存儲器文章最新資訊

福布斯：半導(dǎo)體行業(yè)顯現(xiàn)V形復(fù)蘇跡象

　　《福布斯》雜志網(wǎng)絡(luò)版日前撰文指出，隨著中國和印度等新興經(jīng)濟體對智能手機的越來越癡迷，全美庫存減少訂單上升，半導(dǎo)體行業(yè)開始觸底反彈、顯現(xiàn)V形復(fù)蘇的跡象。　　商業(yè)環(huán)境得到改善　　與互聯(lián)網(wǎng)息息相關(guān)的全球經(jīng)濟依然存在，電子設(shè)備生產(chǎn)行業(yè)也在經(jīng)歷低谷之后，開始呈現(xiàn)V形復(fù)蘇。盡管大多數(shù)芯片制造商迄今業(yè)績都有適度改善，分析師預(yù)測仍認為這個行業(yè)還受到諸多因素的限制，但強勁反彈的苗頭正開始顯現(xiàn)，這勢必顯著推動對全行業(yè)的良好預(yù)期。專有內(nèi)容芯片庫存有望率先突出重圍，也許會很快恢復(fù)到去年夏天銷量暴跌以前的水平。　　
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存儲器業(yè)或已過景氣谷底但前景仍未見光明

　　存儲器芯片產(chǎn)業(yè)景氣在歷經(jīng)兩年來的大滑坡之後，看來似乎已經(jīng)落底，但未來恐難重拾昔日科技業(yè)金雞母的豐采。　　更慘的是，部分分析師認為近期存儲器芯片價格上漲，讓迫切需要進行的產(chǎn)業(yè)重整工作受阻，使得產(chǎn)業(yè)仍呈現(xiàn)過度擁擠狀態(tài)，易于受到周期性景氣榮枯的沖擊。　　“除了產(chǎn)業(yè)龍頭三星電子之外，其他動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)業(yè)者都必需想出對策以保留現(xiàn)金及繼續(xù)存活。”富邦投顧研究部協(xié)理李克揚表示。　　長期來看，部分業(yè)者很難獨自走出活路。　　臺灣政府今年稍早成立臺灣存儲器公司(TM
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富士通推出兩款125°C規(guī)格的低功耗SiP存儲器

　　富士通微電子(上海)有限公司今日宣布推出兩款新型消費類FCRAM(*1)存儲器芯片-512 Mb(MB81EDS516545)和256 Mb(MB81EDS256545)。這兩款芯片支持DDR SDRAM接口，是業(yè)界首推的將工作溫度范圍擴大至125°C的芯片。富士通微電子今日起開始提供這兩款新型FCRAM產(chǎn)品。這兩款低功耗存儲器適用于數(shù)字電視、數(shù)字視頻攝像機等消費類電子產(chǎn)品的系統(tǒng)級封裝(SiP)。　　如果SiP架構(gòu)上的片上系統(tǒng)(SoC)整合了新型FCRAM芯片，當(dāng)SiP工作速度提高導(dǎo)致工作
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美硅谷公司開發(fā)出數(shù)據(jù)存儲新技術(shù) 有望取代NAND閃存

　　美國硅谷一家公司19日宣布開發(fā)出一種新技術(shù)，并計劃利用它來制造比閃存容量更大、讀寫速度更快的新型存儲器。　　這家名為“統(tǒng)一半導(dǎo)體”的公司發(fā)布新聞公報說，新型存儲器的單位存儲密度有望達到現(xiàn)有NAND型閃存芯片的4倍，存儲數(shù)據(jù)的速度有可能達到后者的5倍到10倍。　　NAND型閃存因為存儲容量大等特點，目前在數(shù)碼產(chǎn)品中應(yīng)用比較廣泛。但也有一些專家認為，NAND型閃存未來可能遭遇物理極限，容量將無法再進一步提高。“統(tǒng)一半導(dǎo)體”表示，其制造的新型存儲器旨在
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DRAM業(yè)自救　臺塑砸百億新臺幣

　　DRAM產(chǎn)業(yè)面對臺灣存儲器公司(TMC)成立，已逐漸接受當(dāng)前事實，尤其現(xiàn)階段資金問題仍相當(dāng)窘迫，各家DRAM廠都開始展開自救運動。存儲器業(yè)者透露，臺塑集團已撥款逾新臺幣100億元，力挺旗下南亞科和華亞科，宣示力拼DRAM產(chǎn)業(yè)決心;力晶除出售手上瑞晶持股給爾必達(Elpida)，亦傳出12寸晶圓廠有停工計畫;至于茂德中科廠考慮作1個月休1個月。不過，各DRAM廠對于上述說法均不予證實，力晶董事長黃崇仁則表示，只是依季節(jié)性作調(diào)整，依照目前DRAM現(xiàn)貨價格決定投片多少。　　臺DRAM廠對于政府整合產(chǎn)業(yè)結(jié)
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利用C8051F020的SPI接口擴展大容量數(shù)據(jù)存儲器

引言在以網(wǎng)絡(luò)通訊、軟件和微電子為主要標志的信息產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的今天，以為微處理器為核心的嵌入式系統(tǒng)隨處可見，這些系統(tǒng)應(yīng)用的典型例子包括移動電話系統(tǒng)、汽車的應(yīng)用、家用電器、航天應(yīng)用、醫(yī)療設(shè)備和國防系統(tǒng)等[1
關(guān)鍵字：大容量數(shù)據(jù) 存儲器擴展接口 C8051F020 SPI 利用串行外設(shè)接口 SOC 單片機數(shù)據(jù)存儲器 C8051F020 軟件

分析師：3月芯片市場企穩(wěn)

　　市場調(diào)研公司Carnegie Group的分析師指出，3月全球芯片銷售額三個月平均額估計為147億美元，較2月的142億美元增長5%，較去年3月減少30%，與2月和1月的同比跌幅相當(dāng)。　　PC、存儲器、LCD和汽車用芯片銷售額都較2月有所改善。然而，消費電子產(chǎn)品支出在3月有所減弱，1月和2月消費電子顯示出驚人的反彈。對供應(yīng)鏈存量縮減的平衡并不能說明庫存周期開始朝正面的方向發(fā)展。
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IMEC向Samsung提供嵌入式SRAM可制造設(shè)計工具

　　近日IMEC成功地將靜態(tài)存儲器分析工具MemoryVAM轉(zhuǎn)交給Samsung。該工具可預(yù)估深亞微米IC技術(shù)中因工藝不穩(wěn)定而造成的SRAM成品率損失。　　該工具同時還幫助存儲器和系統(tǒng)設(shè)計者估算由于周期時間、存取時間和功耗等工藝因素變化而造成的成品率降低
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三星開始DDR3存儲器量產(chǎn)

　　為了配合英特爾不久前剛宣布的Xeon 5500系列處理器的需求問題，三星電子準備開始50納米的DDR3量產(chǎn)。　　DDR3是第3代的同步雙速率存儲器。三星及業(yè)界都相信今年底將成為全球存儲器的主流技術(shù)。但也有些分析師，包括Needham的Edwin Mok認為DDR3今年可能不會有實質(zhì)性的太多進展。　　三星表示DDR3能使設(shè)計servers的OEM與DDR2相比較，每個系統(tǒng)提升到192Gb，并在功能提高一倍時功耗降低60%(速度提高到每秒133Mb時)。　　未來Xeon 5500處理器結(jié)合DD
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SanDisk專利保護網(wǎng)支離破碎　NAND Flash帝國傾倒

　　SanDisk與全球25家NAND Flash相關(guān)業(yè)者的侵權(quán)官司纏訟1年多，日前終于確定SanDisk敗訴，讓內(nèi)存模塊廠和控制芯片業(yè)者大大松了一口氣!存儲器廠商認為，臺灣模塊廠在NAND Flash領(lǐng)域默默耕耘多年，把NAND Flash市場大餅越作越大，但最后SanDisk卻撒下專利天羅地網(wǎng)，想把大家一網(wǎng)打盡，所幸最后官司結(jié)果，沒有讓SanDisk坐享其成!惟SanDisk 2008年起在閃存本業(yè)上虧損連連，與三星電子(Samsung Electronics)的收購計劃，又鬧的不可開交，這次專利官司
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閃速存儲器硬件接口和程序設(shè)計中的關(guān)鍵技術(shù)

閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等諸多優(yōu)點廣泛地應(yīng)用于辦公設(shè)備、通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、家用電器等領(lǐng)域。利用其信息非易失性和可以在線更新數(shù)據(jù)參數(shù)特性，可將其作為具有一定靈活性的只
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爾必達與臺灣TMC考慮交叉持股以加強合作關(guān)系

　　日本個人電腦(PC)存儲器廠商爾必達記憶體和臺灣記憶體公司(TMC)正在考慮交叉持股，鞏固他們新近達成的合作關(guān)系，此舉提振爾必達和臺灣同業(yè)股價連續(xù)第二天上揚。　　周三，TMC選中爾必達作為其技術(shù)合作夥伴。爾必達周四表示可能允許TMC持其10%左右的股份，并購入TMC股份，TMC是臺灣官方為拯救記憶體晶片(存儲器芯片)產(chǎn)業(yè)而成立的新公司。　　過去一年的大部分時間，由于供應(yīng)過剩和需求遲滯引發(fā)全球形勢低迷，動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)廠商一直為虧損所困擾。爾必達和臺灣企業(yè)試圖通過合作，更好地與行業(yè)
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Flash Memory作為數(shù)據(jù)存儲器在E5中的應(yīng)用

1． E5的特點及體系結(jié)構(gòu)
E5是位于美國硅谷的公司Triscend 推出的一款全新的CPU，它是基于8051的內(nèi)核，但將微處理器的內(nèi)核，ASCI及可重構(gòu)邏輯陣列集成與一體，構(gòu)成一款CSOC（可配置系統(tǒng)）芯片。Triscend E5的主要特點
關(guān)鍵字： E5 應(yīng)用存儲器數(shù)據(jù) Memory 作為 Flash Triscend E5 閃存映射

FSI國際宣布將ViPR?全濕法去除技術(shù)擴展到NAND存儲器制造

　　美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國際有限公司(納斯達克：FSII)今日宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR?全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA?清洗系統(tǒng)擴展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估?？蛻?/li>
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由外部總線訪問MPC5554的內(nèi)部存儲器

由外部總線訪問MPC5554的內(nèi)部存儲器,本文所述的基于MPC5554和FPGA的測試系統(tǒng)已調(diào)試完成，MPC5554內(nèi)部的Flash存儲器可以通過EBI模塊由外部的FPGA進行讀寫。與外掛的存儲器相比，通信讀／寫速度和系統(tǒng)的可靠性都大大提高。在實際應(yīng)用中，其他處理器也可以像文中的FPGA一樣模擬總線時序。當(dāng)應(yīng)用中不需要數(shù)據(jù)傳輸時，也可將連接配置為普通I／0以作他用，硬件配置靈活。
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]