存儲(chǔ)器文章最新資訊

讓智能電表更加省電的解決方案推介

為了提高能源效率，各國(guó)都在加快智能電網(wǎng)建設(shè)，大力推廣智能電表，以滿(mǎn)足電力需求的不斷攀升。在快速推進(jìn)智能電...
關(guān)鍵字：開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器存儲(chǔ)器智能電表

基于共享存儲(chǔ)器的多處理機(jī)并行快速通信

摘要：本文提出了當(dāng)多處理機(jī)系統(tǒng)工作時(shí)，為了實(shí)現(xiàn)快速有效的通信，采用使多處理器共享存儲(chǔ)囂方案。IDT7134雙口RAM是本方案選擇的共享存儲(chǔ)器。針對(duì)該方案，本文給出了接口電路的硬件設(shè)計(jì)和軟件設(shè)計(jì)。在接口電路設(shè)計(jì)中
關(guān)鍵字：快速通信并行處理機(jī) 共享存儲(chǔ)器基于

存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)群雄割據(jù)時(shí)代將再度來(lái)臨

　　隨著存儲(chǔ)器容量越來(lái)越大，NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后，也開(kāi)始遇到瓶頸，業(yè)界在未來(lái)制作更大容量存儲(chǔ)器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手公司韓國(guó)三星電子(SamsungElectronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)。
關(guān)鍵字：三星存儲(chǔ)器 NAND

計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的層次分析

計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的層次分析,當(dāng)前計(jì)算機(jī)幾乎毫無(wú)例外地采用了如圖所示的層次式存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，目的是為了兼顧存儲(chǔ)容量和存儲(chǔ)速度。在圖中，以處理器為中心，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲(chǔ)依次為寄存器、高速緩存、主存儲(chǔ)器、磁盤(pán)緩存、磁盤(pán)和可移動(dòng)存儲(chǔ)介質(zhì)等7個(gè)層
關(guān)鍵字：分析層次存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)

相變存儲(chǔ)器(PCM)單元中儲(chǔ)存多個(gè)位元的方法

相變存儲(chǔ)器(PCM)單元中儲(chǔ)存多個(gè)位元的方法,BM蘇黎世研究中心的科學(xué)家們?nèi)涨氨硎荆呀?jīng)發(fā)現(xiàn)能夠可靠地在相變存儲(chǔ)器(PCM)單元中儲(chǔ)存多個(gè)位元的方法。該小組采用90nm工藝技術(shù)，在200k單元陣列中實(shí)現(xiàn)了每存儲(chǔ)單元為四層(2位元)，并表示已開(kāi)發(fā)出一種編碼方法，能克
關(guān)鍵字：多個(gè) 方法儲(chǔ)存單元存儲(chǔ)器 PCM 相變

存儲(chǔ)器3Q景氣 NAND Flash略?xún)?yōu)于DRAM

　　存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)度過(guò)辛苦的第2季后，第3季景氣恐沒(méi)有這么快復(fù)蘇，業(yè)界預(yù)期NANDFlash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后，會(huì)隨著消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求出籠而開(kāi)始翻揚(yáng)，但業(yè)界對(duì)于DRAM市場(chǎng)看法則是分歧，7月合約價(jià)續(xù)跌已成定局，部分業(yè)者認(rèn)為8月中開(kāi)始價(jià)格可止跌，但另一派業(yè)者則認(rèn)為DRAM報(bào)價(jià)到年底都不會(huì)反轉(zhuǎn)，且恐有續(xù)跌的可能性，整體來(lái)看，下半年NANDFlash景氣微幅優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè)，但好日子也不會(huì)維持太長(zhǎng)。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 DRAM

一種相變存儲(chǔ)器的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

引言　　相變存儲(chǔ)器（PC2RAM）是一種新型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，在研發(fā)下一代高性能不揮發(fā)存儲(chǔ)技術(shù)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，PC2RAM在讀寫(xiě)速度、讀寫(xiě)次數(shù)、數(shù)據(jù)保持時(shí)間、單元面積、功耗等方面的諸多優(yōu)勢(shì)顯示了極大的競(jìng)爭(zhēng)力，得到了較快
關(guān)鍵字：電路設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng) 存儲(chǔ)器相變

存儲(chǔ)器3Q景氣NAND Flash略?xún)?yōu)于DRAM

　　存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)度過(guò)辛苦的第2季后，第3季景氣恐沒(méi)有這么快復(fù)蘇，業(yè)界預(yù)期NAND Flash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后，會(huì)隨著消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求出籠而開(kāi)始翻揚(yáng)，但業(yè)界對(duì)于DRAM市場(chǎng)看法則是分歧，7月合約價(jià)續(xù)跌已成定局，部分業(yè)者認(rèn)為8月中開(kāi)始價(jià)格可止跌，但另一派業(yè)者則認(rèn)為DRAM報(bào)價(jià)到年底都不會(huì)反轉(zhuǎn)，且恐有續(xù)跌的可能性，整體來(lái)看，下半年NAND Flash景氣微幅優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè)，但好日子也不會(huì)維持太長(zhǎng)?！?/li>
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 DRAM

美光和IV簽署IP授權(quán)合約

　　美系存儲(chǔ)器大廠美光科技(Micron)和高智發(fā)明(Intellectual Ventures;IV)宣布雙方已簽署智能財(cái)產(chǎn)授權(quán)合約，未來(lái)美光可取得高智發(fā)明旗下所擁有高達(dá)3萬(wàn)多種的智能專(zhuān)利組合(IP)的使用權(quán)，高智發(fā)明也可向美光取得專(zhuān)利權(quán)，擴(kuò)展智能財(cái)產(chǎn)權(quán)組合。　　高智發(fā)明創(chuàng)立于2000年，集結(jié)頂尖的發(fā)明家與開(kāi)創(chuàng)型的先驅(qū)公司合伙，并在發(fā)明的過(guò)程中，投入專(zhuān)業(yè)知識(shí)與資金，公司成立的使命是推動(dòng)「發(fā)明型經(jīng)濟(jì)」(invention economy)，促進(jìn)全球各地的各項(xiàng)產(chǎn)品創(chuàng)新。　　高智發(fā)明表示，將持續(xù)與所有
關(guān)鍵字：美光存儲(chǔ)器

存儲(chǔ)器思謀發(fā)展

　　存儲(chǔ)器是隨著計(jì)算機(jī)而發(fā)展起來(lái)的一種專(zhuān)用電子部件，用于保存數(shù)據(jù)和程序，傳統(tǒng)上計(jì)算機(jī)的主存儲(chǔ)器稱(chēng)Memory，外部設(shè)備用存儲(chǔ)器稱(chēng)Storage(常用磁盤(pán)、磁帶)。上世紀(jì)50年代中期，主存曾用磁芯存儲(chǔ)器，60年代中期以來(lái)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器開(kāi)始取代磁芯存儲(chǔ)器。隨著時(shí)間的前進(jìn)，存儲(chǔ)器獲得了長(zhǎng)足的發(fā)展。　　
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 NAND 201105

X5045組成的看門(mén)狗電路及51讀寫(xiě)x5045存儲(chǔ)器的程序

X5045是一種集看門(mén)狗、電壓監(jiān)控和串行EEPROM 三種功能于一身的可編程控制電路.特別適合應(yīng)用在需要少量存儲(chǔ)器,并對(duì)電路板空間需求較高場(chǎng)合,X5045具有電壓監(jiān)控功能,可以保護(hù)系統(tǒng)免受低電壓的影響，當(dāng)電源電壓降到允許范
關(guān)鍵字： x5045 存儲(chǔ)器程序讀寫(xiě) 電路組成看門(mén) X5045

存儲(chǔ)器模塊業(yè)淘汰賽再起

　　日本老牌存儲(chǔ)器模塊廠荻原系統(tǒng)(Hagiwara Sys-Com)由于負(fù)債累累，日前驚傳申請(qǐng)日本民事再生法，亦即破產(chǎn)保護(hù)，讓業(yè)界相當(dāng)震驚。荻原過(guò)去在存儲(chǔ)器模塊領(lǐng)域曾經(jīng)紅極一時(shí)，成立時(shí)間也超過(guò)30 年，與NAND Flash大廠東芝(Toshiba)更是關(guān)系緊密，但這幾年臺(tái)系和美系存儲(chǔ)器模塊勢(shì)力急起直追，現(xiàn)在幾乎囊括全球主要市占率，加上存儲(chǔ)器價(jià)格波動(dòng)劇烈，讓模塊產(chǎn)業(yè)淘汰賽再起。
關(guān)鍵字：東芝存儲(chǔ)器

H.264視頻解碼芯片中與濾波相關(guān)的存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)

摘要：本文對(duì)H.264 解碼芯片中的濾波部分所需的數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)的存取及芯片中所用到的存儲(chǔ)器做了深入的分析，同時(shí)涉及到DRAM 及SRAM 的設(shè)計(jì)，并支持宏塊級(jí)幀場(chǎng)自適應(yīng)。為了實(shí)現(xiàn)H.264 解碼芯片中的數(shù)據(jù)的快速存取，本文提
關(guān)鍵字：視頻解碼芯片濾波存儲(chǔ)器

嵌入式非易失性存儲(chǔ)器在SoC物理設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

嵌入式非易失性存儲(chǔ)器在SoC物理設(shè)計(jì)中的應(yīng)用,摘要：嵌入式非易失性存儲(chǔ)器以其同時(shí)具備數(shù)據(jù)可更改性及掉電保存性而已被越來(lái)越廣泛的應(yīng)用于SoC物理設(shè)計(jì)。文中結(jié)合一款電力網(wǎng)控制芯片R36的實(shí)際設(shè)計(jì)案例，分析了該器件的應(yīng)用特點(diǎn)，并從用途、性能、容量選擇等方面說(shuō)
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 應(yīng)用物理 SoC 易失性存儲(chǔ)器嵌入式

Cypress簽署寅通科技推展基于130納米和65納米工藝技術(shù)的SONOS嵌入式閃存記憶體解決方案

　　賽普拉斯半導(dǎo)體公司于今日宣布,該公司已授權(quán)寅通科技股份有限公司(Innopower) 推展130納米和65納米的SONOS嵌入式NVM(Non-Volatile Memory)存儲(chǔ)器技術(shù)的IP。根據(jù)授權(quán)協(xié)議，寅通科技(Innopower)將結(jié)合賽普拉斯的技術(shù)，運(yùn)用其技術(shù)支持服務(wù)和其它IP去幫助IC設(shè)計(jì)師在下一代SOC和集成賽普拉斯NVM解決方案的新ASIC設(shè)計(jì)。　　賽普拉斯的NVM解決方案采用SONOS的技術(shù)，與現(xiàn)行可用的邏輯技術(shù)相兼容。該NVM解決方案是OTP和MTP技術(shù)的可調(diào)性(Scalabl
關(guān)鍵字： Cypress 存儲(chǔ)器 130納米 65納米

共1633條 49/109 |‹ « 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 » ›|

存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]