存儲器文章最新資訊

DDR3測試產(chǎn)能不足　DRAM封測廠加緊進設(shè)備

　　隨著各家DRAM廠加快腳步轉(zhuǎn)進DDR3，對后段廠而言，封裝產(chǎn)能利用率處于高檔，然測試、預燒等相關(guān)產(chǎn)能則呈不足現(xiàn)象，各家封測廠上演搶機臺戲碼，希望能夠盡量提前讓機臺進駐廠區(qū)，隨著工作天數(shù)恢復正常，存儲器封測廠3月接單熱絡(luò)，預期單月營收應可處于歷史高檔水平。　　受惠于2010年存儲器市場復蘇，以及DDR2轉(zhuǎn)換至DDR3速度加快，力成訂單能見度延展至6~7月，華東也看到4月訂單。整體產(chǎn)能利用率依舊維持滿載，客戶端需求非常強勁，產(chǎn)出速度還跟不上訂單的腳步。尤其在測試部分，卡在測試機臺供應不及，測試產(chǎn)能不足
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TIMC停擺傳言滿天飛　臺面下耳語連連

　　臺“經(jīng)濟部”長施顏祥今日將會見DRAM相關(guān)業(yè)者，業(yè)者最期待經(jīng)濟部如何處理臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)的問題。雖然再造方案面臨停擺，但市場風風雨雨的傳言卻從未停歇，包括之前傳出TIMC可能會藉瑞晶的殼，執(zhí)行B計畫來大復活，導致力晶堅持要買回瑞晶股份來提防;再者，TIMC員工并入瑞晶，在新竹辦公室更傳出清算的動作，更被解讀為掩護TIMC地下化的假動作，然這一切傳言，可望在施顏祥對外說明后，正式告一段落。　　「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」回到1年前的原點，尤其在立法院堅持杯葛國發(fā)基金
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ST推出雙接口EEPROM，實現(xiàn)電子設(shè)備參數(shù)無線存取

　　意法半導體今天宣布一全新射頻EEPROM芯片系列的首款產(chǎn)品M24LR64樣片正式上市。新產(chǎn)品能夠讓客戶在供應鏈中任何環(huán)節(jié)、產(chǎn)品生命周期的任何時間靈活地無線設(shè)置或更新電子產(chǎn)品參數(shù)，設(shè)備制造商無需連接編程器，甚至無需打開產(chǎn)品包裝，即可更新產(chǎn)品參數(shù)，設(shè)置軟件代號或激活軟件。這個創(chuàng)新的存取方法不僅能使設(shè)備廠商為產(chǎn)品增加新功能，同時還能降低制造成本，簡化庫存管理流程，快速應對瞬息萬變的市場需求。　　M24LR64是一款內(nèi)置標準I2C串口的EEPROM存儲器，可與大多數(shù)微控制器或ASIC芯片通信，此外，還提供
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經(jīng)濟刺激計劃帶動半導體產(chǎn)業(yè)復蘇

　　目前，全球半導體產(chǎn)業(yè)正在復蘇，各國推出的大規(guī)模經(jīng)濟刺激計劃使平板電視和智能手機需求大增，市場價格快速回升，半導體企業(yè)整體業(yè)績也大幅改觀。　　除了各國政府的經(jīng)濟刺激計劃外，企業(yè)也通過大規(guī)模減產(chǎn)和工廠重組來減少供應，2009年上半年半導體市場開始逐漸復蘇。2010年1月，容量為1G的電腦存儲器價格平均每個2.45美元，比2008年12月時的最低價格高出近4倍;USB閃存也達到每個2美元，漲了近1倍。　　排名全球半導體行業(yè)第三的東芝2009年第三財季半導體業(yè)務(wù)盈利47億日元，與2008年虧損1174
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基于FLASH星載存儲器的高效管理研究

NAND FLASH開始廣泛應用于星載存儲器,針對FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應用的數(shù)據(jù)存儲特點,引入文件系統(tǒng)的概念對存儲器數(shù)據(jù)進行管理,制定了針
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全球存儲器短缺的三個理由

　　2010年全球存儲器可能出現(xiàn)供應缺貨，而且非?？赡軙永m(xù)下去。為什么?可能有三個原因，1)，存儲器市場復蘇;2)，前幾年中存儲器投資不足;3)，由ASML供應的光刻機交貨期延長。　　巴克菜投資公司的分析師 Tim Luke在近期的報告中指出，通過存儲器的食物供應鏈看到大量的例證，認為目前存儲器供應偏緊的局面將持續(xù)2010整年，甚至延伸到2011年。　　據(jù)它的報告稱，2010年全球NAND閃存的位增長可達70%，而2009增長為41%。2010年全球DRAM的位增長達52%。　　Luke認為
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三星：12寸廠到2015年將不符經(jīng)濟效益

　　三星電子(Samsung Electronics)高層近期表示，2010年全球半導體市場成長最快的是亞洲地區(qū)，消化全球70%芯片產(chǎn)出，未來包括PRAM 、OXRAM、STT-MRAM、Polymer Memory等技術(shù)，皆有助于提升效率并降低成本，都是存儲器技術(shù)的明日之星，而現(xiàn)在位居主流地位的12寸晶圓廠，預計到2015年將不符合經(jīng)濟效益，屆時將迎接18寸晶圓廠時代來臨。　　三星電子資深副總裁文周泰(Joo-Tai Moon)日前參加首爾SEMICON國際半導體展時指出，在全球半導體市場中，亞洲地
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2010請帶著希望上路

　　對于整個電子產(chǎn)業(yè)來說，2009是個幸福缺失的年份，不管我們?nèi)绾瓮春捱@一場金融風暴帶來的腥風血雨，至少我們已經(jīng)撕去了屬于2009年最后一頁日歷，迎來了嶄新年輪的開始。既然最黑暗的時刻都已經(jīng)挺過來了，未來總會比現(xiàn)在光明些吧。　　從2008年四季度開始的這場金融風暴，在重創(chuàng)了全球經(jīng)濟的同時，不可避免地將整個電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平拉回了2001年。經(jīng)歷過2008年的全行業(yè)深淵性墜落之后，在一片肅殺悲觀中到來的2009堪稱整個產(chǎn)業(yè)驚心動魄的一年，多家分析機構(gòu)不斷下調(diào)對半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的預期，最可怕的數(shù)據(jù)預測整
關(guān)鍵字：邏輯電路微處理器存儲器摩爾定律 201001

世界半導體市場回顧與展望

　　歲末年初，又到了總結(jié)與展望之時，綜合業(yè)界的信息得知：全球半導體市場在2009年陷入困境幸而回穩(wěn)，而2010年將重新步入快速發(fā)展之路，這一觀點已成共識。　　變數(shù)多多的2009年　　2009年的世界半導體市場變化真是光怪陸離、變幻莫測，為筆者所首見。　　回望一年來公布的數(shù)據(jù)，連連更迭，令人無所適從。例如，為業(yè)界推崇的WSTS(世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會)2008年11月所作的秋季預測，認為2009年世界半導體市場將僅略降2.8%，可到2009年6月的春季預測，時隔半年便來了個大跳水，驟然劇降21.
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滿足StrataFlash嵌入式存儲器要求的LDO應用電路

滿足StrataFlash嵌入式存儲器要求的LDO應用電路,德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調(diào)節(jié)器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存儲器(J30)轉(zhuǎn)向它的第四代130nm StrataFlash嵌入式存
關(guān)鍵字：德州儀器 LDO 應用電路要求存儲器 StrataFlash 嵌入式滿足

用中檔FPGA實現(xiàn)高速DDR3存儲器控制器

由于系統(tǒng)帶寬不斷的增加，因此針對更高的速度和性能，設(shè)計人員對存儲技術(shù)進行了優(yōu)化。下一代雙數(shù)據(jù)速率（DDR）SDRAM芯片是DDR3 SDRAM。 DDR3 SDRAM具有比DDR2更多的優(yōu)勢。這些器件的功耗更低，能以更高的速度工作，有更高的性能（2倍的帶寬），并有更大的密度。
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DDR3成主流產(chǎn)品海力士增NAND Flash產(chǎn)能

　　據(jù)彭博(Bloomberg)報導，海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品，同時，海力士希望于2010年增加在DRAM市場的市占率，并倍增NAND Flash的產(chǎn)能。　　根據(jù)研究機構(gòu)iSuppli資料，2009年第3季海力士于全球DRAM市場市占率為21.7%，落后三星電子(Samsung Electronics)的35.5%，　　海力士也將增加NAND Flash產(chǎn)能，金鐘甲表示，2010年底前海力士計劃倍增NAND
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存儲器產(chǎn)業(yè)持續(xù)升溫金士頓海力士緊密合作

　　2010年存儲器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫，許多熬過景氣低潮期但口袋空空的存儲器大廠，紛積極募資搶錢，而最直接方式便是向下游存儲器模塊廠借錢，未來再以貨源抵債，近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達1億美元金援，未來將以DRAM和NANDFlash貨源償還，形成魚幫水、水幫魚的上下游緊密合作關(guān)系。海力士可望以此筆金援將NANDFlash制程大量轉(zhuǎn)進32奈米，全力從美光(Micron)手上搶回全球NANDFlash三哥寶座，并防止三星電子(SamsungElectronics)和東芝(Tosh
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存儲器大廠Micron與澳大利亞公司組成太陽能合資公司

　　存儲器大廠Micron以50：50比例與澳大利亞Origin Energy公司組成合資的光伏技術(shù)公司。　　至此關(guān)于合資公司的細節(jié)未能透露。2009年5月Micron曾準備化500萬美元來促進LED Solar方面的嘗試。　　該項目執(zhí)行總經(jīng)理Andrew Stock表示將利用Micron在存儲器方面的實力來推動光伏發(fā)展及市場化。　　Origin Energy是澳大利亞領(lǐng)先的集成能源公司，工作范圍涉及天然氣,石油開釆與生產(chǎn)、發(fā)電及能源行業(yè)。該公司列于澳大利亞股票市場ASX的前20位，有近400
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為什么存儲器是產(chǎn)業(yè)的風向標

　　存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應用市場面寬，使其半導體業(yè)中有獨特的地位。業(yè)界有人稱它為半導體業(yè)的風向標。　　縱觀DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲器廠退出，表示循環(huán)的結(jié)束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢達最先退出。奇夢達的退出使市場少了10萬片的月產(chǎn)能。　　在全球硅片尺寸轉(zhuǎn)移中，存儲器也是走在前列，如
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]