存儲(chǔ)器 文章 最新資訊
惠瑞捷增加并行機(jī)制以縮減存儲(chǔ)器測(cè)試開發(fā)時(shí)間
- 惠瑞捷半導(dǎo)體科技宣布將可編程接口矩陣應(yīng)用于Verigy V5000e 工程工作站,以幫助存儲(chǔ)器制造商在應(yīng)用V5000e進(jìn)行工程,測(cè)試開發(fā)和調(diào)試時(shí)獲得并行測(cè)試能力。憑借該矩陣,V5000e 可以并行測(cè)試12顆芯片(DUT),減少產(chǎn)線上的操作人員的時(shí)間,同時(shí)大幅度提高了總產(chǎn)能。此矩陣還將V5000e的引腳數(shù)量從128提高到768個(gè)測(cè)試器資源引腳,從而能夠測(cè)量具有更高引腳數(shù)量的多種類型存儲(chǔ)器芯片,包括NOR、NAND、DRAM、SRAM以及 MCP。 由于產(chǎn)品壽命
- 關(guān)鍵字: 并行機(jī)制 測(cè)量 測(cè)試 存儲(chǔ)器測(cè)試 單片機(jī) 惠瑞捷 開發(fā)時(shí)間 嵌入式系統(tǒng) 存儲(chǔ)器
美光科技公司在中國啟動(dòng)新制造工廠
- 2007年3月21日, 中國西安 - 美光科技公司今天正式宣布在西安啟動(dòng)一家新的制造工廠。這家工廠是美光公司在中國的第一家制造工廠,它將主要負(fù)責(zé)生產(chǎn)DRAM、NAND閃存和CMOS圖像傳感器在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)品的封裝測(cè)試。 為此,美光公司舉行了西安工廠的落成儀式,參加儀式的有政府官員和行業(yè)代表。這家工廠預(yù)計(jì)將于2008年底全部建成,總投資將達(dá)到2.5億美元,所需員工超過2000名。該工廠是美光公司在亞洲的第二家封裝測(cè)試工廠,其第一家封裝測(cè)試工廠于1998年在新
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串行存儲(chǔ)器AT45DB161B在車輛行駛記錄儀中的應(yīng)用
- 1 概述 行駛記錄儀的主要數(shù)據(jù)包括事故疑點(diǎn)和行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)。其中,事故疑點(diǎn)數(shù)據(jù)是記錄儀以不大于0.2s的時(shí)間間隔持續(xù)記錄并存儲(chǔ)停車前20 s實(shí)時(shí)時(shí)間所對(duì)應(yīng)的車輛行駛速度及車輛制動(dòng)狀態(tài)信號(hào),記錄次數(shù)至少為1O次:行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)是無論車輛在行駛狀態(tài)還是停止?fàn)顟B(tài),記錄儀提供的與實(shí)時(shí)時(shí)間對(duì)應(yīng)的車輛行駛速度信息。記錄儀應(yīng)能以不大于1 min的時(shí)間間隔持續(xù)記錄并存儲(chǔ)車輛在最近360 h內(nèi)的行駛狀態(tài)數(shù)據(jù),該行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)主要是車輛在行駛過程中與實(shí)時(shí)時(shí)間相對(duì)應(yīng)的每分鐘間隔內(nèi)的平均行駛速度值[1]。 該記錄儀需要采用大容量
- 關(guān)鍵字: AT45DB161B 車輛行駛記錄儀 串行存儲(chǔ)器 汽車電子 存儲(chǔ)器 汽車電子
瑞薩科技與松下開發(fā)新SRAM制造技術(shù)
- 瑞薩科技(Renesas Technology Corp.)與松下電器產(chǎn)業(yè)有限公司宣布,共同開發(fā)出一種新技術(shù),可以使45nm工藝傳統(tǒng)CMOS的SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)穩(wěn)定工作。這種SRAM可嵌入在SoC(系統(tǒng)(集成)芯片)器件和微處理器(MPU)當(dāng)中。經(jīng)測(cè)試證實(shí),采用該技術(shù)的512Kb SRAM的實(shí)驗(yàn)芯片,可以在寬泛的溫度條件下(-40℃-125℃)穩(wěn)定工作,而且在工藝發(fā)生變化時(shí)具有較大的工作電壓范圍裕量。用于實(shí)驗(yàn)的SRAM芯片采用45nm CMOS工藝生產(chǎn),集成了兩種不同的存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì),一個(gè)元
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Ramtron和北天星將于4月聯(lián)手舉辦FRAM & MCU 技術(shù)、應(yīng)用全國巡回研討會(huì)
- Ramtron和其亞洲區(qū)總代理北天星將于4月份聯(lián)手在國內(nèi)5個(gè)城市(北京4/4,上海4/10,深圳4/12,西安4/24,成都4/26)舉辦非易失性鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)和MCU全國巡回研討會(huì).此次研討會(huì)將深入討論非易失性鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)和MCU的產(chǎn)品和技術(shù),并詳細(xì)介紹和探討其在中國各領(lǐng)域,包括軍工, 航天,數(shù)據(jù)采集, 計(jì)量, 汽車電子,汽車能源, 安全系統(tǒng), 工業(yè)控制, 通訊, 金融電子, 醫(yī)療機(jī)械等行業(yè)的應(yīng)用。 非易失性鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)是一種擁有與RAM一致的性能,但又有與ROM
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06年硬盤銷量逆市上揚(yáng) 07年面臨更大挑戰(zhàn)
- 國外媒體報(bào)道,根據(jù)市場調(diào)研公司iSuppli公布的數(shù)據(jù)顯示,2006年全球硬盤總出貨量達(dá)到4.342億塊,較2005年的3.758億塊增長了15.5%。希捷、西部數(shù)據(jù)、日立仍然占據(jù)前三。 2006年全球硬盤市場并不是一帆風(fēng)順,希捷并購邁拓曾引發(fā)市場激烈的價(jià)格戰(zhàn);諸多MP3廠商放棄微硬盤轉(zhuǎn)投閃存市場,導(dǎo)致了一英寸硬盤市場需求低迷;另外整個(gè)業(yè)界對(duì)混合硬盤的興趣越發(fā)濃厚,也大大影響了傳統(tǒng)硬盤市場??墒怯脖P制造商們也付出了艱苦的努力,成功克服價(jià)格戰(zhàn)、原材料供應(yīng)緊張以及競爭劇變等不利因素影響,在如此挑戰(zhàn)下仍
- 關(guān)鍵字: 更大挑戰(zhàn) 消費(fèi)電子 硬盤銷量 存儲(chǔ)器 消費(fèi)電子
2006年存儲(chǔ)硬件收入排名 EMC領(lǐng)跑IBM第二
- 據(jù)國外媒體報(bào)道,Gartne公布最新調(diào)查報(bào)告稱,2006年在全球儲(chǔ)存硬件市場,EMC 公司銷售收入市場份額排名第一,IBM超過惠普奪取了第二的位置。 Gartne表示,EMC的市場份額從2005年的23.4%上升到24.8%排在第一位,隨后是IBM公司,它的市場份額從2005年的14.5%上升到2006年的15.8%排名第二,惠普的市場份額從2005年的14.7%下滑到13.1%,從2005年的排名第二下降為第三。 其他儲(chǔ)存硬件提供商的排名是,日立數(shù)據(jù)系統(tǒng)的份額為9.6%排在第四位;戴
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串行存儲(chǔ)器AT45DB161B在車輛行駛記錄儀中的應(yīng)用
- 1 概述行駛記錄儀的主要數(shù)據(jù)包括事故疑點(diǎn)和行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)。其中,事故疑點(diǎn)數(shù)據(jù)是記錄儀以不大于0.2s的時(shí)間間隔持續(xù)記錄并存儲(chǔ)停車前20 s實(shí)時(shí)時(shí)間所對(duì)應(yīng)的車輛行駛速度及車輛制動(dòng)狀態(tài)信號(hào),記錄次數(shù)至少為1O次:行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)是無論車輛在行駛狀態(tài)還是停止?fàn)顟B(tài),記錄儀提供的與實(shí)時(shí)時(shí)間對(duì)應(yīng)的車輛行駛速度信息。記錄儀應(yīng)能以不大于1 min的時(shí)間間隔持續(xù)記錄并存儲(chǔ)車輛在最近360 h內(nèi)的行駛狀態(tài)數(shù)據(jù),該行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)主要是車輛在行駛過程中與實(shí)時(shí)時(shí)間相對(duì)應(yīng)的每分鐘間隔內(nèi)的平均行駛速度值[1]。 該記錄儀需要采用大容量的數(shù)據(jù)
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杰爾系統(tǒng)針對(duì)硬盤驅(qū)動(dòng)器市場推出運(yùn)行最快的前置放大器芯片樣品
- 杰爾系統(tǒng)宣布向客戶推出其最新高性能、低功耗前置放大器芯片(IC)樣品,該樣品專門針對(duì)企業(yè)應(yīng)用及臺(tái)式機(jī)硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)而設(shè)計(jì)。 杰爾最新款TrueStore PA7800前置放大器性能卓越,運(yùn)行速度業(yè)界最快,可達(dá)2.5 Gbps ,同時(shí)在寫入模式下比上一代杰爾芯片可節(jié)省30%的電流。PA7800的數(shù)據(jù)率更強(qiáng),數(shù)據(jù)容量更高,且兼容新一代TMR讀取頭,并降低了功耗,從而實(shí)現(xiàn)了更高的處理能力。 杰爾存儲(chǔ)產(chǎn)品部執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理Ruediger Stroh說:
- 關(guān)鍵字: 單片機(jī) 電源技術(shù) 杰爾系統(tǒng) 模擬技術(shù) 前置放大器芯片樣品 嵌入式系統(tǒng) 硬盤驅(qū)動(dòng)器市場 存儲(chǔ)器
Ramtron推出首款符合Grade 1汽車標(biāo)準(zhǔn)的Ramtron FRAM存儲(chǔ)器
- Ramtron推出首款 +125℃ FRAM存儲(chǔ)器 FM25C160,并符合Grade 1和AEC-Q100規(guī)范要求。該款5V 16Kb 的串行SPI接口 FRAM 完全可以工作于從 -40到 +125℃ 的整個(gè)汽車溫度范圍內(nèi),這個(gè)寬廣的工作溫度范圍使到 FRAM 的應(yīng)用可超越乘客舒適性應(yīng)用達(dá)到汽車核心系統(tǒng)應(yīng)用級(jí)別。 Ramtron副總裁Mike Alwais稱
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Ramtron推出首款符合Grade 1汽車標(biāo)準(zhǔn)的Ramtron FRAM存儲(chǔ)器
- Ramtron推出首款 +125℃ FRAM存儲(chǔ)器 FM25C160,并符合Grade 1和AEC-Q100規(guī)范要求。該款5V 16Kb 的串行SPI接口 FRAM 完全可以工作于從 -40到 +125℃ 的整個(gè)汽車溫度范圍內(nèi),這個(gè)寬廣的工作溫度范圍使到 FRAM 的應(yīng)用可超越乘客舒適性應(yīng)用達(dá)到汽車核心系統(tǒng)應(yīng)用級(jí)別。 Ramtron副總裁Mike Alwais
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采用FPGA IP實(shí)現(xiàn)DDR的讀寫控制的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證
- 摘要: 本文采用LatticeXP系列FPGA結(jié)合IP解決DDR RAM的讀寫控制。并且在硬件上面進(jìn)行了實(shí)際測(cè)試。關(guān)鍵詞: 嵌入式系統(tǒng);DDR RAM;FPGA;IP;LattcieXP 前言隨著高速處理器的不斷發(fā)展,嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用的領(lǐng)域越來越廣泛,數(shù)字信號(hào)處理的規(guī)模也越來越大,系統(tǒng)中RAM規(guī)模不斷增加,比如視頻監(jiān)控、圖像數(shù)據(jù)采集等領(lǐng)域,圖像處理的實(shí)時(shí)性對(duì)RAM帶寬的要求不斷增加,傳統(tǒng)的SDRAM在帶寬上已經(jīng)逐漸無法滿足應(yīng)用要求,DDR SDRAM(雙倍速率SDRAM)采用在時(shí)鐘CL
- 關(guān)鍵字: 0702_A DDR FPGA IP LattcieXP RAM 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 雜志_設(shè)計(jì)天地 存儲(chǔ)器
MRAM:內(nèi)存的新潮流(下)
- Freescale所提供的MRAM替代性方案在Freescale的器件中,自由的和固定的磁體層并不是單純的鐵磁板。相反,它們是合成的反鐵磁體(synthetic antiferromagnet,SAF)三明治結(jié)構(gòu),由兩個(gè)反向?qū)?zhǔn)的鐵磁材料層以及兩層材料之間所夾的一層非磁性材料耦合隔層而組成。圖2示出了一個(gè)SAF位單元。SAF三明治結(jié)構(gòu)產(chǎn)生磁致電阻效應(yīng)的能力并不會(huì)因?yàn)樗幕旌鲜浇Y(jié)構(gòu)而受到影響。對(duì)準(zhǔn)和反對(duì)準(zhǔn)只取決于MTJ結(jié)構(gòu)兩側(cè)相對(duì)的兩層材料。將兩層板材組成SAF,就可以讓每層板變成“磁矩平衡”—凈外磁場為零
- 關(guān)鍵字: 0702_A MR2A16A MRAM 消費(fèi)電子 雜志_技術(shù)長廊 存儲(chǔ)器 消費(fèi)電子
WindowsCE跨進(jìn)程內(nèi)存注入原理
- 近日,由于程序設(shè)計(jì)需要,我對(duì)WincowsCE 的內(nèi)存布局進(jìn)行了研究,由于發(fā)現(xiàn)國內(nèi)在這方面的文檔資料較少,于是在研究告一段落之際,形成這篇示例文檔,以望拋磚引玉,得到別的高手的指正。 一、程序?qū)崿F(xiàn)的先決條件 由于windows系統(tǒng)的窗體消息總是投遞至一個(gè)特定進(jìn)程的指定窗體消息函數(shù)中。于是在本地進(jìn)程(自己的應(yīng)用程序)中取得屬于其它進(jìn)程的窗體的消息必須實(shí)現(xiàn)以下兩個(gè)部分: 1、將需要掛接窗體的代碼放到目標(biāo)進(jìn)程的地址空間中去。 2、執(zhí)行這一段代碼,并獲得目標(biāo)進(jìn)程窗體的消息。 這兩步看
- 關(guān)鍵字: 嵌入式操作系統(tǒng) 嵌專題WinCE 存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器介紹
什么是存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器(Memory)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲(chǔ)器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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