存儲(chǔ)器文章最新資訊

DRAM價(jià)格漲勢(shì)延續(xù) 存儲(chǔ)器廠模組廠運(yùn)營同步走高

　　DRAM現(xiàn)貨價(jià)漲不停，主流規(guī)格DDR4 4Gb芯片均價(jià)昨(27)日正式站穩(wěn)2美元、達(dá)2.1美元，攀上七個(gè)多月來高點(diǎn)，本季來大漲逾24%，第4季報(bào)價(jià)持續(xù)看漲一成，南亞科、威剛、宇瞻等記憶體族群大進(jìn)補(bǔ)。　　業(yè)界透露，在全球存儲(chǔ)器芯片龍頭三星拉抬報(bào)價(jià)帶動(dòng)下，DRAM漲勢(shì)延續(xù)，9月以來已連續(xù)三周上漲，漲勢(shì)明確，伴隨追價(jià)買盤進(jìn)場，漲勢(shì)加大。　　根據(jù)全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦科技昨日晚間最新報(bào)價(jià)，DDR4 4Gb芯片正式站穩(wěn)2美元、均價(jià)來到2.1美元，單日漲幅1.6%，合計(jì)本周以來二個(gè)交易日
關(guān)鍵字： DRAM 存儲(chǔ)器

存儲(chǔ)器市場還能熱多久？一切取決于三星

　　存儲(chǔ)器供貨吃緊，價(jià)格噴發(fā)，先前韓媒預(yù)估，廠商制程轉(zhuǎn)換將使產(chǎn)能減少，明年下半可能還有一波新行情。對(duì)此外資警告，DRAM榮景能否持續(xù)，取決于存儲(chǔ)器龍頭三星電子，要是三星擴(kuò)產(chǎn)，好景恐怕無法持續(xù)。　　六月以來PCDRAM現(xiàn)貨價(jià)大漲30%，光是過去兩周就飆升9%;NANDFlash也供不應(yīng)求，價(jià)格挺升，存儲(chǔ)器大廠SK海力士(SKHynix)和美光(Micron)股價(jià)都因此一飛沖天。存儲(chǔ)器市場還能熱多久?BernsteinResearch的MarkNewman說，一切要看三星。Bernstein報(bào)告稱，要是D
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器三星

中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)未來50年發(fā)展路線圖

存儲(chǔ)器是集成電路產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)產(chǎn)品之一，產(chǎn)品的成熟度和產(chǎn)業(yè)的規(guī)模效應(yīng)均較為顯著，而目前中國大陸的企業(yè)在相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)的份額依然較低，在國家的“芯片國產(chǎn)化”產(chǎn)業(yè)政策的推動(dòng)下，中央政府和地方政府在產(chǎn)業(yè)內(nèi)的投資助推國內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)崛起，市場環(huán)境及競爭狀況注定了中國企業(yè)的未來崛起之路任重道遠(yuǎn)。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器

半導(dǎo)體廠進(jìn)軍大陸:五年500億美元投資

受新興市場對(duì)智能手機(jī)的熱切需求和物聯(lián)網(wǎng)正要起飛的激勵(lì)，半導(dǎo)體的需求預(yù)料將繼續(xù)擴(kuò)大，但回想中國過去推動(dòng)鋼鐵、造船、太陽能發(fā)電等產(chǎn)業(yè)的投資，每次都造成全球市場供需失衡，外界不得不擔(dān)心，下一回供給過剩的慘況可能就輪到半導(dǎo)體。
關(guān)鍵字：紫光存儲(chǔ)器

嵌入式設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)分享：存儲(chǔ)器以及BootLoader的一些

在大學(xué)的時(shí)候很少關(guān)心單片機(jī)內(nèi)部存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)及應(yīng)用，只是大概的知道RAM和ROM的區(qū)別，甚至只是知道程序下載到ROM中就能運(yùn)行了。其他的如何工作程
關(guān)鍵字：嵌入式存儲(chǔ)器 BootLoader

8月NAND合約價(jià) 較上月跌近2成

根據(jù)研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，NAND Flash合約價(jià)在8月上旬下跌6~8%后，8月下旬續(xù)跌5~10%，亦即8月合約價(jià)較7月重跌11~18%
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 NAND Flash芯片

一種新型非易失性存儲(chǔ)器的原理及應(yīng)用

縱觀目前低容量并行接口的非易失存儲(chǔ)器市場，EEPROM、FRAM、SRAM+BAKBAT方式等占據(jù)了市場主流，其中EEPROM的供應(yīng)廠家很多，其中以ATMEL，ST等廠家占主導(dǎo)地
關(guān)鍵字：非易失性存儲(chǔ)器緊急數(shù)據(jù)

串并口F-RAMW系列存儲(chǔ)器

世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)發(fā)布W系列 F-RAM存儲(chǔ)器，W系列器件帶有串口I2C
關(guān)鍵字： F-RAM 存儲(chǔ)器 Ramtron FM24W256

為高性能FPGA平臺(tái)選擇最佳存儲(chǔ)器

在演算法交易領(lǐng)域的最新進(jìn)展是導(dǎo)入一些更低延遲的解決方案，其中最佳的方式是使用FPGA搭建的客制硬體。這些FPGA硬體可說是硬編碼ASIC的極致性能和CP
關(guān)鍵字：高性能 FPGA 平臺(tái) 存儲(chǔ)器

存儲(chǔ)器價(jià)格飆升 DRAM廠營運(yùn)旺

DRAMeXchange表示，由于DRAM產(chǎn)業(yè)寡占市場格局確立，加上各大DRAM供應(yīng)商按照原先規(guī)劃減少標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器部位影響下，主流模塊4GB均價(jià)在第2季上揚(yáng)16%，由23.5
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 DRAM 三星

意法半導(dǎo)體和Memoir Systems整合突破性的存儲(chǔ)器技

這一整合讓嵌入式存儲(chǔ)器速度更快、散熱更低、設(shè)計(jì)更簡單中國，2013年11月20日 ——橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 Memoir Systems 存儲(chǔ)器制造

Xilinx擴(kuò)展產(chǎn)品路線圖為數(shù)據(jù)中心新增加速強(qiáng)化技術(shù)

全可編程技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司 (Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX))今天宣布擴(kuò)展其16nm UltraScale+™ 產(chǎn)品路線圖，面向數(shù)據(jù)中心新增加速強(qiáng)化技術(shù)
關(guān)鍵字：處理器存儲(chǔ)器計(jì)算

賽普拉斯低引腳數(shù)HyperRAM#8482;存儲(chǔ)器簡化嵌入式

嵌入式系統(tǒng)解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票交易代
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器分辨率控制器

提高存儲(chǔ)器子系統(tǒng)效率的三種方法

行業(yè)專家認(rèn)為，對(duì)于一個(gè)典型的大型數(shù)據(jù)中心而言，其50億美元成本的80%左右會(huì)用在設(shè)備的機(jī)械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對(duì)于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器，高功率密度的
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器子系統(tǒng)效率 DRAM

非揮發(fā)性存儲(chǔ)器改寫產(chǎn)業(yè)合作模式

　　標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)格一直是確保記憶體正常運(yùn)作于更廣泛系統(tǒng)中的關(guān)鍵，但隨著技術(shù)進(jìn)展以及記憶體與儲(chǔ)存產(chǎn)業(yè)開始整并，改變了供應(yīng)商及其客戶之間的合作關(guān)系... 　　美光科技(Micron Technology)在今年初于德州奧斯汀成立美光儲(chǔ)存解決方案中心(Micron Storage Solutions Center：MSSC)，一部份的原因就來自于這種新合作模式的帶動(dòng)。美光科技儲(chǔ)存軟體工程副總裁Steve Moyer指出，其引爆點(diǎn)就是業(yè)界開始轉(zhuǎn)型至非揮發(fā)性記憶體技術(shù)以及快閃記憶體成為新興的儲(chǔ)存技術(shù)。　　&ldq
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器

共1633條 24/109 |‹ « 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 » ›|

存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]