存儲(chǔ)器文章最新資訊

存儲(chǔ)器深陷“缺芯之痛” 芯片國產(chǎn)化之路任重道遠(yuǎn)

眾聲喧嚷中，隨著今年下半年長江存儲(chǔ)的正式成立，武漢新芯與紫光集團(tuán)走到了一起。合流背后到底發(fā)生了什么?它們的合流又對整個(gè)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展意味著什么?中國到底該怎樣發(fā)展存儲(chǔ)?
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大陸存儲(chǔ)器三路追擊，臺(tái)灣成挖角大本營

大陸近幾年積極扶植半導(dǎo)體，諸如晶圓代工中芯國際;IC 設(shè)計(jì)海思、展訊;封測江蘇長電、南通富士通都是中國 IC 潮備受關(guān)注的新勢力。然而在存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)大陸始終難以找到突破口，只好從土法煉鋼起，而臺(tái)灣在這之間成了大陸挖角大本營。
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存儲(chǔ)器市場還能熱多久？SK海力士年K線飆35%、還將續(xù)漲20%？

　　據(jù)海外媒體報(bào)道，存儲(chǔ)器價(jià)格超夯，今年至今韓廠SK 海力士 (SK Hynix )已經(jīng)飆升35%，部分外資相當(dāng)樂觀，預(yù)言還有20%上行空間。　　巴倫(Barronˋs)14日報(bào)導(dǎo)，DRAM價(jià)格上漲，帶動(dòng)SK海力士一路攀高。DRAMeXchange預(yù)估，第三季DRAM價(jià)格將季增9%，第四季價(jià)格可能會(huì)再飆將近30%。有鑒于此，摩根士丹利(大摩)的Shawn Kim估計(jì)，SK海力士股價(jià)可望續(xù)漲20%。　　大摩報(bào)告稱，時(shí)序邁向Q4，DRAM和NAND價(jià)格表現(xiàn)都優(yōu)于預(yù)期，也勝過SK海力士的預(yù)估。DRAM投
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日本開發(fā)出可在600℃高溫下工作的非易失性存儲(chǔ)器

　　日本千葉工業(yè)大學(xué)2016年10月11日宣布，與日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所(產(chǎn)綜研)及日本物質(zhì)材料研究機(jī)構(gòu)(NIMS)合作開發(fā)出了采用鉑納米間隙結(jié)構(gòu)、在600℃下也能工作的非易失性存儲(chǔ)器元件。這種元件有望應(yīng)用于高溫環(huán)境下的存儲(chǔ)器和傳感器，例如飛行記錄器、行星探測器等。　　　　納米間隙存儲(chǔ)器的工作原理　　隨著納米柱生長，納米間隙的間隔發(fā)生變化(摘自千葉工業(yè)大學(xué)的發(fā)布資料，下同) 　　　　掃描型電子顯微鏡拍攝的鉑納米間隙電極　　
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用FPGA器件提升物聯(lián)網(wǎng)和其它聯(lián)網(wǎng)設(shè)計(jì)的安全性

在現(xiàn)今日益趨向超連接的世界(hyper-connected world)中，如何保護(hù)新的設(shè)計(jì)避免被克隆、反向工程和/或篡改是一項(xiàng)重大挑戰(zhàn)。FPGA器件通過加入滿足器件級(jí)安全需求的特性，來幫助實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)。日益增長的IoT安全需求物
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經(jīng)驗(yàn)之談，工程師在電路設(shè)計(jì)中的八大誤區(qū)

我們常常會(huì)發(fā)現(xiàn)，自己想當(dāng)然的一些規(guī)則或道理往往會(huì)存在一些差錯(cuò)。電子工程師在電路設(shè)計(jì)中也會(huì)有這樣的例子。下面是一位工程師總結(jié)的八大誤區(qū)點(diǎn)?，F(xiàn)象一：這板子的PCB設(shè)計(jì)要求不高，就用細(xì)一點(diǎn)的線，自動(dòng)布吧點(diǎn)評(píng)：
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基于MSP430系列微控制器的FFT算法實(shí)現(xiàn)

摘要：傅里葉變換算法在供電質(zhì)量監(jiān)測系統(tǒng)中被用來進(jìn)行諧波分析，如何加快分析速度和降低系統(tǒng)成本是當(dāng)前這種監(jiān)測系統(tǒng)設(shè)計(jì)關(guān)注的主要問題。TI公司的MSP430系統(tǒng)微控制器具有功耗低、供電范圍寬及外圍模塊齊全等特點(diǎn)，適
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單片機(jī)入門學(xué)習(xí)篇

與其它的嵌入式系統(tǒng)相比，單片機(jī)的體積小，但是集成度高，具備較高的可靠性與控制功能;功耗低且采用低電壓，因此對便攜式產(chǎn)品的制造與生產(chǎn)十分有利;具備較好的擴(kuò)展性與優(yōu)異的性能比，其應(yīng)用范圍十分廣泛
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TMS320C6678 存儲(chǔ)器訪問性能（上）

摘要TMS320C6678 有8 個(gè)C66x 核，典型速度是1GHz，每個(gè)核有 32KB L1D SRAM，32KB L1P SRAM 和 512KB LL2 SRAM;所有 DSP 核共享 4MB SL2 SRAM。一個(gè) 64-bit 1333MTS DDR3 SDRAM 接口可以支持8GB 外部擴(kuò)展存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)
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詳述DRAM、SDRAM及DDR SDRAM的概念

DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器)對設(shè)計(jì)人員特別具有吸引力，因?yàn)樗峁┝藦V泛的性能，用于各種計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)的存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DD
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STT-MRAM存儲(chǔ)技術(shù)詳解

存儲(chǔ)器是當(dāng)今每一個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、存儲(chǔ)方案和移動(dòng)設(shè)備都使用的關(guān)鍵部件之一。存儲(chǔ)器的性能、可擴(kuò)展性，可靠性和成本是決定推向市場的每個(gè)系統(tǒng)產(chǎn)品經(jīng)濟(jì)上成功或失敗的主要標(biāo)準(zhǔn)。目前，幾乎所有產(chǎn)品都使用一種或組合使用
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中國半導(dǎo)體行業(yè)崛起的突破口：存儲(chǔ)器

　　上兩回我們分析了風(fēng)口浪尖的武漢新芯和紫光集團(tuán)，這回我們一起來看一下另一個(gè)可能決定中國半導(dǎo)體行業(yè)命運(yùn)的地方合肥。　　據(jù)媒體報(bào)道，由日本爾必達(dá)的元社長坂本幸雄所設(shè)立的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司兆基科技(Sino King Technology)和安徽省合肥市政府正式簽署工廠興建契約，兆基科技將主導(dǎo)合肥市政府總額高達(dá)8000億日元(460億人民幣)的大規(guī)模半導(dǎo)體工廠興建企劃。新工廠將生產(chǎn)由兆基科技所設(shè)計(jì)研發(fā)、具備低耗電力的計(jì)算機(jī)內(nèi)存(DRAM)，計(jì)劃在2018年下半年開始量產(chǎn)，以12吋晶圓換算的月產(chǎn)能達(dá)10萬片的國
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三星將在中韓量產(chǎn)最尖端64層手機(jī)存儲(chǔ)器

　　韓國三星電子將著手量產(chǎn)智慧手機(jī)用最尖端的三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器(3D NAND)。三星10月7日發(fā)布的2016年7～9月的合并營業(yè)利潤在堅(jiān)挺的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的拉動(dòng)下，較上年同期增長5%，達(dá)到7.8萬億韓元(速報(bào)值)。因市場行情好轉(zhuǎn)，三星最早將于2016年內(nèi)在韓國和中國的工廠投產(chǎn)64層3D NAND。　　在智慧手機(jī)使用的DRAM和NAND兩種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域，三星的市占率位居全球首位。DRAM在斷開電源后，數(shù)據(jù)會(huì)消失，而NAND在斷開電源后，可繼續(xù)保存數(shù)據(jù)。2015年NAND市場行情低迷。最初有觀點(diǎn)認(rèn)為201
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基于單通道DRFM的基帶干擾源設(shè)計(jì)

摘要通過對單通道數(shù)字射頻存儲(chǔ)器的原理和結(jié)構(gòu)分析，總結(jié)了單通道數(shù)字射頻存儲(chǔ)器的優(yōu)缺點(diǎn)，并基于單通道數(shù)字射頻存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，引入DSP模塊設(shè)計(jì)了一種基帶干擾源，實(shí)現(xiàn)了對寬帶信號(hào)的處理。
關(guān)鍵詞數(shù)字射頻存儲(chǔ)器；基帶
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打破半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)三強(qiáng)鼎立局面的機(jī)會(huì)何在？

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一個(gè)高度壟斷的市場，其三大主流產(chǎn)品DRAM，NANDFlash，NORFlash更是如此，尤其是前兩者，全球市場基本被前三大公司占據(jù)，且近年來壟斷程度逐步加劇。
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]