存儲器文章最新資訊

Cypress簽署寅通科技推展基于130納米和65納米工藝技術的SONOS嵌入式閃存記憶體解決方案

　　賽普拉斯半導體公司于今日宣布,該公司已授權寅通科技股份有限公司(Innopower) 推展130納米和65納米的SONOS嵌入式NVM(Non-Volatile Memory)存儲器技術的IP。根據授權協議，寅通科技(Innopower)將結合賽普拉斯的技術，運用其技術支持服務和其它IP去幫助IC設計師在下一代SOC和集成賽普拉斯NVM解決方案的新ASIC設計。　　賽普拉斯的NVM解決方案采用SONOS的技術，與現行可用的邏輯技術相兼容。該NVM解決方案是OTP和MTP技術的可調性(Scalabl
關鍵字： Cypress 存儲器 130納米 65納米

iPad 2供應商一覽

　　蘋果(Apple) 3月2日正式對外發(fā)表iPad 2，據韓國媒體指出，此產品使用韓國零組件范圍更廣，將對韓國零組件業(yè)者的營收改善有莫大助益。iPad 2所采用的NAND Flash由三星電子(Samsung Electronics)供應。此外，蘋果是韓國半導體大廠海力士(Hynix)的最大客戶之一，因此海力士也握有取得iPad 2訂單的優(yōu)勢。
關鍵字：三星存儲器 iPad

力源產品目錄--存儲器

存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機 ...
關鍵字：力源存儲器

美國芯成半導體收購廈門錫恩微電子

　　美國芯成半導體(ISSI )日前宣布，已與錫恩微電子公司(Si En Integration Holdings Ltd)達成收購協議，錫恩微電子是設在一家廈門，從事模擬和混合電路涉及的私營公司。芯成半導體總部設在美國San Jose-based，專門從事高性能集成電路存儲器設計、開發(fā)、制造和銷售，在上海張江設有子公司。　
關鍵字：芯成半導體存儲器

CMIC：未來幾年集成電路發(fā)展勢頭良好

　　在3G手機、平板電視、便攜式數碼產品、汽車電子等行業(yè)電子市場持續(xù)增長的帶動下，預計2010年市場將實現超過10%的增幅，而且CMIC專家預計未來3年中國集成電路市場發(fā)展速度將保持在10%以上。CMIC預計2013年中國的集成電路市場規(guī)模有望達到1001億美元，約占全球芯片市場的35%。　　
關鍵字：集成電路存儲器

瑞薩電子推出5款面向網絡設備的存儲器產品

　　瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子)于2011年1月18日正式宣布推出5款面向網絡設備的高速存儲器產品576Mb(Mbit)低時延 DRAM，品名分別為μPD48576109、μPD48576118、μPD48576209、μPD48576218、μPD48576236。新產品將于即日起提供樣品。　　與公司原有288Mb 低時延DRAM“μPD48288236”產品相比，新產品最大的特點是其存儲容量提升至原有產品的2倍，實現了大容量化。此
關鍵字：瑞薩電子 DRAM 存儲器

鐵電存儲器在驗光儀數據存儲系統(tǒng)中的應用

引言
在綜合驗光儀的驗光過程中，用戶會根據不同的測試需求和習慣設置一些系統(tǒng)配置參數，這些參數需要保存起來；更為重要的是，患者測得的雙眼屈光數據也需要長時間地保存起來，以備下次更換眼鏡時作為配鏡參考
關鍵字：存儲器單片機

基于FPGA的空間存儲器糾錯系統(tǒng)的設計研究

基于FPGA的空間存儲器糾錯系統(tǒng)的設計研究,　1、引言　　阿爾法磁譜儀(Alpha Magnetic Spectrometer，AMS)實驗室是丁肇中博士領導的由美、俄、德、法、中等16個國家和地區(qū)共300多名科學家參加的大型國際合作項目。它是國際空間站上唯一大型物理實驗，是人類第
關鍵字：系統(tǒng) 設計研究糾錯存儲器 FPGA 空間基于

基于DVI接口的LED視頻控制系統(tǒng)研究

摘要：本文從分析DVI接口的工作原理入手,探討了基于DVI 接口的LED視頻控制系統(tǒng)。該系統(tǒng)取代了傳統(tǒng)的VGA接入方式,不需要進行 A/D轉換和處理,減少了信號損失,有利于提高整個顯示系統(tǒng)的性能。

關鍵詞：DVI接口;T.M.D
關鍵字： LED 視頻存儲器 A/D

DDR3存儲器接口控制器IP核在視頻數據處理中的應用

DDR3存儲器接口控制器IP核在視頻數據處理中的應用,DDR3存儲器系統(tǒng)可以大大提升各種數據處理應用的性能。然而，和過去幾代（DDR和DDR2）器件相比，DDR3存儲器器件有了一些新的要求。為了充分利用和發(fā)揮DDR3存儲器的優(yōu)點，使用一個高效且易于使用的DDR3存儲器接口控制器
關鍵字：視頻數據處理應用 IP 控制器存儲器接口 DDR3

LDO線性調節(jié)器電路在StrataFlash嵌入式存儲器中的應用

LDO線性調節(jié)器電路在StrataFlash嵌入式存儲器中的應用,德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調節(jié)器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存儲器(J30)轉向它的第四代130nm StrataFlash嵌入式存
關鍵字：嵌入式存儲器應用 StrataFlash 電路線性調節(jié)器 LDO

串行Flash存儲器的編程解決方案

串行Flash存儲器的編程解決方案,串行Flash存儲器具有體積小、功耗低、管腳少、掉電不丟失數據等諸多優(yōu)點，在IC卡和便攜式智能檢測儀表中廣泛的應用。本文將介紹一種通過51系列單片機的串行口與AT45d041芯片通訊的方法，此方法不僅編程簡單，且運行
關鍵字：解決方案編程存儲器 Flash 串行

基于XPM存儲器RFID高頻接口設計

　　1.引言　　RFID(射頻識別)技術是從上世紀80 年代走向成熟的一項自動識別技術，近年來發(fā)展十分迅速。其技術的覆蓋范圍廣泛，許多正在應用中的自動識別技術都可以歸于RFID 技術之內，但它們的工作原理、工作頻率、
關鍵字：接口設計高頻 RFID XPM 存儲器基于

半導體存儲器廠商恢復大型設備投資

　　2010年在半導體存儲器業(yè)界，各廠商紛紛恢復了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結狀態(tài)的大型設備投資。由此，市場上的份額競爭再次變得激烈起來。 2008～2009年導致各廠商收益惡化的價格下跌在2010年上半年僅出現了小幅下跌。然而，進入2010年下半年后，以DRAM為中心、價格呈現出大幅下降的趨勢。2011年很有可能再次進入殘酷的實力消耗戰(zhàn)。技術方面，微細化競爭愈演愈烈，以突破現有存儲器極限為目標的新存儲器的開發(fā)也越來越活躍。　　
關鍵字：存儲器 NAND

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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構成構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]