模式下操作。與CF2.1相比，CF3.0增加了極端直接內(nèi)存訪問(wèn)(Ultra DMA)模式。通常，硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器并不需要支持所有的模式。目前，
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內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器MCM69C232及其應(yīng)用

內(nèi)容可尋址存儲(chǔ)器cam（content-addressable memory）是以?xún)?nèi)容進(jìn)行尋址的存儲(chǔ)器，是一種特殊的存儲(chǔ)陣列ram，它的主要工作機(jī)制就是將一個(gè)輸入數(shù)據(jù)項(xiàng)與存儲(chǔ)在cam中的所有數(shù)據(jù)項(xiàng)自動(dòng)同時(shí)進(jìn)行比較，判別該輸入數(shù)據(jù)項(xiàng)與cam中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)項(xiàng)是否相匹配，并輸出該數(shù)據(jù)項(xiàng)對(duì)應(yīng)的匹配信息，美國(guó)motorola公司的cam芯片mcm69c232在市場(chǎng)上是性?xún)r(jià)比較高的產(chǎn)品，因而被廣泛地應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)通信，模式識(shí)別等領(lǐng)域，其用于數(shù)據(jù)檢索的優(yōu)勢(shì)是軟件無(wú)法比擬的，可以極大的提高系統(tǒng)性能。 1 mcm69c
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用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)SRAM工藝FPGA的加密應(yīng)用

　　在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級(jí)特性，而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用sram工藝，要求每次上電，對(duì)fpga器件進(jìn)行重配置，這就使得可以通過(guò)監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進(jìn)行克隆設(shè)計(jì)。因此，在關(guān)鍵、核心設(shè)備中，必須采用加密技術(shù)保護(hù)設(shè)計(jì)者的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。 1　基于sram工藝fpga的保密性問(wèn)題　　通常，采用sram工藝的fpga芯片的的配置方法主要有三種：由計(jì)算機(jī)通過(guò)下載電纜配置、用專(zhuān)用配置芯片（如altera公司的epcx系列芯片）配置、采用
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SDRAM控制器的設(shè)備與VHDL實(shí)現(xiàn)

在高速實(shí)時(shí)或者非實(shí)時(shí)信號(hào)處理系統(tǒng)當(dāng)中，使用大容量存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)緩存是一個(gè)必不可少的環(huán)節(jié)，也是系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)中的重點(diǎn)和難點(diǎn)之一。sdram（同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器）具有價(jià)格低廉、密度高、數(shù)據(jù)讀寫(xiě)速度快的優(yōu)點(diǎn)，從而成為數(shù)據(jù)緩存的首選存儲(chǔ)介制裁。但是sdram存儲(chǔ)體結(jié)構(gòu)與ram有較大差異，其控制時(shí)序和機(jī)制也較復(fù)雜，限制了sdram的使用。目前，雖然一些能家長(zhǎng)微處理器提供了和sdram的透明接口，但其可擴(kuò)展性和靈活性不夠，難以滿足現(xiàn)實(shí)系統(tǒng)的要求，限制了sdram的使用。在詳細(xì)闡讀sdram數(shù)據(jù)文檔的前提下
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OTPROM型單片機(jī)內(nèi)內(nèi)部存儲(chǔ)器的使用研究

隨著變頻調(diào)速以及微機(jī)控制技術(shù)的發(fā)展，適應(yīng)電機(jī)控制的intel 8xc196mc系列單片機(jī)應(yīng)用越來(lái)越廣泛。與80c196mc相比，87c196mc單片機(jī)帶有16 kb的otprom(one tline programmable read-only memory)，可以進(jìn)行片內(nèi)編程操作，而且可以增強(qiáng)加密功能。對(duì)于普通的控制系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，其存儲(chǔ)容量足夠大，不必再使用外部擴(kuò)展存儲(chǔ)器。然而87c196mc單片機(jī)的otprom存在一個(gè)缺點(diǎn)：不可擦除，也就是說(shuō)只能編程一次，不能實(shí)現(xiàn)重復(fù)編程，不利于大量普及使
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基于CPLD的容錯(cuò)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

隨著各種電路和芯片的性能(速度、集成度等)不斷提高，尤其是在軍事、航空航天等用途中對(duì)可靠性的要求往往是第一位的，人們對(duì)于系統(tǒng)的可靠性方面的要求日益增加，這對(duì)電路系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和制造都提出了嚴(yán)格的目標(biāo)要求。存儲(chǔ)器是電路系統(tǒng)中最常用的器件之一，采用大規(guī)模集成電路存儲(chǔ)芯片構(gòu)成。實(shí)際統(tǒng)計(jì)表明，存儲(chǔ)器在太空應(yīng)用中的主要錯(cuò)誤是由瞬態(tài)錯(cuò)誤(也叫單個(gè)事件擾動(dòng)，seu)所引起的一位錯(cuò)[1]或者相關(guān)多位錯(cuò)，而隨機(jī)獨(dú)立的多位錯(cuò)誤極少。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的錯(cuò)誤大體上分為硬錯(cuò)誤和軟錯(cuò)誤，其中主要為軟錯(cuò)誤。硬錯(cuò)誤所表現(xiàn)的現(xiàn)象是在
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基于Submerge Frame方法的CAN－以太網(wǎng)網(wǎng)關(guān)

以太網(wǎng)憑借其成本低、開(kāi)放性強(qiáng)以及具有廣泛的開(kāi)發(fā)、應(yīng)用軟硬件支持等明顯優(yōu)勢(shì)，已經(jīng)成為目前應(yīng)用最為廣泛的局域網(wǎng)絡(luò)技術(shù)之一，而can總線也以星火燎原之勢(shì)成為應(yīng)用最普遍的現(xiàn)場(chǎng)總線之一[1]。由于can總線的傳輸速率受到傳輸距離的限制，在應(yīng)用中往往以can總線作為現(xiàn)場(chǎng)控制局部網(wǎng)絡(luò)，連接現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)控設(shè)備和高級(jí)智能設(shè)備，而將以太網(wǎng)作為企業(yè)信息傳輸主干網(wǎng)，連接各個(gè)現(xiàn)場(chǎng)控制局部網(wǎng)絡(luò)，傳統(tǒng)的can－以太網(wǎng)網(wǎng)關(guān)往往無(wú)法適應(yīng)較大規(guī)模和重網(wǎng)絡(luò)負(fù)荷環(huán)境，本文對(duì)在不改變操作系統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)協(xié)議且不增加硬件成本的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)高效的can總線的以太網(wǎng)
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FM20L08型鐵電存儲(chǔ)器的原理及應(yīng)用

1 引言在一些需要下位機(jī)單獨(dú)工作的場(chǎng)合（如汽車(chē)行駛記錄儀、高速存儲(chǔ)測(cè)試設(shè)備等），其數(shù)據(jù)的高速存儲(chǔ)和掉電不丟失尤為重要，ramtron公司推出的fm20l08型非易失性鐵電存儲(chǔ)器除具有其他鐵電存儲(chǔ)器的一般特點(diǎn)外，彌補(bǔ)了已有鐵電存儲(chǔ)器存儲(chǔ)量小的缺點(diǎn)，其數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量達(dá)1mb，可完全代替標(biāo)準(zhǔn)異步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（sram）。 2 fm20l08的特點(diǎn)和引腳功能 fm20l08型非易失性鐵電存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量為128k×8位，和無(wú)限次擦寫(xiě)，掉電后數(shù)據(jù)可保存10年，工作電壓為3v
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液晶顯示器漢字字模存儲(chǔ)方法

液晶顯示器件（lcd）獨(dú)具的低壓、微功耗特性使他在單片機(jī)系統(tǒng)中特得到了廣泛的應(yīng)用，常用的液晶顯示模塊分為數(shù)顯液晶模塊、點(diǎn)陣字符液晶模塊和點(diǎn)陣圖形液晶模塊，其中圖形液晶模塊在我國(guó)應(yīng)用較為廣泛，因?yàn)闈h字不能象西文字符那樣用字符模塊即可顯示，要想顯示漢字必須用圖形模塊。 1 液晶模塊顯示漢字方法使用圖形液晶模塊以點(diǎn)陣形式來(lái)顯示漢字和圖形，每8個(gè)點(diǎn)組成1個(gè)字節(jié)，每個(gè)點(diǎn)用一個(gè)二進(jìn)制位表示，存1的點(diǎn)顯示時(shí)在屏上顯示一個(gè)亮點(diǎn)，存0的點(diǎn)則在屏上不顯示，最常用的16×16的漢字點(diǎn)陣由32個(gè)字節(jié)組成。
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]