存儲(chǔ)器文章最新資訊

電源管理IC是DDR SDRAM存儲(chǔ)器的理想選擇

與其它存儲(chǔ)器技術(shù)相比，DDRSDRAM具有出眾性能、很低的功耗以及更具競(jìng)爭(zhēng)力的成本?？膳c以前的SDRAM技術(shù)相...
關(guān)鍵字：電源管理IC DDR SDRAM 存儲(chǔ)器便攜設(shè)備

力晶成立TFC 拋出NAND Flash深水炸彈規(guī)劃投入200億元

　　“經(jīng)濟(jì)部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計(jì)畫(huà)」20日最后截止日期，卻出現(xiàn)戲劇性變化!臺(tái)塑集團(tuán)旗下南亞科和華亞科宣布不送件，形同退出這次計(jì)畫(huà);而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并將這次臺(tái)灣存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)整合規(guī)模推升到NAND Flash格局，反將了臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)一軍。力晶董事長(zhǎng)黃崇仁表示，2010年將投入40奈米制程量產(chǎn)NAND Flash，且100%為自有技術(shù)，比任何同業(yè)都符合“經(jīng)濟(jì)部”所要求技術(shù)扎根條件，未來(lái)力晶
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中芯國(guó)際2009年技術(shù)研討會(huì)在京舉行

　　中芯國(guó)際集成電路制造有限公司于10月15日在北京舉行中芯國(guó)際2009年技術(shù)研討會(huì)，也是中芯國(guó)際舉辦的第九屆技術(shù)研討會(huì)。本次研討會(huì)吸引了三百多位來(lái)自全球各地的客戶(hù)、芯片設(shè)計(jì)工程師、技術(shù)合作伙伴與供應(yīng)商等的參與。　　“機(jī)遇挑戰(zhàn) 創(chuàng)新”為本次研討會(huì)的主題。中芯國(guó)際副總裁陳秋峰博士在開(kāi)幕致詞時(shí)，回顧了中芯國(guó)際在過(guò)去幾年中的挑戰(zhàn)與創(chuàng)新，重點(diǎn)介紹了中國(guó)市場(chǎng)的機(jī)遇，指出了中芯國(guó)際未來(lái)順應(yīng)行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)的發(fā)展方向。中芯國(guó)際感謝所有客戶(hù)、合作伙伴和供應(yīng)商一直以來(lái)的大力支持，并期待未來(lái)以更緊密
關(guān)鍵字：中芯國(guó)際 45納米 65納米存儲(chǔ)器

全球工業(yè)日新月異中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)將如何突圍？

　　在十一長(zhǎng)假中看到的資訊非常感嘆，有臺(tái)積電仍堅(jiān)持在2012年進(jìn)行18英寸硅片試產(chǎn)計(jì)劃;有臺(tái)灣學(xué)者發(fā)表對(duì)于未來(lái)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)的預(yù)測(cè);TI公司利用已有閑置廠(chǎng)房及從奇夢(mèng)達(dá)購(gòu)進(jìn)的300mm存儲(chǔ)器生產(chǎn)線(xiàn)，準(zhǔn)備新建全球第一條300mm模擬電路生產(chǎn)線(xiàn);以及22納米技術(shù)新建一個(gè)新廠(chǎng)及研發(fā)費(fèi)用是多少?及關(guān)于全球代工可能進(jìn)入新一輪的兼并重組等。　　各種來(lái)源的訊息，其中有積極的，也有少部分是悲觀的，反映了半導(dǎo)體工業(yè)的本來(lái)面貌，這是十分正常的。　　涉及到中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的情況也差不多，其中有樂(lè)觀者，它們的觀點(diǎn)就是中國(guó)堅(jiān)持
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宣明智：TIMC營(yíng)運(yùn)計(jì)畫(huà)不變　朝利基型市場(chǎng)挺進(jìn)

　　TIMC成立至今尚未正式獲得政府的資金挹注，然美光(Micron)透過(guò)美國(guó)政府和WTO施壓，引發(fā)外界認(rèn)為T(mén)IMC投資爾必達(dá) (Elpida)的計(jì)畫(huà)是否會(huì)生變?宣明智5日認(rèn)為，此事與TIMC成立規(guī)畫(huà)和投資爾必達(dá)的計(jì)畫(huà)之間沒(méi)有關(guān)連性，不明白外界為何會(huì)如此聯(lián)想，同時(shí)TIMC營(yíng)運(yùn)的概況并不會(huì)受到影響。而工業(yè)局在上周也公開(kāi)力挺表示，TIMC投資爾必達(dá)將有助深化雙方合作，對(duì)于政府推動(dòng)DRAM技術(shù)扎根的策略，相當(dāng)有助益，即使未來(lái)TIMC投資爾必達(dá)，并無(wú)違反 WTO公平競(jìng)爭(zhēng)的原則。　　由宣明智領(lǐng)軍的TIMC雖然已
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英特爾：為產(chǎn)業(yè)融合而重組

　　英特爾在2005年1月17日重組的4年之后，于2009年9月14日再次對(duì)其組織架構(gòu)大刀闊斧地進(jìn)行了重組。　　坊間著實(shí)對(duì)此熱議了一陣。從這些文章的標(biāo)題看，有就事論事說(shuō)主要產(chǎn)品部門(mén)整合到英特爾架構(gòu)事業(yè)部的，也有說(shuō)重組是為了給CEO歐德寧騰出時(shí)間專(zhuān)注企業(yè)戰(zhàn)略的，還有說(shuō)是因?yàn)橹袊?guó)讀者熟悉的基辛格離職去了EMC的，而筆者發(fā)現(xiàn)最多而又最離譜的文章標(biāo)題是《英特爾重組為物色CEO接班人做準(zhǔn)備》。　　西方現(xiàn)代管理制度強(qiáng)調(diào)的是因事用人，而因人設(shè)事最為忌諱。事實(shí)上，英特爾自創(chuàng)始以來(lái)，從諾伊斯到摩爾再到貝瑞特直到現(xiàn)
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三星將新建存儲(chǔ)器生產(chǎn)線(xiàn)

　　三星電子為了滿(mǎn)足高端計(jì)算機(jī)的日益增長(zhǎng)需求，計(jì)劃再新建存儲(chǔ)器生產(chǎn)線(xiàn)，這是近三年來(lái)首次。　　產(chǎn)業(yè)觀察家認(rèn)為三星的決定反映對(duì)于全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)的繼續(xù)看好。同時(shí)它決定全部退出過(guò)時(shí)的8英寸生產(chǎn)線(xiàn)。　　三星的新生產(chǎn)線(xiàn)將于2010年下半年開(kāi)始動(dòng)工，而且據(jù)稱(chēng)將是“終極fab”，可理解為無(wú)論技術(shù)的先進(jìn)性及生產(chǎn)效率都是世界上的最高水平。　　三星已經(jīng)停產(chǎn)于Gyeonggi省Hwaseong的被稱(chēng)作line 10的8英寸生產(chǎn)線(xiàn)。　　目前三星在Hwaseong運(yùn)行共有4條存儲(chǔ)器生產(chǎn)線(xiàn)，如L
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三星市值首度超越英特爾

　　韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo)，9月22日三星電子(Samsung Electronics)市值首度超越全球半導(dǎo)體龍頭英特爾(Intel)。　　韓國(guó)證交所指出，22日三星電子市值達(dá)1,102.4億美元，超越當(dāng)日英特爾市值的1,093.8億美元，預(yù)料日后兩者市值的龍虎之爭(zhēng)將更加激烈。　　據(jù)悉，2008年9月金融危機(jī)爆發(fā)前之時(shí)，英特爾、三星電子的市值分別為1,269億美元、761億美元，兩者間的落差達(dá)508億美元。　　另一方面，三星電子22日的股價(jià)達(dá)82.5萬(wàn)韓元(約686.5美元)，較前1日高出3.38%，創(chuàng)
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中芯國(guó)際中期虧損擴(kuò)大至2.77億美元

　　中芯國(guó)際公布截至09年6月30日止中期業(yè)績(jī)，錄得股東應(yīng)占虧損2.77億美元，每股虧損0.01美元，不派中期息。　　該公司08年同期錄得虧損2.7億美元。　　特許與中芯國(guó)際誰(shuí)更幸運(yùn) 　　阿布扎比金主再次攪動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)，繼上次拯救了AMD的財(cái)務(wù)困境后，此次又花重金收購(gòu)新加坡特許半導(dǎo)體，并將兩者合并組成新的GF。此舉在全球代工業(yè)中產(chǎn)生極大的震蕩，非常明顯此舉既救了特許，同時(shí)又沖著臺(tái)積電而來(lái)。　　處于全球代工第三及第四名的中芯國(guó)際與特許，如今兩者的地位發(fā)生了新的變化，好像特許又找了個(gè)“
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恒憶發(fā)布新款汽車(chē)應(yīng)用存儲(chǔ)器產(chǎn)品

　　在剛剛揭幕的 IIC China 2009 成都站上，恒憶嵌入式產(chǎn)品亞太事業(yè)部市場(chǎng)經(jīng)理?xiàng)铎o雯對(duì)業(yè)界發(fā)表演講，力薦嵌入式系統(tǒng)行業(yè)在簡(jiǎn)化和加快設(shè)計(jì)時(shí)考慮使用存儲(chǔ)器子系統(tǒng)，以利于實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵的成本和時(shí)間優(yōu)勢(shì)，鼓勵(lì)嵌入式系統(tǒng)市場(chǎng)進(jìn)一步創(chuàng)新。同時(shí)，恒憶宣布面向高速發(fā)展的車(chē)載信息應(yīng)用推出一款全新產(chǎn)品。此次新產(chǎn)品的發(fā)布再次證明了恒憶對(duì)嵌入式系統(tǒng)客戶(hù)的承諾，為時(shí)下備受矚目的熱門(mén)應(yīng)用帶來(lái)了更高的性能、靈活性、兼容性和可靠性。　　恒憶宣布其首款車(chē)用eMMC*解決方案正式上市，以滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)車(chē)載信息娛樂(lè)應(yīng)用日益增長(zhǎng)的需求。該
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三星開(kāi)始生產(chǎn)512M相變存儲(chǔ)器

　　三星電子宣布已開(kāi)始512M相變隨機(jī)存儲(chǔ)器的量產(chǎn)，目標(biāo)應(yīng)用于手機(jī)等電池驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品。　　如果三星真能快速實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，那其相變存儲(chǔ)器進(jìn)程將超過(guò)Intel和STMicroelectronics的合資公司Numonyx。　　相變存儲(chǔ)器具有良好的性能，如高速、高密度、低功耗等。但開(kāi)發(fā)時(shí)間非常廠(chǎng)，三星首次宣布512M原型器件是在2006年9月。　　三星稱(chēng)相變存儲(chǔ)器可使電子器件的電池使用時(shí)間提高20%。　　三星并未透露是在哪一個(gè)工廠(chǎng)生產(chǎn)相變存儲(chǔ)器。
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NAND Flash缺貨潮11月前無(wú)解　大廠(chǎng)產(chǎn)能全被包下

　　蘋(píng)果意外在9月初向NAND Flash大廠(chǎng)下訂單，導(dǎo)致NAND Flash供給大幅吃緊，預(yù)計(jì)在2009年11月底之前，缺貨情況仍無(wú)解?，F(xiàn)在三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)產(chǎn)能都被蘋(píng)果包下來(lái)，另外存儲(chǔ)器模塊龍頭大廠(chǎng)金士頓(Kingston)則是包下英特爾70%的NAND Flash產(chǎn)能，雙方成為長(zhǎng)期合作伙伴，顯示未來(lái)全球4大NAND Flash廠(chǎng)能釋出的產(chǎn)能相當(dāng)少，缺貨潮將延燒到11月。　　存儲(chǔ)器業(yè)者表示，這次NAND Flash缺貨潮相
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Ramtron推出串口F-RAM存儲(chǔ)器FM25L16-GA

　　世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商 Ramtron International Corporation宣布推出串口F-RAM存儲(chǔ)器FM25L16-GA，進(jìn)一步擴(kuò)大其符合AEC-Q100汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)要求的F-RAM存儲(chǔ)器系列陣容。FM25L16-GA是16Kb串口F-RAM存儲(chǔ)器，可在-40°C至+125°C的Grade 1汽車(chē)溫度范圍工作，是Ramtron不斷增長(zhǎng)的符合Grade 1和Grade 3 AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的汽車(chē)存儲(chǔ)器產(chǎn)品的新成員。
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存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)可望出現(xiàn)DRAM、NAND Flash雙好行情

　　DRAM價(jià)格趨于穩(wěn)定，1Gb容量提前在9月初站上1.7美元，臺(tái)廠(chǎng)面對(duì)這樣美好的光景，心中還是有些疑慮，擔(dān)心三星電子(Samsung Electronics)會(huì)從中作梗，破壞DRAM價(jià)格漲勢(shì)，然現(xiàn)在蘋(píng)果(Apple)強(qiáng)勁追加NAND Flash訂單，且隨著智能型手機(jī)價(jià)格平民化的趨勢(shì)，未來(lái)內(nèi)建高容量存儲(chǔ)器普及，都讓各界相當(dāng)看好2010年NAND Flash市場(chǎng)前景，三星在喜迎蘋(píng)果大單之余，也無(wú)暇與臺(tái)系DRAM廠(chǎng)廝殺，暌違多年的DRAM和NAND Flash雙好行情可望再現(xiàn)。　　2009 年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)觸
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世界半導(dǎo)體市場(chǎng)企穩(wěn)向好

　　二季度半導(dǎo)體市場(chǎng)凸顯張揚(yáng) 　　深陷困境的世界半導(dǎo)體市場(chǎng)，突然在二季度爆發(fā)，業(yè)界歡呼相告。　　據(jù)IC Insights市場(chǎng)調(diào)查公司最新報(bào)告，半導(dǎo)體市場(chǎng)在去年四季度環(huán)比大降26%，今年一季續(xù)降14%之后，二季度卻大幅上揚(yáng)16%，這在過(guò)去25年歷史中是第4個(gè)最高的環(huán)比增長(zhǎng)速度，點(diǎn)燃了人們的信心和希望。　　只是雖然二季度市場(chǎng)規(guī)模約達(dá)450億美元，同比還是下降了21%。
關(guān)鍵字： Intel 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 200909

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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]