存儲器文章最新資訊

QuickLogic利用閃存卡主控制器擴展存儲解決方案產品線

QuickLogic® 公司為其針對移動設備的集成可編程連接解決方案再添新產品。該公司發(fā)布完整的閃存卡(Compact Flash) 主控制器，將使設計人員可以簡單采用這一通用存儲技術。閃存卡于1994 年首次發(fā)表，最初是作為閃存數(shù)據卡存儲接口推出的。隨著時間的推移，它已得到了加強，可以支持微型硬盤驅動器，以及諸如Wi-Fi、全球定位系統(tǒng)（GPS）和掃描儀模塊等外圍設備。雖然安全數(shù)字(SD)卡因其更簡單的接口而獲得了廣泛采用，但是閃存卡仍然是企業(yè)PDA、便
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瑞薩松下開發(fā)45nm傳統(tǒng)CMOS片上SRAM技術

　　瑞薩科技公司與松下電器產業(yè)有限公司宣布共同開發(fā)出一種可以使45nm工藝傳統(tǒng)CMOS*1的SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）穩(wěn)定工作的技術，這種SRAM可以嵌入在SoC（系統(tǒng)級芯片）器件和微處理器（MPU）當中。采用這種技術的512Kb SRAM的實驗芯片的測試已經得到證實，可以在寬泛的溫度條件下（-40℃－125℃）穩(wěn)定工作，而且在工藝發(fā)生變化時具有較大的工作電壓范圍裕量。采用45nm CMOS工藝生產的用于實驗的SRAM芯片集成了兩種不同的存儲單元設計，一個
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Intel突破 65nm 70MbitSRAM制造成功

日前，Intel宣布，他們采用最新的65納米工藝制造SRAM（靜態(tài)存儲器）取得了突破，他們成功的用65nm的工藝制造出了70Mbit的大容量靜態(tài)存儲器。　　靜態(tài)存儲器（SRAM）主要用作高速的存儲設備，例如處理器內部的高速緩存等存儲設備?！　?5年11月，Intel首次宣布65nm制造工藝的時候就曾宣布成功制造了4Mbit的SRAM，現(xiàn)在能夠生產出70Mbit的SRAM將有助于將來處理器的制造。
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NOR標準化能否延續(xù)手機存儲器老大地位

市場調研表明，NOR閃存仍是手機存儲器的老大，它目前可以滿足95%以上手機存儲容量需求。但NOR閃存一直沒有標準化，給手機制造商帶來研發(fā)時間長、沒有第二供貨源等難題。近日，Intel和ST共同宣布，兩家公司針對手機存儲子系統(tǒng)，制定了NOR閃存規(guī)范，并將針對手機市場各自獨立設計、制造軟硬件兼容的NOR閃存產品，這一舉措能否去除NOR的軟肋，使它延續(xù)在手機制造商處的熱度？手機對存儲器依賴性增加今天，市場上的手機已經成為流
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嵌入式存儲器面面觀

模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規(guī)模的芯片上，形成所謂的SoC（片上系統(tǒng)）。作為SoC重要組成部分的嵌入式存儲器，在SoC中所占的比重（面積）將逐漸增大。到2010 年，約90%的硅片面積都將被具有不同功能的存儲器所占據。另一方面，微處理器的速度以每年60%遞增，但主存的速度每年僅增長10%左右。二者之間的性能差異越來越大。計算機
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KLA-Tencor 發(fā)布最新存儲和邏輯器件明場檢測系統(tǒng)

　　KLA-Tencor 推出 28xx 明場檢測平臺的最新成員 2810 和 2815。通過特殊的光學配置，它們能有效地應對亞 55 納米存儲器件和亞 45 納米邏輯器件生產中所面臨的獨特缺陷檢測挑戰(zhàn)。無論是適合存儲器件缺陷檢測的 2810 系統(tǒng)，還是適合邏輯器件檢測的 2815 系統(tǒng)，都依靠 KLA-Tencor 業(yè)界領先的全光譜光源技術以捕獲最廣泛的缺陷類型，包括嚴重影響成品率的沉浸光刻缺陷。與以往的 2800 系統(tǒng)相比，在同等靈敏度條件下，新系統(tǒng)可在多種應用中實現(xiàn)兩倍以上的生產能力。　　“在
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富士通兩款2Mbit FRAM內存芯片上市

富士通微電子(FujitsuMicroelectronics)宣布其2MbitFRAM內存芯片已開始供貨上市，該產品號稱為目前全球可量產的最大容量FRAM組件。富士通新款MB85R2001和MB5R2002芯片內建非揮發(fā)性內存，具備高速資料寫入、低功耗、大量寫入周期等特點，適用于汽車導航系統(tǒng)、多功能打印機、測量儀器及其它需使用非揮發(fā)性內存來儲存各種參數(shù)、記錄設備操作條件與保存安全信息的各項高階應用。 &nb
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現(xiàn)貨市場熱銷將帶動內存合同價格上揚

受近日現(xiàn)貨市場DRAM內存價格出現(xiàn)反彈影響，業(yè)界人士指出將成為內存合同價格出現(xiàn)大范圍反彈的信號。 DRAMeXchange表示，eTTDDR2內存的價格在一個星期之內上升了27.5%，在6月20日達到2.04美金。而DDR2內存在同一時期也保持了20%的增幅，DDR2內存現(xiàn)在價格已達到2.21美金（667MHz）和2.19美金（533MHz）。 eTT內存主要供
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RAMTRON宣布推出基于8051微控制器VRS51L3174

Ramtron International Corporation宣布推出VRS51L3174這款基于8051微控制器，帶有8KB非易失性FRAM內存，工業(yè)標準的44腳QFP封裝，可以簡便的實現(xiàn)器件升級。Ramtron已將FRAM加入于其高速靈活的Versa 8051s中，以支持高速及可靠的非易失性數(shù)據存儲和處理系統(tǒng)，而該系統(tǒng)只有FRAM-Enhanced™ (增強型) MCU才能提供。 VRS51L3174將8KB FRAM內存與全
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DSP中的存儲器共享與快速訪問技術設計

介紹了在多個DSP之間或者DSP與其他CPU之間存儲器共享技術的基本設計方法，重點介紹了如何在設計上提高存儲器的訪問速度和克服訪問競爭的方法。
關鍵字：技術設計訪問快速存儲器共享 DSP

DRAM價格回暖芯片廠商股價大幅上漲

今天，矽瑪特（SigmaTel）與珠海炬力集成電路設計有限公司就雙方正在進行的專利糾紛達成和解。根據和解協(xié)議條款，雙方將撤銷所有針對對方的未決訴訟。同時，作為和解協(xié)議的一部分，雙方亦達成了為期三年的專利交叉授權協(xié)議。和解協(xié)議的財務條款不會對外公開。此外，雙方還就彼此所擁有的全部專利，達成了交互授權協(xié)議。矽瑪特首席執(zhí)行官 Phil&nbs
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行業(yè)組織再推硬盤加密新標準三年內普及

　　海外媒體消息，可靠計算組織于6月19日公布了一項旨在加強存儲設備安全性的新標準。該標準將大大提高現(xiàn)有存儲設備的安全性，預計會在以后的三年內大規(guī)模推廣。　　該標準采用一種特殊的方法在存儲設備上建立一個分區(qū)，生成和保存密匙，防止未授權用戶訪問設備上的數(shù)據。它同時還具有所謂的全盤加密功能，以防磁盤丟失。而且它還具備快速擦除能力，方便用戶重新定義。該技術還可以同其他加密技術合用，進一步提高系統(tǒng)的安全性。　　目前生產帶全盤加密技術的硬盤的廠商有希捷和日立公司，它們針對的市場都是商用筆記本，實現(xiàn)得方式十分
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DRAM價格回暖芯片廠商股價大幅上漲

　　北京時間6月21日硅谷動力從國外媒體處獲悉：當?shù)貢r間本周四，由于計算機內存芯片價格大幅上漲，包括韓國現(xiàn)代半導體在內的主要亞洲芯片生產商股價均呈現(xiàn)不同程度的上漲。　　根據DRAMeXchange公布的數(shù)據顯示，本周三512MB DDR2內存的現(xiàn)貨價格上漲17%，這同時也是疲軟的內存市場近期出現(xiàn)的罕見的價格反彈現(xiàn)象。由于產量增加再加上市場需求低于預期，今年DRAM芯片價格大幅下滑，各大內存芯片廠商也因此受到不同程度影響。　　業(yè)內分析人士指出，本周三內存現(xiàn)貨價格反彈可能也只是暫時現(xiàn)象，但同時也堅
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富士通宣布批量提供2Mbit的鐵電存儲器IC

　　富士通微電子（上海）有限公司今天宣布可提供富士通微電子2兆位（Mbit）的FRAM存儲芯片，這是世界上批量生產的最大容量FRAM。富士通MB85R2001和MB5R2002非易失性存儲器具有高速數(shù)據寫入、低功耗并可提供大量寫周期等特征。它們是汽車導航系統(tǒng)、多功能打印機、測量儀表及其它使用非易失性存儲器來存儲各種參數(shù)、記錄設備操作條件并安全保存信息的高端設備的理想選擇。　　FRAM的高速數(shù)據寫入和大量可用寫周期使得其可以作在辦公設備中存儲計數(shù)或參數(shù)、記錄各種事項之用。FRAM有100億個讀/寫周期，
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Freescale擴展MRAM的產品系列

　　嵌入式半導體設計和制造領域的Freescale半導體成功推出3伏4Mbit擴展溫度范圍（-40至+105C）非易失性RAM （nvRAM）產品，從而擴展了公司獲獎的磁電阻式隨機存儲器（MRAM）系列產品。該設備可用于惡劣的應用環(huán)境，如工業(yè)、軍事、航空和汽車設計等。　　Freescale還通過推出一種1Mbit器件擴展了它的商用MRAM 產品系列。該器件可為系統(tǒng)設計師提供一種密度選擇，并專注于主流嵌入式產品市場上的“sweet spot”。此外，F(xiàn)reescale還計劃進一步擴
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設備，用來存放程序和數(shù)據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構成構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]