存儲器文章最新資訊

嵌入式片上存儲器有效使用的方法

嵌入式片上存儲器有效使用的方法,引言　　隨著CPU速度的迅速提高，CPU與片外存儲器的速度差異越來越大，匹配CPU與外部存儲器的方法通常是采用Cache或者片上存儲器。對于嵌入式設(shè)備上數(shù)據(jù)密集的應(yīng)用，數(shù)據(jù)Cache與片上存儲器相比存在以下缺陷：①片上
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讓智能電表更加省電的解決方案推介

為了提高能源效率，各國都在加快智能電網(wǎng)建設(shè)，大力推廣智能電表，以滿足電力需求的不斷攀升。在快速推進(jìn)智能電...
關(guān)鍵字：開關(guān)穩(wěn)壓器存儲器智能電表

基于共享存儲器的多處理機(jī)并行快速通信

摘要：本文提出了當(dāng)多處理機(jī)系統(tǒng)工作時，為了實(shí)現(xiàn)快速有效的通信，采用使多處理器共享存儲囂方案。IDT7134雙口RAM是本方案選擇的共享存儲器。針對該方案，本文給出了接口電路的硬件設(shè)計(jì)和軟件設(shè)計(jì)。在接口電路設(shè)計(jì)中
關(guān)鍵字：快速通信并行處理機(jī) 共享存儲器基于

存儲器產(chǎn)業(yè)群雄割據(jù)時代將再度來臨

　　隨著存儲器容量越來越大，NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對手公司韓國三星電子(SamsungElectronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開發(fā)。
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計(jì)算機(jī)存儲器的層次分析

計(jì)算機(jī)存儲器的層次分析,當(dāng)前計(jì)算機(jī)幾乎毫無例外地采用了如圖所示的層次式存儲結(jié)構(gòu)，目的是為了兼顧存儲容量和存儲速度。在圖中，以處理器為中心，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲依次為寄存器、高速緩存、主存儲器、磁盤緩存、磁盤和可移動存儲介質(zhì)等7個層
關(guān)鍵字：分析層次存儲器計(jì)算機(jī)

相變存儲器(PCM)單元中儲存多個位元的方法

相變存儲器(PCM)單元中儲存多個位元的方法,BM蘇黎世研究中心的科學(xué)家們?nèi)涨氨硎?，已?jīng)發(fā)現(xiàn)能夠可靠地在相變存儲器(PCM)單元中儲存多個位元的方法。該小組采用90nm工藝技術(shù)，在200k單元陣列中實(shí)現(xiàn)了每存儲單元為四層(2位元)，并表示已開發(fā)出一種編碼方法，能克
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存儲器3Q景氣 NAND Flash略優(yōu)于DRAM

　　存儲器產(chǎn)業(yè)度過辛苦的第2季后，第3季景氣恐沒有這么快復(fù)蘇，業(yè)界預(yù)期NANDFlash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后，會隨著消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求出籠而開始翻揚(yáng)，但業(yè)界對于DRAM市場看法則是分歧，7月合約價續(xù)跌已成定局，部分業(yè)者認(rèn)為8月中開始價格可止跌，但另一派業(yè)者則認(rèn)為DRAM報價到年底都不會反轉(zhuǎn)，且恐有續(xù)跌的可能性，整體來看，下半年NANDFlash景氣微幅優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè)，但好日子也不會維持太長。
關(guān)鍵字：存儲器 DRAM

一種相變存儲器的驅(qū)動電路設(shè)計(jì)

引言　　相變存儲器（PC2RAM）是一種新型半導(dǎo)體存儲器，在研發(fā)下一代高性能不揮發(fā)存儲技術(shù)的激烈競爭中，PC2RAM在讀寫速度、讀寫次數(shù)、數(shù)據(jù)保持時間、單元面積、功耗等方面的諸多優(yōu)勢顯示了極大的競爭力，得到了較快
關(guān)鍵字：電路設(shè)計(jì) 驅(qū)動存儲器相變

存儲器3Q景氣NAND Flash略優(yōu)于DRAM

　　存儲器產(chǎn)業(yè)度過辛苦的第2季后，第3季景氣恐沒有這么快復(fù)蘇，業(yè)界預(yù)期NAND Flash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后，會隨著消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求出籠而開始翻揚(yáng)，但業(yè)界對于DRAM市場看法則是分歧，7月合約價續(xù)跌已成定局，部分業(yè)者認(rèn)為8月中開始價格可止跌，但另一派業(yè)者則認(rèn)為DRAM報價到年底都不會反轉(zhuǎn)，且恐有續(xù)跌的可能性，整體來看，下半年NAND Flash景氣微幅優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè)，但好日子也不會維持太長。　
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美光和IV簽署IP授權(quán)合約

　　美系存儲器大廠美光科技(Micron)和高智發(fā)明(Intellectual Ventures;IV)宣布雙方已簽署智能財產(chǎn)授權(quán)合約，未來美光可取得高智發(fā)明旗下所擁有高達(dá)3萬多種的智能專利組合(IP)的使用權(quán)，高智發(fā)明也可向美光取得專利權(quán)，擴(kuò)展智能財產(chǎn)權(quán)組合。　　高智發(fā)明創(chuàng)立于2000年，集結(jié)頂尖的發(fā)明家與開創(chuàng)型的先驅(qū)公司合伙，并在發(fā)明的過程中，投入專業(yè)知識與資金，公司成立的使命是推動「發(fā)明型經(jīng)濟(jì)」(invention economy)，促進(jìn)全球各地的各項(xiàng)產(chǎn)品創(chuàng)新。　　高智發(fā)明表示，將持續(xù)與所有
關(guān)鍵字：美光存儲器

存儲器思謀發(fā)展

　　存儲器是隨著計(jì)算機(jī)而發(fā)展起來的一種專用電子部件，用于保存數(shù)據(jù)和程序，傳統(tǒng)上計(jì)算機(jī)的主存儲器稱Memory，外部設(shè)備用存儲器稱Storage(常用磁盤、磁帶)。上世紀(jì)50年代中期，主存曾用磁芯存儲器，60年代中期以來，半導(dǎo)體存儲器開始取代磁芯存儲器。隨著時間的前進(jìn)，存儲器獲得了長足的發(fā)展。　　
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X5045組成的看門狗電路及51讀寫x5045存儲器的程序

X5045是一種集看門狗、電壓監(jiān)控和串行EEPROM 三種功能于一身的可編程控制電路.特別適合應(yīng)用在需要少量存儲器,并對電路板空間需求較高場合,X5045具有電壓監(jiān)控功能,可以保護(hù)系統(tǒng)免受低電壓的影響，當(dāng)電源電壓降到允許范
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存儲器模塊業(yè)淘汰賽再起

　　日本老牌存儲器模塊廠荻原系統(tǒng)(Hagiwara Sys-Com)由于負(fù)債累累，日前驚傳申請日本民事再生法，亦即破產(chǎn)保護(hù)，讓業(yè)界相當(dāng)震驚。荻原過去在存儲器模塊領(lǐng)域曾經(jīng)紅極一時，成立時間也超過30 年，與NAND Flash大廠東芝(Toshiba)更是關(guān)系緊密，但這幾年臺系和美系存儲器模塊勢力急起直追，現(xiàn)在幾乎囊括全球主要市占率，加上存儲器價格波動劇烈，讓模塊產(chǎn)業(yè)淘汰賽再起。
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H.264視頻解碼芯片中與濾波相關(guān)的存儲器的設(shè)計(jì)

摘要：本文對H.264 解碼芯片中的濾波部分所需的數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)的存取及芯片中所用到的存儲器做了深入的分析，同時涉及到DRAM 及SRAM 的設(shè)計(jì)，并支持宏塊級幀場自適應(yīng)。為了實(shí)現(xiàn)H.264 解碼芯片中的數(shù)據(jù)的快速存取，本文提
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嵌入式非易失性存儲器在SoC物理設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

嵌入式非易失性存儲器在SoC物理設(shè)計(jì)中的應(yīng)用,摘要：嵌入式非易失性存儲器以其同時具備數(shù)據(jù)可更改性及掉電保存性而已被越來越廣泛的應(yīng)用于SoC物理設(shè)計(jì)。文中結(jié)合一款電力網(wǎng)控制芯片R36的實(shí)際設(shè)計(jì)案例，分析了該器件的應(yīng)用特點(diǎn)，并從用途、性能、容量選擇等方面說
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]