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存儲器 文章 最新資訊

SSD取代硬盤趨勢凸現(xiàn) 2010年將成“拐點”

  •  據(jù)市場調(diào)研公司In-Stat的報告,近期內(nèi),隨著基于閃存的固態(tài)磁盤(SSD)整裝待發(fā),硬盤(HDD)在移動電腦海量存儲市場中的“正統(tǒng)地位”可能面臨挑戰(zhàn)。實際上,SSD有在10年內(nèi)取代HDD、成為筆記本電腦主要存儲手段的潛力。In-Stat認為,SSD在移動電腦市場中的份額在2013年可能上升到50%。      之前,三星已推出嵌入32G NAND閃存的固態(tài)磁盤(SSD)PC產(chǎn)品,從而揭開閃存替換硬盤序幕。    
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Freescale搶攻MRAM新技術(shù) 何時出擊大規(guī)模商用?

  • 日前,F(xiàn)reescale Semiconductor公司宣布推出基于磁阻隨機存取內(nèi)存(MRAM)的首款商用芯片。雖然離大規(guī)模采用還有不少障礙,但iSuppli公司相信這將在很大程度上推進MRAM技術(shù)的發(fā)展。  Freescale表示,其新款4Mb密度MRAM器件結(jié)合了目前多種存儲器技術(shù)的優(yōu)點。MRAM使用磁極化來存儲數(shù)據(jù),磁阻的改變代表著二進制狀態(tài)的變化,而不是指定的電荷水平。這與其他主流存儲技術(shù)不同,比如SRAM、DRAM和閃存。  Freescale宣稱其新器件平衡了讀寫
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ARM發(fā)布下一代DDR存儲解決方案

  • ARM [(LSE:ARM); (Nasdaq:ARMHY)]公司今天宣布擴展了其Artisan®物理IP系列產(chǎn)品中的Velocity™ DDR存儲接口產(chǎn)品,以支持眾多特定應(yīng)用對SDRAM的要求。擴展后的ARM® Velocity DDR產(chǎn)品和DDR、DDR2、Mobile DDR、GDDR3 SDRAM的JEDEC標(biāo)準相兼容,并支持領(lǐng)先代工廠的130納米、110納米、90納米和65納米的標(biāo)準CMOS工藝。&
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微軟播放器細節(jié)再曝光 DSP處理器30G硬盤

  •    7月19日消息,據(jù)外電報道,有關(guān)微軟播放器的最新消息,日前有知情人士透露,該款播放器將采用400MHz DSP處理器。     用戶在欣賞音樂時,屏幕上可以顯示專輯的封面。由于屏幕尺寸相對較大,因此效果還不錯。另外,“Argo”播放器并不支持游戲功能。     另據(jù)最新消息顯示,該款播放器基于400MHz DSP處理器,內(nèi)置30G硬盤,運行的是Windows Mobile操作系統(tǒng)。而且,還支
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AMD處理器暴跌 內(nèi)存漲勢驚人

  • 受貨源緊張影響,今天北京CPU現(xiàn)貨市場上AMD方面AM2出現(xiàn)大幅反漲情形,而皓龍1XX處理器則出現(xiàn)大幅跳水。其中AM2系列處理器閃龍2800+/3000+盒上漲了5/60元,而速龍3000+盒則大漲了40元;754針閃龍?zhí)幚砥?500+散/2500+盒/2600+散/2600+盒/2800+散/2800+盒/3000+散分別下調(diào)了20/5/20/5/25/5元;939針?biāo)冽執(zhí)幚砥?000+散/3200+散分別 下調(diào)了15/25元,而3000+盒則上漲了40元;皓龍144散/144盒/146散/1
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惠普開發(fā)出米粒大小無線傳輸內(nèi)存芯片

  •     美國東部時間7月17日(北京時間7月18日)據(jù)外電的最新報道稱,惠普周一正式宣布,該公司研發(fā)人員已經(jīng)開發(fā)出了一種米粒大的具有無線網(wǎng)絡(luò)功能的內(nèi)存芯片Memory Spot。      據(jù)悉,Memory Spot芯片由惠普實驗室開發(fā),該芯片容量從256KB到4G不等。該芯片能夠以每秒10MB的速率無線傳輸數(shù)據(jù),此外該芯片可用來存儲視頻短片、數(shù)字照片以及十幾頁厚的圖書。更為重要的是,Memory Spo
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美國34個州聯(lián)合起訴七大內(nèi)存制造商操縱市場

  • 新浪科技訊 北京時間7月14日消息,美國34個州周五聯(lián)合控告包括美光和英飛凌在內(nèi)的七家內(nèi)存制造商,指控他們聯(lián)手操縱美國內(nèi)地市場及人為抬高價格。   加州首席檢察官洛凱爾(Bill Lockyer)周四表示,他將和其他33個州的首席檢察官一起,控告內(nèi)存制造商違反州和聯(lián)邦反壟斷法,在1998年到2002年6月期間,在DRAM芯片供給過剩時,聯(lián)手操縱該產(chǎn)品價格。據(jù)悉,此次遭起訴的七家公司分別為美光、英飛凌、韓國現(xiàn)代 、臺灣茂矽及南亞科技、日本Elpida(日立與NEC合資公司)及N
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美34州聯(lián)名起訴七內(nèi)存芯片制造商 面臨巨額索賠

  •     美國東部時間7月13日(北京時間7月14日)據(jù)外電的最新報道稱,美國34個州將在周五起訴全球七家內(nèi)存芯片制造商,指控這七家內(nèi)存芯片制造商操縱美國市場內(nèi)存芯片價格。上述七家公司分別是美光、英飛凌、臺灣的茂矽電子和南亞科技、日本的Elpida、NEC電子美洲公司以及韓國的現(xiàn)代半導(dǎo)體。     加利福尼亞首席檢察官比爾
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50TB涂層DVD問世 有望徹底淘汰硬盤?

  •          據(jù)國外媒體報道:一位印度科學(xué)家近日宣稱,他正在研制一種表面帶有光感蛋白有機物質(zhì)涂層的DVD存儲介質(zhì),這種介質(zhì)的最大存儲容量可達50TB(約合50,000GB).         現(xiàn)就職于波士頓Harvard Medical學(xué)院的V Renugopalakrishnan教授宣稱,已經(jīng)研制出一種通過磁性改
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飛思卡爾在將MRAM技術(shù)投入商用方面行業(yè)領(lǐng)先

  • 德州奧斯?。?006年7月10日-飛思卡爾半導(dǎo)體(NYSE:FSL, FSL.B)目前已經(jīng)批量生產(chǎn)和提供第一款商用磁阻隨機存取存儲器(MRAM)設(shè)備。 飛思卡爾的4兆位(Mbit)MRAM是一款快速的非易失性存儲器產(chǎn)品,具有極強的耐用性——結(jié)合了其它任何單個半導(dǎo)體存儲器都不具備的多種特性。該設(shè)備基于飛思卡爾的超過100項專利所保護的技術(shù),包括跳變位(Toggle-bit)切換。 “隨著MRAM的商用,飛思卡爾率先將這種技術(shù)推向市場,從而帶來巨大的可能性和潛力,”Semico Resea
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閃存8年內(nèi)有望在筆記本上代替硬盤使用

  •       三星電子在近日推出了首款閃存筆記本電腦。這款筆記本以32GB的NAND閃存完全替代了傳統(tǒng)的硬盤驅(qū)動器。   早在去年9月,三星與希捷在閃存是否會全面取代硬盤技術(shù)上展開爭論,三星高層預(yù)言,硬盤時代已步入黃昏,閃存時代即將來臨。希捷公司隨即反駁,認為閃存完全替代硬盤還為時尚早。     從目前筆記本發(fā)展的趨勢來看,移動性強,省電等指標(biāo)已經(jīng)成為用戶購買筆記本電腦時的重要考慮因素,未來筆記本將進一步在不影響性能的前提下向輕薄化和長電池使用時間發(fā)展,閃存
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瑞薩科技開發(fā)65nm工藝嵌入式SRAM穩(wěn)定運行

  • 東京,2006年6月15日——在今天于美國夏威夷火努魯魯舉行的超大規(guī)模集成電路(VLSI)2006年專題研討會上,瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)宣布,開發(fā)出一種有助于采用65nm(65納米)制造工藝生產(chǎn)的SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)實現(xiàn)穩(wěn)定運行的技術(shù)。新技術(shù)采用了一種直接圖形成型布局和讀輔助及寫輔助電路,以克服采用精細特征工藝技術(shù)時由于晶體管固有特性可變性帶來的SRAM不穩(wěn)定問題。尤其是,該技術(shù)解決了與門限電壓(Vth)有關(guān)的諸如晶體管導(dǎo)通或關(guān)斷時出
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瑞薩科技開發(fā)65nm工藝嵌入式SRAM穩(wěn)定運行

  • 東京,2006年6月15日——在今天于美國夏威夷火努魯魯舉行的超大規(guī)模集成電路(VLSI)2006年專題研討會上,瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)宣布,開發(fā)出一種有助于采用65nm(65納米)制造工藝生產(chǎn)的SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)實現(xiàn)穩(wěn)定運行的技術(shù)。新技術(shù)采用了一種直接圖形成型布局和讀輔助及寫輔助電路,以克服采用精細特征工藝技術(shù)時由于晶體管固有特性可變性帶來的SRAM不穩(wěn)定問題。尤其是,該技術(shù)解決了與門限電壓(Vth)有關(guān)的諸如晶體管導(dǎo)通或關(guān)斷時出
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Ramtron推出首款內(nèi)嵌FRAM的增強型8051 MCU

  • 世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (FRAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品供應(yīng)商Ramtron International 發(fā)布全球第一款嵌入了非易失性FRAM存儲器的8051MCU — VRS51L3074。Ramtron將FRAM加入于其高速靈活的Versa 8051系列產(chǎn)品中,以實現(xiàn)設(shè)計高速及高可靠性的非易失性數(shù)據(jù)存儲和處理系統(tǒng),而該系統(tǒng)只有嵌入了FRAM的增強型微控制器才能提供。 Ramtron 加拿大公司總經(jīng)理Irv L
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基于ADmC812和DSP實時數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

  • ADmC812是ADI公司的以8051(8052)內(nèi)核為控制核心的新型微轉(zhuǎn)換器。
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存儲器介紹

什么是存儲器 存儲器(Memory)是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲器的構(gòu)成 構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]
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