存儲(chǔ)器文章最新資訊

三星SK海力士存儲(chǔ)器被中國美國追趕韓政府預(yù)算零成長

　　韓國政府2016年未編列半導(dǎo)體預(yù)算，使韓國半導(dǎo)體業(yè)界不滿聲浪高漲。在韓國引以為傲的存儲(chǔ)器市場上，大陸和美國迅速追擊，韓國半導(dǎo)體業(yè)者危機(jī)感提升，而列為未來成長動(dòng)能的IC設(shè)計(jì)，也未受到韓國政府重視。　　據(jù)Digital Times報(bào)導(dǎo)，韓國政府對半導(dǎo)體、顯示器等核心產(chǎn)業(yè)，以及電子情報(bào)裝置新事業(yè)等，均未編列預(yù)算。自2016年起，將不會(huì)有由韓國政府主導(dǎo)的新半導(dǎo)體相關(guān)研發(fā)。　　目前正在進(jìn)行的系統(tǒng)芯片扶植相關(guān)研發(fā)事業(yè)也陷入危機(jī)。韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部關(guān)系人員指出，產(chǎn)業(yè)委員會(huì)對于預(yù)算方面提出質(zhì)疑，并主張?jiān)鲑Y30
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存儲(chǔ)器封測大廠力成無奈出嫁臺(tái)灣的明日啟示錄

　　10月30日下午，全球最大存儲(chǔ)器封測廠力成科技董事長蔡篤恭，宣布紫光以194億元入股25%持股，成為力成第一大股東。這個(gè)近200億元的投資案，不僅是歷來外商投資國內(nèi)封測業(yè)最大的案子，而且還來自最近頻頻在全世界撒錢收購企業(yè)的中國紫光集團(tuán)，更讓這個(gè)入股案引起眾人矚目。　　紫光會(huì)入股力成，策略主軸其實(shí)相當(dāng)清楚，而且是一步步完成在存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的拼圖，可以說完全不讓人意外。根據(jù)紫光集團(tuán)董事長趙偉國的規(guī)畫，目前紫光布局的三個(gè)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)，第一個(gè)是儲(chǔ)存與存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，第二個(gè)是行動(dòng)通訊芯片，第三個(gè)則是物聯(lián)網(wǎng)(IoT)相關(guān)
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美光新型存儲(chǔ)器要替代NOR快閃存儲(chǔ)器

　　是時(shí)候該跟平凡無奇的NOR快閃存儲(chǔ)器說再見了?美光科技(Micron)最近發(fā)表最新XTRMFlash系列產(chǎn)品，號(hào)稱速度可達(dá)到3.2Gb/s，而且與目前市面上的串列式NOR快閃存儲(chǔ)器接腳相容。　　美光嵌入式業(yè)務(wù)部門NOR快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品總監(jiān)Richard De Caro表示：“并列式快閃存儲(chǔ)器的時(shí)代已經(jīng)結(jié)束了，美光新推出的XTRMFlash將可在接下來取代目前市面上的并列式與串列式存儲(chǔ)器──也許除了一些低密度應(yīng)用。”美光將為新產(chǎn)品推出容量從128Mb~2Gb的產(chǎn)品，目前第一波
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半導(dǎo)體購并裁員潮接踵而至　沖擊層面恐?jǐn)U大

　　全球半導(dǎo)體業(yè)購并熱潮延燒，隨著新一代芯片研發(fā)成本大幅提升，廠商必須創(chuàng)造更多營收，購并成為廠商提升競爭力重要策略，業(yè)界預(yù)期包括存儲(chǔ)器、儲(chǔ)存、網(wǎng)路系統(tǒng)、處理器、模擬IC等領(lǐng)域，將持續(xù)出現(xiàn)更多購并案，不僅對于半導(dǎo)體人力資源及芯片價(jià)格造成影響，OEM客戶亦將因?yàn)楹献鲗ο筮x擇變少而受到?jīng)_擊。　　2015年半導(dǎo)體購并案及裁員消息頻傳，業(yè)界推測與產(chǎn)品及營運(yùn)狀況有極大關(guān)系，像是英特爾(Intel)以167億美元買下Altera，以及恩智浦(NXP)以100億美元買下飛思卡爾(Freescale)，裁員人數(shù)都將少于
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國內(nèi)存儲(chǔ)器芯片9成以上依賴進(jìn)口或引進(jìn)新政策

　　大陸成為全球最大存儲(chǔ)器芯片消費(fèi)國，以往存儲(chǔ)器芯片有9成以上依賴進(jìn)口的大陸，以提升自給率為名義促進(jìn)在地生產(chǎn)，可能引進(jìn)新政策。　　Digital Times引用TrendForce資料指出，2015年大陸DRAM采購規(guī)模估計(jì)為120億美元、NAND Flash采購規(guī)模為66.7億美元。這各占全球DRAM和NAND供貨量的21.6%和29.1%。移動(dòng)DRAM較2014年成長近2倍，市占率達(dá) 40%。　　大陸的DRAM、NAND采購增加，意味著大陸終端產(chǎn)品業(yè)者的成長迅速。在PC領(lǐng)域，聯(lián)想快速成長，成為
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一度無人問津大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)狂想曲

涉及數(shù)百億美元巨額投資、一度無人問津的存儲(chǔ)器，正在成為中國地方政府競相追逐的產(chǎn)業(yè)，但最近，所有的玩家卻一同現(xiàn)身，當(dāng)中國企業(yè)攜市場、資本入局，必然會(huì)攪動(dòng)國際存儲(chǔ)器格局，帶來更加激烈的競爭，國際巨頭與中國企業(yè)、政府的競合博弈，也會(huì)給中國玩家?guī)砀嗟氖袌鲲L(fēng)險(xiǎn)。
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大陸存儲(chǔ)器消費(fèi)實(shí)力不容小覷　聯(lián)想采購量與惠普相當(dāng)

　　大陸成為全球最大存儲(chǔ)器芯片消費(fèi)國，以往存儲(chǔ)器芯片有9成以上依賴進(jìn)口的大陸，以提升自給率為名義促進(jìn)在地生產(chǎn)，可能引進(jìn)新政策。　　Digital Times引用TrendForce資料指出，2015年大陸DRAM采購規(guī)模估計(jì)為120億美元、NAND Flash采購規(guī)模為66.7億美元。這各占全球DRAM和NAND供貨量的21.6%和29.1%。移動(dòng)DRAM較2014年成長近2倍，市占率達(dá)40%。　　大陸的DRAM、NAND采購增加，意味著大陸終端產(chǎn)品業(yè)者的成長迅速。在PC領(lǐng)域，聯(lián)想快速成長，成為存
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Intel揮軍存儲(chǔ)器為自保、產(chǎn)量不致打亂市場供需？

　　英特爾(Intel)進(jìn)攻存儲(chǔ)器，將斥資改造大連廠，外界對此議論紛紛，擔(dān)心美光將受威脅，NAND flash恐會(huì)供過于求，不過有分析師認(rèn)為，英特爾此舉是是為了自保，產(chǎn)量不會(huì)大到?jīng)_擊市場。　　巴倫(Barronˋs)財(cái)經(jīng)網(wǎng)站23日報(bào)導(dǎo)，富國銀行(Wells Fargo)分析師David Wong表示，英特爾和美光(Micron)合力發(fā)展的新存儲(chǔ)器技術(shù)“3D Xpoint”將是大連廠的生產(chǎn)重心，英特爾可從中獲利，但不會(huì)成為NAND flash的主要生產(chǎn)商，預(yù)料存儲(chǔ)器僅占該公司整體
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阻變存儲(chǔ)器：中國企業(yè)如何“存儲(chǔ)”專利實(shí)力？

98%的存儲(chǔ)系統(tǒng)采用國外產(chǎn)品，同時(shí)，高端存儲(chǔ)系統(tǒng)的核心技術(shù)大都被國外存儲(chǔ)廠商壟斷，這給國家信息安全帶來了較大的安全隱患，突破國外廠商的壟斷，研發(fā)出擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高端存儲(chǔ)技術(shù)已迫在眉睫。
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非易失性光存儲(chǔ)器，利用相變材料實(shí)現(xiàn)

首次實(shí)現(xiàn)了非易失性光存儲(chǔ)器，革命性的技術(shù)帶來存儲(chǔ)領(lǐng)域的新世界。
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大陸景氣低迷　韓國存儲(chǔ)器廠前景恐難卜

　　雖然大陸景氣疲軟，2015年韓國存儲(chǔ)器廠的業(yè)績展望相對明朗。然大陸智能型手機(jī)需求縮減，2016年移動(dòng)DRAM價(jià)格可能下滑，2016年前景反而不透明。　　據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，全球排名前一、二名的DRAM制造廠三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)下半年業(yè)績可能會(huì)與當(dāng)初預(yù)期相近，或小幅提升。近來大陸景氣迅速萎縮，但對下半年暫時(shí)不會(huì)有太大影響。　　三星下半年IT及移動(dòng)裝置(IM)事業(yè)部業(yè)績可能下滑，但半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部的存儲(chǔ)器和系統(tǒng)晶
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服務(wù)器用存儲(chǔ)器價(jià)格續(xù)跌　幅度可望收斂

　　受到全球經(jīng)濟(jì)狀況疲弱，且匯率波動(dòng)劇烈影響，企業(yè)用伺服器品牌出貨呈現(xiàn)停滯、甚至衰退情況，加上整體DRAM需求不彰，導(dǎo)致伺服器用記憶體價(jià)格持續(xù)滑落。根據(jù)TrendForce旗下記憶儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，DDR4 R-DIMM均價(jià)截至8月底為止，跌幅高達(dá)15%，而低價(jià)預(yù)期最快將于第三季底與DDR3達(dá)到平價(jià)，可望增加伺服器升級(jí)至英特爾(Intel) Grantley平臺(tái)的需求。　　DRAMeXchange分析師劉家羽表示，受惠于DDR4跌價(jià)促進(jìn)的平臺(tái)升級(jí)需求，近期幾家前端晶片供應(yīng)
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存儲(chǔ)器革新將引發(fā)電子產(chǎn)業(yè)蝴蝶效應(yīng)？

　　經(jīng)過幾十年的發(fā)展，電子產(chǎn)業(yè)幾乎已成為一個(gè)線性系統(tǒng)，并被摩爾定律(Moore‘sLaw)左右。然而隨著摩爾定律逐漸出現(xiàn)松動(dòng)，越來越多新技術(shù)開始浮上臺(tái)面。這些技術(shù)不僅僅是既有技術(shù)的改進(jìn)，而是全面的變革。電子產(chǎn)業(yè)可望借由這些新技術(shù)轉(zhuǎn)型成為非線性系統(tǒng)，推翻多年來電子產(chǎn)業(yè)所定立的主張。　　存儲(chǔ)器技術(shù)近年的發(fā)展，可能就此改變存儲(chǔ)器與處理技術(shù)在1940年代便已確立的關(guān)系。連續(xù)存儲(chǔ)器配置的效率盡管不斷受到挑戰(zhàn)，但系統(tǒng)的惰性使得這種配置幾十年來維持不變。　　即使在對稱多處理系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器的配置仍多是
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 SRAM

大話存儲(chǔ)器——存儲(chǔ)器無處不在

　　特權(quán)同學(xué)對存儲(chǔ)器的認(rèn)識(shí)也許還很膚淺，但是不要緊，學(xué)習(xí)靠積累，靠總結(jié)。希望在大話存儲(chǔ)器的一些文章里總結(jié)歸納一些和存儲(chǔ)器相關(guān)的知識(shí)，也希望能夠理出一條清晰的思路，讓大家也讓我自己對存儲(chǔ)器有更深入的認(rèn)識(shí)何了解。　　提到存儲(chǔ)器相信沒有人會(huì)陌生，也許你的第一反應(yīng)會(huì)是PC機(jī)的內(nèi)存條、硬盤，如果你是個(gè)電子行業(yè)的學(xué)生或者從業(yè)者，你也許還會(huì)想到FLASH、SRAM、SDRAM、EEPROM等等。的確，信息時(shí)代的存儲(chǔ)器可謂無處不在，也正是因?yàn)橛辛舜鎯?chǔ)器，才讓計(jì)算機(jī)(特權(quán)同學(xué)認(rèn)為這個(gè)計(jì)算機(jī)的概念不僅僅是電腦，嵌入式的任
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三星新快閃存儲(chǔ)器技術(shù) 提升手機(jī)儲(chǔ)存容量

　　三星宣布將以旗下第三代V-NAND技術(shù)打造容量更大、體積更小的256-gigabit (32GB)3D快閃記憶體模組，藉此讓手機(jī)儲(chǔ)存元件、PC用SSD容量可大幅提升。同時(shí)，藉由新技術(shù)投入將可提升約40%產(chǎn)能，并且將能以此提供價(jià)格更具實(shí)惠的快閃記憶體模組，預(yù)計(jì)最快在今年下半年間至明年初即可應(yīng)用在實(shí)際市售產(chǎn)品。　　　　根據(jù)三星公布消息，確定將在今年下半年內(nèi)投入第三代V-NAND技術(shù)，藉此打造容量更大、體積更小的256-gigabit (32GB)3D快閃記憶體模組，進(jìn)而提升手機(jī)
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]