存儲器文章最新資訊

一年之隔芯片市場形勢冰火兩重天

　　對于全球半導(dǎo)體業(yè)，如果比較2009 Q1與2010 Q1的結(jié)果感覺如兩重天。2009年Q1時感覺一場災(zāi)難來臨，心中無底，反復(fù)詢問“何時走出谷底”?而到2010年Q1時，產(chǎn)業(yè)似乎來了個大逆轉(zhuǎn)，好得有點出奇，樂壞了全球市場分析公司，它們有用武之地，但是企業(yè)家們卻在冷靜的思考，是“真的來臨了嗎”? 　　兩重天　　據(jù)SIA公布的2010年Q1全球半導(dǎo)體銷售額為692億美元，與2009年Q1的437億美元相比增長達(dá)58%。另外據(jù)IC Insigh
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三星半導(dǎo)體社長：今年存儲器將供不應(yīng)求

　　三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)部社長權(quán)五鉉表示，2010年存儲器將供不應(yīng)求，且將在第2季內(nèi)決定半導(dǎo)體領(lǐng)域的追加投資規(guī)模。　　權(quán)五鉉出席4日在首爾三成洞GRAND InterContinental飯店召開的韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會2010年定期總會時說明，若期望在2010年內(nèi)看到追加投資成果，第4季前所有裝備必須就定位，以交貨時間為考量推算，第2季就須先確定投資計畫。　　權(quán)五鉉未發(fā)表具體追加投資金額，業(yè)界猜測約為4兆韓元(約35.88億美元)。　　權(quán)五鉉對于延后確認(rèn)半
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追趕65納米

　　在渡過困難的09年后,全球半導(dǎo)體業(yè)迎來新一輪的高潮。市場相繼出現(xiàn)存儲器, 模擬電路等缺貨現(xiàn)象及OEM庫存不足。具風(fēng)向標(biāo)意義的1Gb DDR2價格由1,5美元升至3,0美元, 所以虧損了近3年的美光, 爾必達(dá)及海力士都報導(dǎo)扭虧為盈, 預(yù)計2010年全球DRAM增長40%,可達(dá)319億美元。　　以臺積電為首的代工業(yè)也是看好, 預(yù)計今年有20%的增長。2010年Q1，它的65納米先進(jìn)制程取消淡季的固定優(yōu)惠，實際上是變相的價格上漲。臺積電去年第四季營收920.9億臺幣，季增2.4%，65納米占營收30%，
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基于單片機(jī)P0口的片外數(shù)據(jù)存儲器擴(kuò)展

單片機(jī)作為一種微型計算機(jī)，其內(nèi)部具有一定的存儲單元(8031除外)，但由于其內(nèi)部存儲單元及端口有限，很多情況下難以滿足實際需求。為此介紹一種新的擴(kuò)展方法，將數(shù)據(jù)線與地址線合并使用，通過軟件控制的方法實現(xiàn)數(shù)據(jù)線與地址線功能的分時轉(zhuǎn)換，數(shù)據(jù)線不僅用于傳送數(shù)據(jù)信號，還可作為地址線、控制線，用于傳送地址信號和控制信號，從而實現(xiàn)單片機(jī)與存儲器件的有效連接。以單片機(jī)片外256 KB數(shù)據(jù)存儲空間的擴(kuò)展為例，通過該擴(kuò)展方法，僅用10個I／O端口便可實現(xiàn)，與傳統(tǒng)的擴(kuò)展方法相比，可節(jié)約8個I／O端口。
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基于單片機(jī)的FIash存儲器壞塊自動檢測

在深入了解Flash存儲器的基礎(chǔ)上，采用單片機(jī)自動檢測存儲器無效塊。主要通過讀取每一塊的第1、第2頁內(nèi)容，判斷該塊的好壞，并給出具體的實現(xiàn)過程，以及部分關(guān)鍵的電路原理圖和C語言程序代碼。該設(shè)計最終實現(xiàn)單片機(jī)自動檢測Flash壞塊的功能，并通過讀取ID號檢測Flash的性能，同時該設(shè)計能夠存儲和讀取1 GB數(shù)據(jù)。
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海力士1Q獲利季增25%

　　韓國半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)公布2010會計年度第1季 (2010年1~3月)財報，與2009年同期凈損1.18兆韓元(約10.62億美元)相比，海力士本季達(dá)成獲利8,220億韓元，比前季成長25%。營收則達(dá)2.82兆韓元，比2009年同期成長115%，亦比前季略增220億韓元。　　海力士營收穩(wěn)定成長，主要受到存儲器市場景氣興盛、DRAM出貨量增加及存儲器平均價格拉臺刺激。　　海力士表示，DRAM本季平均價格成長3%、出貨量成長6%。NAND Flash平均價格雖下滑8%，然出貨量持平。
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三星、海力士停電　PC恐受沖擊

　　存儲器大廠三星電子(Samsung Electronics)器興廠3月底甫發(fā)生停電事件，海力士(Hynix)位于韓國M10廠房21日亦出現(xiàn)停電意外，海力士宣稱僅發(fā)生0.1秒瞬間電壓下降，由于有不斷電系統(tǒng)支應(yīng)，并未造成任何損失，存儲器業(yè)者則傳出這次海力士實際停電時間是下午1~3點，長達(dá)2小時之久，盡管停電事件對于實際產(chǎn)出影響有限，然因目前DRAM市場供給嚴(yán)重吃緊，若韓系大廠再減少一些產(chǎn)能，恐怕將對PC廠出貨造成沖擊。　　海力士位于韓國京畿道M10廠房在 21日下午傳出突然停電事件，公司在第1時間出面
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海力士擬再融資其5.83億美元可轉(zhuǎn)換債券

　　據(jù)路透(Reuters)報導(dǎo)，韓國半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)表示，正在考慮為2007年釋出的5.83億美元可轉(zhuǎn)換債券進(jìn)行再融資，該批可轉(zhuǎn)換債券原定2010年5月可提前贖回。　　海力士尚未決定再融資的方式及時間細(xì)節(jié)，且尚未決定要由哪里家銀行經(jīng)手。韓國媒體則點名摩根大通 (JP Morgan)、高盛(Goldman Sachs)、瑞士信貸銀行(Credit Suisse)、美林證券(Merrill Lynch)及蘇格蘭皇家銀行(Royal Bank of Scotland)可能為經(jīng)手商。　　海
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山東打造集成電路產(chǎn)業(yè)化基地

　　編者點評(莫大康 SEMI China顧問)：山東要建12英寸，取名華芯，己經(jīng)有一個班底，而且兼并了奇夢達(dá)科技西安有限公司，成立了一流的動態(tài)存儲器芯片設(shè)計開發(fā)團(tuán)隊，其注冊資金3億元等。山東對于存儲器有想法是值得贊頌。然而看存儲器業(yè)的規(guī)律，不是肯投資就能成功，如臺灣地區(qū)己累計投資達(dá)300億美元,使得臺灣地區(qū)的12英寸產(chǎn)能為月產(chǎn)50萬片(08年Q2時,全球存儲器最大產(chǎn)出時為每季140萬片),與韓國一樣多。然而在全球存儲器的市場份額中(依銷售額計)卻遠(yuǎn)低于韓國,大約比例為45%;15%，差3倍。所以除了投資
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存儲器中采用銅工藝對于設(shè)備市場的影響

　　按Information Network總裁Robert Casterllano的說法,2009年存儲器芯片向銅互連工藝過渡開始熱了起來，由此雖然2009年整個半導(dǎo)體設(shè)備市場下降超過40%以上, 而與銅互連直接相關(guān)連的設(shè)備僅下降8.7%。　　在2006未Micron技術(shù)公司首先在DRAM產(chǎn)品制造中采用銅工藝代替鋁。一年之后Elpida跟進(jìn)。之后所有的存儲器制造商, 以三星為首都對于存儲器生產(chǎn)線進(jìn)行升級改造, 導(dǎo)入銅工藝。因此影響了2009年銅淀積設(shè)備和材料的市場。公司認(rèn)為此種趨勢將影響半導(dǎo)體設(shè)備市
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NEC與美國Netezza公司共同開發(fā)數(shù)據(jù)倉庫應(yīng)用系統(tǒng)

　　近日，NEC宣布將與美國Netezza公司共同開發(fā)數(shù)據(jù)倉庫(DWH)應(yīng)用系統(tǒng)，該產(chǎn)品對基干系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲、分析，為企業(yè)提供決策支持。　　Netezza公司是最早開發(fā)DWH應(yīng)用系統(tǒng)的廠商，憑借其產(chǎn)品的優(yōu)秀管理性能和易用性贏得了市場的認(rèn)可，成為商業(yè)智能(BI)/DWH領(lǐng)域的領(lǐng)先公司。目前Netezza公司已經(jīng)贏得了眾多客戶，來自于通信業(yè)、金融業(yè)、零售業(yè)、制藥業(yè)、政府機(jī)關(guān)等諸多行業(yè)。　　此次，由兩家公司共同開發(fā)的產(chǎn)品，由組成DWH的最基本要素，數(shù)據(jù)庫?軟件、服務(wù)器、存儲器構(gòu)成。該產(chǎn)品通過Ne
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NIOS II的SOPC中存儲器型外設(shè)接口的設(shè)計

NIOS II的SOPC中存儲器型外設(shè)接口的設(shè)計,0 引言

隨著微電子設(shè)計技術(shù)與工藝的發(fā)展，數(shù)字集成電路由最初的電子管、晶體管逐步發(fā)展成專用集成電路(ASIC，Application Specific IntegratedCircuit)，同時可編程邏輯器件也取得了長足進(jìn)步。

如今，可完成超
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DRAM廠吹史上最大減資潮　南亞科、力晶、茂德瘦身逾千億新臺幣

　　臺DRAM產(chǎn)業(yè)大吹減資風(fēng)，繼2009年第3季南亞科完成減資66%，力晶12日宣布減資38%，減資后凈值6.9元，預(yù)期以力晶目前獲利能力，第3季底完成減資后，凈值可望提升至10元以上，而下一個可能減資的DRAM廠將是茂德，預(yù)計在股東會提出減資計畫機(jī)率相當(dāng)高，屆時臺灣3家DRAM 廠減資金額合計超過新臺幣1,000億元，成為臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)史上最大規(guī)模集體瘦身運動。　　2010年全球DRAM產(chǎn)業(yè)景氣大好，各廠紛掌握此機(jī)會辦理減資以獲得重生，繼南亞科2009年完成66%減資計畫后，力晶12日董事會亦通過
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C8051F35X單片機(jī)內(nèi)部Flash存儲器的擦寫方法

摘要：為避免在程序運行時向單片機(jī)內(nèi)置的Flash寫入數(shù)據(jù)導(dǎo)致復(fù)位，采用調(diào)用鎖定與關(guān)鍵碼的操作方法對C2805lF35X型單片機(jī)的Flash進(jìn)行擦除、寫入和讀取操作，并提供程序范例。該方法無需任何接口電路，使用方便，成本低
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金援DRAM廠再添一例創(chuàng)見借貸15億予力晶

　　2010年DRAM貨源持續(xù)短缺，由于Windows 7換機(jī)潮驅(qū)動下，PC大廠DRAM采購規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，排擠到存儲器模塊廠的貨源，為進(jìn)一步確保與DRAM廠間的合作關(guān)系，且彼此拉進(jìn)距離，日前創(chuàng)見董事會同意貸款給力晶新臺幣15億元，同時以瑞晶股票作擔(dān)保品，并依債權(quán)的100%設(shè)定質(zhì)權(quán)予創(chuàng)見。　　過去DRAM價格崩盤之時，也常出現(xiàn)存儲器模塊廠金援上游廠的例子，彼此互相協(xié)助來共度難關(guān)，以往模塊廠常以預(yù)付貨款的方式，協(xié)助DRAM廠買原物料生產(chǎn)，再以?？顚Ｓ梅绞絹泶_保產(chǎn)能回銷給模塊廠。　　創(chuàng)見指出，這次貸款給
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機(jī)程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]