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存儲(chǔ)器
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高速內(nèi)存卡新標(biāo)準(zhǔn)miCard制定 臺(tái)灣廠商主導(dǎo)
- 近日,一種由MMC協(xié)會(huì)(MultiMediaCard Association簡(jiǎn)稱MMCA)大力支持,由中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)廠商提供核心技術(shù),具有USB全兼容性和高速接口的內(nèi)存卡新格式miCard卡正式問世。該格式使用標(biāo)準(zhǔn)USB接口,并且兼容MMC,這意味著消費(fèi)者不需要另外購(gòu)買MMC/SD卡讀卡器就可以使用該格式的內(nèi)存卡。 miCard卡的數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)到60MBPS,超過(guò)現(xiàn)所有主流存儲(chǔ)卡的數(shù)據(jù)傳輸率。該內(nèi)存卡的大小僅為12
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內(nèi)存DRAM芯片價(jià)格達(dá)谷底即將回調(diào)
- 路透社:亞洲內(nèi)存制造商:DRAM芯片價(jià)格已到谷底,7月開始回調(diào) 亞洲芯片制造商上周末召開了會(huì)議,研究結(jié)果表明內(nèi)存DRAM芯片價(jià)格已經(jīng)達(dá)到了波谷,未來(lái)將有所上浮。 據(jù)路透社報(bào)道,在上周四的全球市場(chǎng)上,DRAM內(nèi)存平均售價(jià)再次下滑了五個(gè)百分點(diǎn),而該數(shù)字在周五也處于下滑態(tài)勢(shì)。電腦內(nèi)存制造商三星電子和現(xiàn)代半導(dǎo)體甚至表示,內(nèi)存產(chǎn)品的售價(jià)迅速下調(diào),有可能影響到公司4到6月季度盈利情況。實(shí)際上,自從今年開始,某些內(nèi)存產(chǎn)品的售價(jià)足足下滑了70%。 “如今的價(jià)格已經(jīng)幾乎達(dá)到了最低點(diǎn),我們都在等待重新的
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內(nèi)存價(jià)格暴跌損害利潤(rùn) 三星Q2盈利前景堪憂
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,本周五,內(nèi)存制造商三星電子公司一名高管稱,因半導(dǎo)體產(chǎn)品可能出現(xiàn)劇烈虧損,公司4-6月的財(cái)務(wù)狀況不可能比第一季度有所改善。 三星負(fù)責(zé)投資者關(guān)系的高級(jí)副總裁Chu Woo-sik稱:“與第一季度相比,第二季度難于獲得改善?!?nbsp; 當(dāng)前急劇下跌的DRAM芯片價(jià)格將嚴(yán)重?fù)p害內(nèi)存制造企業(yè)2季度的盈利水平,這種局面已經(jīng)使許多內(nèi)存制造商感到擔(dān)憂。DRAM芯片廣泛用于個(gè)人電腦,某些關(guān)鍵芯片的價(jià)格已比年初時(shí)下跌了70%。 半導(dǎo)體部門占三星季度銷售額的三分之一左右,0
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RAMTRON發(fā)布高速串行接口的PROCESSOR COMPANION系列
- Ramtron International Corporation宣布推出FM33x產(chǎn)品系列,這是帶高速串行接口(SPI) 的全新FRAM-Enhanced™ Processor Companions系列。FM33x系列在小型封裝中整合了非易失性RAM的所有特性,還包含全面廣泛的高度集成支持及外圍功能,適用于任何以處理器為基礎(chǔ)的設(shè)計(jì)。 Ramtron推出的33x Processor Companion系列包括兩個(gè)產(chǎn)品:FM3
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希捷:未來(lái)三年中國(guó)硬盤營(yíng)收增長(zhǎng)幅度將超過(guò)PC
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,全球最大的計(jì)算機(jī)硬盤生產(chǎn)商希捷科技日前表示,該公司計(jì)劃借助其在中國(guó)地區(qū)的生產(chǎn)能力,未來(lái)三年內(nèi)在中國(guó)市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收增長(zhǎng)幅度超過(guò)PC和筆記本市場(chǎng)增長(zhǎng)幅度的目標(biāo)。 希捷當(dāng)天援引研究數(shù)據(jù)稱,截至2010年,中國(guó)PC市場(chǎng)年平均增長(zhǎng)幅度將介于10%和15%之間,而筆記本市場(chǎng)年平均增長(zhǎng)幅度預(yù)計(jì)達(dá)到30%。希捷科技中國(guó)區(qū)總經(jīng)理?xiàng)罱ǔ踉诮邮苈吠干绮稍L時(shí)表示,硬盤市場(chǎng)應(yīng)以PC和筆記本市場(chǎng)相同的幅度進(jìn)行增長(zhǎng)。 在截至今年3月底的第三財(cái)季,希捷銷售收入達(dá)到28億美元,其中亞太地區(qū)占43%,同
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韓制造商全球DRAM儲(chǔ)存市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位受到威脅
- 市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu) iSuppli總裁兼首席執(zhí)行官Derek Lidow稱,未來(lái)三年內(nèi),韓國(guó)的DRAM 儲(chǔ)存芯片制造商長(zhǎng)期以來(lái)在全球的領(lǐng)先地位存在著威脅,可能將被其他外國(guó)的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手奪取。 在韓國(guó)舉行的數(shù)字論壇上Lidow表示,目前在全球DRAM儲(chǔ)存芯片市場(chǎng),韓國(guó)的制造商仍然保持了領(lǐng)先的位置,去年三星電子和現(xiàn)代半導(dǎo)體的銷售收入在全球市場(chǎng)占到45%。相比之下中國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣的公司擁有的份額為17%。 Lidow預(yù)期今年全球DRAM儲(chǔ)存芯片的發(fā)貨量將發(fā)生變化,韓國(guó)廠
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硬盤業(yè)務(wù)每況愈下 日立考慮采取更多改革措施
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,日立公司日前表示,為了扭轉(zhuǎn)虧損的硬盤業(yè)務(wù),該公司可能采取更多額外措施,但目前看來(lái),日立硬盤業(yè)務(wù)今年很有可能繼續(xù)虧損。 日立總裁古川一夫在談及該公司中期業(yè)務(wù)計(jì)劃時(shí)對(duì)業(yè)內(nèi)分析人士及新聞媒體表示,由于第一季度虧損180億日元,再加上第二季度形勢(shì)嚴(yán)峻,今年硬盤業(yè)務(wù)可能將虧損330億日元,因此我們有必要尋找額外的改革措施并認(rèn)真進(jìn)行考慮,以便達(dá)到盈利的目的。 盡管如此,古川一夫當(dāng)天并未透露日立目前正在考慮具體哪些額外措施,但根據(jù)中期計(jì)劃,日立計(jì)劃將分支機(jī)構(gòu)數(shù)量從目前的885家削
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Dallas Semiconductor推出新型存儲(chǔ)器件DS28DG02
- Dallas Semiconductor推出新型存儲(chǔ)器件DS28DG02,具有空前的混合信號(hào)和非易失存儲(chǔ)功能集成度。 DS28DG02功能和容量具有很高的集成度,通常可節(jié)省20%的PCB空間和30%的成本。由于采用更少的元件,使得終端設(shè)備的制造廠商可以減少材料清單數(shù),從而降低了生產(chǎn)成本,并提高了設(shè)備的可靠性。通過(guò)簡(jiǎn)化硬件的復(fù)雜度,并采用單個(gè)器件實(shí)現(xiàn)軟件通信,使產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員的設(shè)計(jì)周期得到了縮短。該新型存儲(chǔ)器件具有空前大的陣列容量,能夠用于多種應(yīng)用,包括通信、醫(yī)療、消費(fèi)品和工業(yè)終端設(shè)備。 與傳
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富士通推出配備FeRAM的通用微控制器投放
- 富士通在2007年5月16日開幕的“第10屆嵌入系統(tǒng)開發(fā)技術(shù)展(ESEC)”上,參考展出了配備強(qiáng)電介質(zhì)內(nèi)置內(nèi)存(FeRAM,鐵電內(nèi)存)的通用8bit微控制器。評(píng)測(cè)用芯片“MB95RV100”近日即可供應(yīng),計(jì)劃2008年前后量產(chǎn)供貨。CPU內(nèi)核采用“F2MC-8FX”,工作頻率為10MHz。首先面向密鑰數(shù)據(jù)的保存用途投放市場(chǎng)。 配備FeRAM的微控制器最初只應(yīng)用于數(shù)據(jù)保存區(qū)域(原有微控制的RAM部分)。程序保存區(qū)域預(yù)定以掩膜ROM的形式提供。產(chǎn)品系列計(jì)劃對(duì)于數(shù)據(jù)保存用途推出FeRAM分
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內(nèi)存價(jià)格終于反彈 業(yè)內(nèi)持不同意見
- 在5月18-25日,DRAM內(nèi)存價(jià)格終于出現(xiàn)了反彈,業(yè)界分析家對(duì)該現(xiàn)象是標(biāo)志著大范圍的調(diào)整開始還是僅僅是一個(gè)短期現(xiàn)象持有不同意見。 據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示,從5月18日開始,包括eTT在內(nèi)各種頻率型號(hào)的512MB DDR2內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格據(jù)呈上升勢(shì)頭。在所有類型當(dāng)中,eTT壓低內(nèi)存升幅最大,達(dá)到16%。 一些業(yè)內(nèi)人士擔(dān)心DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格反彈將會(huì)影響DRAM合同價(jià)格的調(diào)整。來(lái)自DRAM內(nèi)存廠商的消息稱現(xiàn)還沒有收到電腦廠商需求急劇變化的反饋,而來(lái)自內(nèi)存模組廠的消息稱,由于DRAM廠商
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內(nèi)存價(jià)格終于反彈 業(yè)內(nèi)持不同意見
- 在5月18-25日,DRAM內(nèi)存價(jià)格終于出現(xiàn)了反彈,業(yè)界分析家對(duì)該現(xiàn)象是標(biāo)志著大范圍的調(diào)整開始還是僅僅是一個(gè)短期現(xiàn)象持有不同意見。 據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示,從5月18日開始,包括eTT在內(nèi)各種頻率型號(hào)的512MB DDR2內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格據(jù)呈上升勢(shì)頭。在所有類型當(dāng)中,eTT壓低內(nèi)存升幅最大,達(dá)到16%。 一些業(yè)內(nèi)人士擔(dān)心DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格反彈將會(huì)影響DRAM合同價(jià)格的調(diào)整。來(lái)自DRAM內(nèi)存廠商的消息稱現(xiàn)還沒有收到電腦廠商需求急劇變化的反饋,而來(lái)自內(nèi)存模組廠的消息稱,由于DRA
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Flash FPGA、ASIC、SRAM FPGA你選擇誰(shuí)?
- Flash based FPGA, ASIC, SRAM-based FPGA, which one do you choose ? 近年來(lái),F(xiàn)PGA器件的應(yīng)用領(lǐng)域在不斷擴(kuò)大。由于這種極其靈活的器件提供的通用平臺(tái)能夠針對(duì)特定的應(yīng)用進(jìn)行快速編程,并且可以在設(shè)計(jì)迭代中進(jìn)行重復(fù)編程,因此它們迅速成為電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)領(lǐng)域的中流砥柱。 ---但是,F(xiàn)PGA在量產(chǎn)類產(chǎn)品中仍未得到廣泛應(yīng)用。當(dāng)工程師們準(zhǔn)
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PC大廠刻意壓低內(nèi)存 上下游博弈仍在繼續(xù)
- 內(nèi)存顆粒在最近一兩天終于價(jià)格開始反彈,DDR2 512Mb ETT顆粒昨天收盤于1.58美元,而DDR2 512Mb 667MHz則從1.7美元反彈至1.76美元。 內(nèi)存業(yè)者表示,DRAM制造廠不再殺低出貨,再加上部份模組廠開始趁低收貨,是帶動(dòng)近日DRAM現(xiàn)貨價(jià)跌深反彈的主因。只是目前終端市場(chǎng)需求依然疲軟,因此DRAM價(jià)格是否就此落底,仍待進(jìn)一步觀察。 創(chuàng)見上海代表處的總經(jīng)理顏明吉表示,此前內(nèi)存之所以狂跌,戴爾和惠普等PC大廠故意觀望是非常重要的因素。 去年年末Vi
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DRAM廠減產(chǎn) DRAM售價(jià)瀕臨變動(dòng)成本
- 近來(lái)對(duì)于所有DRAM廠來(lái)說(shuō)都面臨慘不忍睹的情況,原因在于DRAM售價(jià)重挫,幾乎已到了寧可關(guān)廠不做生意的階段。DRAM廠已展開一波自救計(jì)劃,部分DRAM廠已正式啟動(dòng)產(chǎn)能調(diào)配計(jì)劃,希望通過(guò)這樣動(dòng)作來(lái)減少虧損,也因?yàn)镈RAM廠已開始減產(chǎn),DRAM廠認(rèn)為第三季度應(yīng)該可以見到減產(chǎn)后對(duì)于整體DRAM供需平穩(wěn)成效。 過(guò)去幾個(gè)月以來(lái)全球DRAM售價(jià)不斷出現(xiàn)暴跌,雖說(shuō)目前價(jià)格略微回穩(wěn),不過(guò)整體來(lái)說(shuō)DRAM廠還是面臨到嚴(yán)重虧損壓力,DRAM廠坦承這樣的售價(jià)幾乎已是跌到DRAM廠采用12英寸廠90納米工藝技術(shù)時(shí)所需的變動(dòng)成本,
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存儲(chǔ)器介紹
什么是存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器(Memory)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲(chǔ)器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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