存儲器文章最新資訊

IBM開發(fā)3bit/單元的相變存儲器，成本可低于DRAM

　　美國IBM在2016年5月16～18日于法國巴黎舉行的存儲技術(shù)相關(guān)學(xué)會“IEEE International Memory Workshop”上宣布，該公司的瑞士蘇黎世研究所開發(fā)出了一個存儲單元可記錄2～3bit內(nèi)容的MLC(Multi Level Cell)及TLC(Triple Level Cell)相變存儲器(PCM)技術(shù)。　　　　IBM開發(fā)的PCM芯片　　　　芯片部分的放大照片。左右側(cè)各配置了200萬、合計為400
關(guān)鍵字： IBM 存儲器

三星存儲器庫存塞爆創(chuàng)同季歷史新高, 血戰(zhàn)才揭開序幕？

　　先前外資痛批三星電子不顧同行道義，在記憶體業(yè)趕盡殺絕。如今背后原因似乎揭曉，韓媒指出，今年第一季三星電子和 SK 海力士(SK Hynix)的半導(dǎo)體庫存雙雙創(chuàng)下新高，滿坑滿谷的記憶體賣不動，三星或許因此殺紅了眼。　　BusinessKorea 18 日報導(dǎo)，今年 Q1 季末，三星電子的半導(dǎo)體庫存達(dá) 7.4 兆韓圜，寫下同季歷史新高。SK 海力士的半導(dǎo)體庫存為 2.2 兆韓圜，更創(chuàng)下該公司史上之最。一般而言，企業(yè)都趕在新年之前盡量消化庫存，Q4 應(yīng)是出貨旺季，不料記憶體買氣從 2015 年開始急凍，
關(guān)鍵字：三星存儲器

紫光存儲器行業(yè)布局變低調(diào)

今年以來全球半導(dǎo)體企業(yè)股價大都下滑，給了紫光更多的資本運作空間，既然高調(diào)入股容易引發(fā)調(diào)查，低調(diào)參股在獲得投資收益的同時也可以獲得更多合作機會，以資本為紐帶、用時間換取空間，對于已經(jīng)滲透入全球集成電路產(chǎn)業(yè)核心圈的紫光未來運作空間會更大。
關(guān)鍵字：紫光存儲器

酒店里刷卡開門是如何實現(xiàn)的？

　　我們在生活中常常遇到刷卡這件事，比如上公交刷公交卡、上地鐵刷地鐵卡、出門在外住酒店時，也有一張小小的房卡用于刷卡開門。那么這個刷卡的原理到底是怎樣的呢?這就要提到射頻識別(RFID)技術(shù)了?！　∫?、什么是射頻識別技術(shù)　　射頻識別(Radio Frequency Identification，RFID)技術(shù)，是一種利用射頻通信技術(shù)實現(xiàn)的非接觸式自動識別技術(shù)。相對于傳統(tǒng)的條形碼、磁卡等接觸式識別技術(shù)，射頻識別技術(shù)可實現(xiàn)非可視、多目標(biāo)識別，具有防水、防磁、壽命長、容量大、無機械損耗、信息
關(guān)鍵字： RFID 存儲器

2020年進(jìn)入主流方陣武漢新芯計劃培養(yǎng)專業(yè)人才

　　前天，武漢集成電路技術(shù)及產(chǎn)業(yè)服務(wù)中心(簡稱“武漢ICC”)成立及啟動儀式上，武漢新芯集成電路制造有限公司董事長王繼增接受了記者的專訪。這也是3月28日國家存儲器基地在武漢光谷正式開工以來，王繼增首次在公眾場合亮相，該基地計劃未來5年投資240億美元。　　“記錄生活點點滴滴，不用擔(dān)心存儲器不夠用” 　　記者與王繼增的對話，從武漢新芯的產(chǎn)品對民生的影響說起。“利用芯片疊加技術(shù)，制造多層的三維立體存儲器，將是現(xiàn)在乃至未來的主流產(chǎn)品。&rdqu
關(guān)鍵字：新芯存儲器

聯(lián)電強攻存儲器泉州建廠

　　聯(lián)電擴(kuò)大記憶體布局，規(guī)劃與大陸泉州市政府合作，在泉州興建12寸晶圓廠，切入利基型記憶體代工。據(jù)悉，聯(lián)電內(nèi)部已成立專案小組，擴(kuò)大招募記憶體研發(fā)工程師，將先在南科設(shè)立小型試產(chǎn)線，全力搶進(jìn)大陸記憶體市場商機。　　聯(lián)電發(fā)言體系昨(17)日證實，聯(lián)電已針對切入利基型記憶體代工成立專案小組，并由加入聯(lián)電擔(dān)任副總經(jīng)理的前瑞晶總經(jīng)理陳正坤領(lǐng)軍。至于技術(shù)授權(quán)、與對岸地方單位合資計畫，及建廠進(jìn)度與投資金額等，將待雙方簽訂合約后才能公布。　　聯(lián)電未透露大陸記憶體代工業(yè)務(wù)細(xì)節(jié)，但已透過國內(nèi)人力銀行網(wǎng)站，擴(kuò)大對外招募記
關(guān)鍵字：聯(lián)電存儲器

存儲“芯”發(fā)展剖析3D NAND閃存市場現(xiàn)狀

國內(nèi)大力扶持存儲，各種巨額的投資項目爭議不小，但是為了存儲自主的未來，也值。
關(guān)鍵字：存儲器 3D NAND

中國在存儲器長遠(yuǎn)發(fā)展方向仍然面臨巨大鴻溝

　　中國正急于建立自己的記憶體業(yè)務(wù)，這一點當(dāng)然毋庸置疑。不過到底要如何以及何時才能實現(xiàn)這一愿景卻仍舊是個跡，日本的幾位半導(dǎo)體行業(yè)知情人士在接受采訪時指出。　　中國國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金擁有雄厚的財力，而這筆由地方政府主導(dǎo)的經(jīng)濟(jì)資源將被用于幫助中國的“記憶體夢”一步步成為現(xiàn)實。　　不過拋開主觀愿望，中國要想真正建立屬于自己的記憶體產(chǎn)業(yè)，還需要可靠的知識產(chǎn)權(quán)來源與工程技術(shù)人才。　　中國代工廠商XMC于上周在武漢正式著手興建一座新的晶圓工廠，旨在制造3D NAND閃存記憶體
關(guān)鍵字：存儲器

4000億能砸出中國存儲器產(chǎn)業(yè)嗎？

在國家意志的推動下，中國存儲企業(yè)大多是不差錢的主，完全可以在沒有后顧之憂的情況下，砸出工藝，暴出產(chǎn)能，在如此力度的政策、資金扶持下，武漢新芯、紫光等中國企業(yè)能重演京東方在面板產(chǎn)業(yè)的逆襲么？
關(guān)鍵字：存儲器 NAND

中國NAND快閃存儲器產(chǎn)業(yè)邁入新紀(jì)元

　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開始進(jìn)行建廠工程，目標(biāo)最快在2018年年初開始生記憶體晶片，初期規(guī)劃將以目前最先進(jìn)的3D-NAND Flash為主要策略產(chǎn)品，代表了近兩年來中國極力發(fā)展記憶體產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢下，將開始進(jìn)入新的里程碑。　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得指出，現(xiàn)階段武漢新芯主要以生產(chǎn)NOR Flash為主，月產(chǎn)能約為2萬片左右，在NAND Flash產(chǎn)業(yè)也展現(xiàn)強大的企圖心。不同于國際NAND Fla
關(guān)鍵字： NAND 存儲器

武漢新芯存儲器芯片工廠動土追趕三星不被看好

中國正在打造世界級半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，砸240億美元巨資，以“國家隊”力量來“彎道超車”！用錢可以砸出來國家隊，但是技術(shù)還得靠自己。
關(guān)鍵字：新芯存儲器

老杳:武漢240億美元造芯,難以置信的滿堂彩

　　今天微信朋友圈被刷屏，原因只有一個：投資240億美元的武漢新芯NAND Flash項目正式啟動。　　自從國家頒布集成電路產(chǎn)業(yè)扶植政策，投資存儲器風(fēng)潮開始風(fēng)起云涌，不僅攪得臺灣業(yè)界混亂不堪，也讓全世界為之矚目。　　雖然國外同行大都對大陸投入巨資發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)持懷疑態(tài)度，眾多本土地方領(lǐng)導(dǎo)、業(yè)界高管、專家甚至媒體卻一致贊成，好像只要有錢，大陸發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)唾手可得。　　合肥請來前爾必達(dá)CEO要做存儲器，廈門請來前爾必達(dá)CTO要做存儲器(目前廈門已經(jīng)放棄)，紫光雖然放棄入股西部數(shù)據(jù)，從入股力成、南
關(guān)鍵字：存儲器集成電路

聚集全球資源總投資240億美元

　　3月28日，總投資240億美元(約1600億人民幣)的存儲器基地項目在武漢東湖高新區(qū)正式啟動。　　這是國家發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的重大戰(zhàn)略部署。2014年，國家頒布實施《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)剛要(2015-2025)》，制訂了今后10年發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略部署，同期成立國家集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)小組和國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金。2015年發(fā)展存儲器上升為國家戰(zhàn)略?！　?jù)介紹，這一存儲器基地項目以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲器產(chǎn)品設(shè)計、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)于測試、銷售于一體?！　〈鎯ζ魇切畔⑾到y(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片。該項
關(guān)鍵字：集成電路存儲器

IDM模式是存儲器產(chǎn)業(yè)最佳選擇?

　　“他山之石可以攻玉。”借鑒日韓以及我國臺灣地區(qū)的經(jīng)驗，可以更好地探索出一條適宜中國大陸當(dāng)前發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的路徑——抓住重大技術(shù)變革機遇期，在打造龍頭骨干IDM企業(yè)的同時，也不應(yīng)放松存儲業(yè)生態(tài)集群的培育。　　產(chǎn)業(yè)面臨技術(shù)革新機遇　　過去30余年中，全球存儲器產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了兩次區(qū)域性的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移：20世紀(jì)80年代存儲產(chǎn)業(yè)重心從歐美國家轉(zhuǎn)移到日本，90年代從日本轉(zhuǎn)移到韓國。　　目前，從事DRAM生產(chǎn)開發(fā)的企業(yè)不下40家，但是這個行業(yè)一直都處于不斷兼并重組之
關(guān)鍵字： IDM 存儲器

兆易創(chuàng)新：存儲器MCU設(shè)計專家

　　北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司是SPI NOR FLASH領(lǐng)域全球主流的Fabless供應(yīng)商。公司成立于2005年4月，總部設(shè)于中國北京，在中國大陸與臺灣地區(qū)、韓國、美國、英國、日本等多個國家和地區(qū)設(shè)有分支機構(gòu)，營銷網(wǎng)絡(luò)遍布全球，提供優(yōu)質(zhì)便捷的本地化支持服務(wù)。公司致力于各類高速和低功耗存儲器(NOR/NAND Flash)、微控制器(MCU)系列產(chǎn)品的設(shè)計研發(fā)，并以“高技術(shù)、低功耗、優(yōu)成本”的特性領(lǐng)先于全球同類產(chǎn)品，被美國EETimes機構(gòu)評選為全球最熱門半導(dǎo)體初創(chuàng)公司60強，并
關(guān)鍵字：兆易創(chuàng)新存儲器

共1633條 27/109 |‹ « 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 » ›|

存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]