存儲器文章最新資訊

松下推出第六級速度規(guī)格的SD/SDHC記憶卡

　　松下電子消費(fèi)品公司宣布計(jì)劃推出新款的高速SD記憶卡，速度6級，記憶容量規(guī)格分別為1GB/2GB/4GB。預(yù)計(jì)于2007年2月在全球進(jìn)行這些新款記憶卡的銷售。　　SD/SDHC兼容器件的質(zhì)量、產(chǎn)銷正處于上升期，這要求產(chǎn)品要有更快的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換速度以及更大的儲存空間。為了滿足這些需求，松下即將推出新款高速SD卡，速度等級達(dá)到6級。依據(jù)SD卡協(xié)會的標(biāo)準(zhǔn)，SD速度等級共有三類，6級是其中速度最快的一類。　　新款的高速SD卡擁有高速的數(shù)據(jù)寫入能力，使高級SD/SDHC兼容設(shè)備可以提供更為穩(wěn)定和有效的功能
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基于C8051F320 USB接口的數(shù)據(jù)采集存儲電路

摘要：介紹采用C8051F320 SOC與AM45DB321構(gòu)成數(shù)據(jù)采集存儲系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案。關(guān)鍵詞：數(shù)據(jù)采集；USB接口；存儲電路；SOC 在一些特殊的工業(yè)場合，有時(shí)需要將傳感器的信號不斷的實(shí)時(shí)采集和存儲起來，并且到一定時(shí)間再把數(shù)據(jù)回放到PC機(jī)中進(jìn)行分析和處理。在工作環(huán)境惡劣的情況下采用高性能的單片機(jī)和工業(yè)級大容量的FLASH存儲器的方案恐怕就是最適當(dāng)?shù)倪x擇了。CYGNAL公司的C8051F320 SOC是一種具有8051內(nèi)核的高性能單片機(jī)，運(yùn)行速度為普通8051的12倍。該芯
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TI高性能DSP以更低成本實(shí)現(xiàn)存儲器容量與I/O帶寬提高一倍

日前，德州儀器宣布推出低成本、高性能 TMS320C6454 DSP，使設(shè)計(jì)人員在同等價(jià)格下獲得更高性能的 DSP 。全新 1 GHz C6454 DSP 建立在增強(qiáng)型TMS320C64x+TM DSP 內(nèi)核與 TI 最高性能 DSP 架構(gòu)基礎(chǔ)之上，針對各種基礎(chǔ)局端設(shè)備應(yīng)用，
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ARM發(fā)布基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲器接口IP

ARM發(fā)布首款可即量產(chǎn)的基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲器接口IP Velocity DDR存儲器接口獲得TSMC IP質(zhì)量認(rèn)證 ARM公司發(fā)布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2（1/2）存儲器接口，支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲器接口是第一個(gè)通過TSMC IP質(zhì)量安全測試的9
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從嵌入式應(yīng)用看存儲器的技術(shù)發(fā)展趨勢

針對嵌入式應(yīng)用　看市面存儲器的技術(shù)發(fā)展趨勢存儲器是整個(gè)嵌入式系統(tǒng)中最重要的一個(gè)媒體，不但肩負(fù)有指令緩沖的責(zé)任，也同時(shí)兼具儲存、管理、甚至是加速等作用，依照存儲器種類的區(qū)分，利用不同的設(shè)計(jì)與實(shí)作方式，來決定其不同的使用目的?！≡诩铀儋Y料處理方面，從大家耳熟能詳?shù)腟RAM、1T-SRAM到PSRAM、eDRAM等，分別都使用了不同的技術(shù)來達(dá)到符合特定應(yīng)用的目的，而為了SoC/SiP的儲存需求，內(nèi)嵌快閃存儲器也成了降低設(shè)計(jì)成本、降低體積的絕妙方式?！隼?/li>
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Ramtron推出汽車級16Kb SPI接口FRAM器件

Ramtron推出汽車級16Kb SPI 接口FRAM 器件FM25C160 滿足汽車電子AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證此款產(chǎn)品豐富了適用于嚴(yán)苛汽車環(huán)境的汽車級產(chǎn)品陣容 Ramtron International 公司宣布其16Kb、5V、SPI FRAM存儲器件FM25C160已經(jīng)獲得AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證 (汽車電子設(shè)備委員會針對集成電路而設(shè)的測試標(biāo)準(zhǔn))。FM25C160是第三款達(dá)到AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的FRAM器件，
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IBM、旺宏和奇夢達(dá)共同推出新型存儲芯片技術(shù)

尺寸非常小的新型“相變”內(nèi)存速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)快于閃存來自IBM、旺宏和奇夢達(dá)的科學(xué)家今天聯(lián)合發(fā)布他們的共同研究成果，這種新型計(jì)算機(jī)存儲器技術(shù)將有望取代已被廣泛用于計(jì)算機(jī)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品（如數(shù)碼相機(jī)和便攜式音樂播放器）的閃存芯片。新研究成果預(yù)示“相變”內(nèi)存的前景一片光明，該內(nèi)存的處理速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)快于閃存，并且尺寸也比閃存小得多，從而使未來高密度“非易失性”存儲器以及功能更強(qiáng)大的電子設(shè)備的出現(xiàn)成為可能。非易失性存儲器無需利用電力來保存信息。通過將非易失性與優(yōu)異性能以及可靠性完美結(jié)合起來，相變技術(shù)還為面向移
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C語言嵌入式系統(tǒng)編程修煉之內(nèi)存操作篇

數(shù)據(jù)指針　　在嵌入式系統(tǒng)的編程中，常常要求在特定的內(nèi)存單元讀寫內(nèi)容，匯編有對應(yīng)的MOV指令，而除C/C++以外的其它編程語言基本沒有直接訪問絕對地址的能力。在嵌入式系統(tǒng)的實(shí)際調(diào)試中，多借助C語言指針?biāo)哂械膶^對地址單元內(nèi)容的讀寫能力。以指針直接操作內(nèi)存多發(fā)生在如下幾種情況：　　(1) 某I/O芯片被定位在CPU的存儲空間而非I/O空間，而且寄存器對應(yīng)于某特定地址；　　(2) 兩個(gè)CPU之間以雙端口RAM通信，CPU需要在雙端口RAM的特定單元（稱為mail box）書寫內(nèi)容以在對方CP
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磁帶庫技術(shù)的未來發(fā)展趨勢

　前言　　一種技術(shù)的生命周期能否長久的一個(gè)重要因素在于它適不適合應(yīng)用系統(tǒng)的發(fā)展，以及為應(yīng)用所帶來的價(jià)值大小。隨著信息技術(shù)的迅猛發(fā)展，數(shù)據(jù)的高速增長帶來了存儲領(lǐng)域的崛起，數(shù)據(jù)的重要性又促使存儲應(yīng)用不斷拓展，而這些都為磁盤和磁帶技術(shù)的發(fā)展帶來了前所未有的大好機(jī)遇，并使兩者之間的競爭進(jìn)一步加劇。競爭導(dǎo)致發(fā)展，落后就會被淘汰，這是任何事物發(fā)展的必然。從IBM發(fā)明的世界上第一臺磁帶驅(qū)動器IBM 726開始算起，磁帶技術(shù)發(fā)展到今天已經(jīng)超過了50年的歷史?？梢哉f是圓滿完成了一種技術(shù)發(fā)展所擔(dān)任的歷史使命，越來
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新內(nèi)存芯片材料實(shí)現(xiàn)速度高于閃存千倍

　　北京時(shí)間12月12日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，由IBM、旺宏(Macronix)和奇夢達(dá)(Qimonda)等企業(yè)組成的研發(fā)團(tuán)隊(duì)近日表示，已開發(fā)出能制造高速“相變(phase-change)”內(nèi)存的材料；與當(dāng)前常用的閃存相比，相變內(nèi)存運(yùn)行速度高于前者500~1000倍，能耗也將大幅度降低。　　據(jù)悉該新型材料為復(fù)合半導(dǎo)體合金。IBM納米科學(xué)部門資深經(jīng)理斯派克
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ST針對PC BIOS應(yīng)用推出4 KB存儲段粒度的16-Mbit頁式可擦除串行閃存

意法半導(dǎo)體(ST)針對PC BIOS應(yīng)用推出4 KB存儲段粒度的16-Mbit頁式可擦除串行閃存最高50MHz SPI兼容總線，快速頁式擦除，標(biāo)準(zhǔn)引腳，M25PE16是參數(shù)代碼存儲的最佳解決方案意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼： STM)宣布，M25PE系列頁式可擦除串行閃存產(chǎn)品新增一個(gè)段粒度4-Kbyte的16-Mbit存儲器芯片，該產(chǎn)品是PC BIOS應(yīng)用以及光驅(qū)、數(shù)字錄音機(jī)、網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品以及機(jī)頂盒(STB)等消費(fèi)電子存儲應(yīng)用的最佳選擇。作為
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安捷倫推出帶有新應(yīng)用附件及最深存儲器的邏輯分析儀

5 種新產(chǎn)品提供了業(yè)內(nèi)最大的顯示尺寸、最深的存儲器，以及用于 PCI Express 和 Altera FPGA 調(diào)試的獨(dú)特應(yīng)用附件安捷倫科技（NYSE:A）隆重推出了全新的模塊化主機(jī)、4 倍于當(dāng)前業(yè)內(nèi)存儲器深度的全新邏輯分析模塊，以及適用于PCI Express 和 Altera FPGA 開發(fā)者的新應(yīng)用附件，從而進(jìn)一部豐富了安捷倫的邏輯分析儀產(chǎn)品線。計(jì)算機(jī)
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Ramtron的16Kb 3V串行FRAM達(dá)到AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)要求

進(jìn)一步擴(kuò)大其汽車級規(guī)格認(rèn)證的產(chǎn)品陣容無與倫比的非易失性存儲器適用于先進(jìn)自適應(yīng)巡航控制系統(tǒng)的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng) Ramtron International 公司宣布推出FM24CL16的16Kb、3V串行FRAM存儲器器件的汽車級認(rèn)證型號，能達(dá)到AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn) (汽車電子設(shè)備委員會針對集成電路而設(shè)的測試標(biāo)準(zhǔn)) 的要求。Ramtron正積極實(shí)施多項(xiàng)計(jì)劃來擴(kuò)充符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的FRAM產(chǎn)品系列，以應(yīng)對汽車市場的設(shè)計(jì)和采購挑戰(zhàn)。該公司并已制定認(rèn)證計(jì)劃以
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愛特梅爾推出新型ARM7 閃存微控制器

愛特梅爾推出業(yè)界首款支持千兆字節(jié)以上SDRAM、NAND Flash及CompactFlash存儲容量的ARM7 閃存微控制器通用內(nèi)存接口 (UMI) 配有錯(cuò)誤糾正代碼控制器，能夠防止NAND 閃存丟失數(shù)位愛特梅爾公司 (Atmel® Corporation) 現(xiàn)已為基于ARM7™ 的USB微控制器 SAM7 系列增添三款新產(chǎn)品。全新的 SAM7S
關(guān)鍵字： ARM7 CompactFlash Flash NAND SDRAM 愛特梅爾單片機(jī) 工業(yè)控制嵌入式系統(tǒng) 閃存微控制器存儲器工業(yè)控制

網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中的SRAM

引言同步SRAM的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域是搜索引擎，用于實(shí)現(xiàn)算法。在相當(dāng)長的一段時(shí)間里，這都是SRAM在網(wǎng)絡(luò)中發(fā)揮的主要作用。然而，隨著新存儲技術(shù)的出現(xiàn)，系統(tǒng)設(shè)計(jì)師為SRAM找到了新的用武之地，如：NetFlow(網(wǎng)流)、計(jì)數(shù)器、統(tǒng)計(jì)、包緩沖、隊(duì)列管理和存儲分配器。如今，人們對所有路由器和交換機(jī)的要求都不僅限于FIB(轉(zhuǎn)發(fā)信息庫)搜索。計(jì)數(shù)器需要跟蹤接受服務(wù)的信息包數(shù)量，并獲取統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)來解決帳單編制問題。通過統(tǒng)計(jì)來連續(xù)監(jiān)視網(wǎng)絡(luò)(被稱為NetFlow)，從而完成問題檢測和判定。隨著每個(gè)信息包處理量的增加，需要采用包
關(guān)鍵字： IPV6 SRAM 存儲器通訊網(wǎng)絡(luò) 無線存儲器

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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]