存儲(chǔ)器文章最新資訊

臺媒：國家大基金帶動(dòng)未來大陸半導(dǎo)體投資黃金3年

　　據(jù)臺灣媒體報(bào)道，正值2016年底圣誕假期、2017年新春伊始之際，大陸傾國家之力戮力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)超趕美日臺韓的雄心依然未歇，12月下旬和1月上旬期間，先后傳來大陸晶圓代工龍頭中芯國際聘請臺積電負(fù)責(zé)研發(fā)業(yè)務(wù)的前營運(yùn)長蔣尚義，出任該公司獨(dú)立董事一職，隨后又有大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展要角紫光集團(tuán)延攬聯(lián)電前執(zhí)行長孫世偉，出任紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁的消息，顯示大陸官方所強(qiáng)力主導(dǎo)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，即使在歲末年終、新年初始之時(shí)，強(qiáng)烈的企圖心依舊展現(xiàn)其拉攏臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)人才、技術(shù)，助力大陸半導(dǎo)體遍地開花的決心。　　事
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存儲(chǔ)器國產(chǎn)化為何選3D NAND作為突破口？

　　在上海一場以“匠心獨(dú)運(yùn)，卓越創(chuàng)芯”為主題的IC技術(shù)峰會(huì)上，長江存儲(chǔ)CEO楊士寧先生參會(huì)并發(fā)表了題為《發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略思考》的演講。在演講中，他對為什么選擇發(fā)展存儲(chǔ)、為什么選擇3D NAND Flash作為突破口、還有3D NAND Flash將面臨什么樣的挑戰(zhàn)等問題，作了深刻的分析。　　為什么中國要發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè) 　　在詳細(xì)介紹為什么中國要發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)之前，楊士寧首先對存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的整體狀況作了一個(gè)分析。根據(jù)他的說法，在全球的半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)品中，NAND 和
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大陸存儲(chǔ)器的戰(zhàn)略布局

　　長江存儲(chǔ)成立后，大陸在這個(gè)階段于半導(dǎo)體的宏觀布局重新成形。但是為什么挑由存儲(chǔ)器入手?這是個(gè)關(guān)鍵選擇。尤其是在臺灣的 DRAM 產(chǎn)業(yè)甫因規(guī)模經(jīng)濟(jì)不足導(dǎo)致研發(fā)無法完全自主而緩緩淡出之際，這樣的選擇需要一番辯證。進(jìn)口替代當(dāng)然是原因之一，但不是全部。　　回歸基本面來看。半導(dǎo)體之所以為高科技是因?yàn)橛心柖?，容許其不斷的制程微縮，而其經(jīng)濟(jì)效益也高度依賴摩爾定律。DRAM 在很長的一段時(shí)間里是半導(dǎo)體業(yè)的驅(qū)策技術(shù)(driving technology)，也就是說DRAM的制程領(lǐng)導(dǎo)其它的半導(dǎo)體制程前進(jìn)。半導(dǎo)體的先
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臺媒：大陸向臺廠借將只是序幕

　　中國大陸大力扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，遭遇美國川普新政府全力阻擋，未來恐加速自主研發(fā)。資深半導(dǎo)體業(yè)界人士分析，中國大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入群雄爭頭，對外挖角行動(dòng)也會(huì)加快，借將臺廠資深半導(dǎo)體菁英，只是序幕，且未來挖角行動(dòng)也會(huì)擴(kuò)大到其他國家。　　中國大陸稍早在國家發(fā)展半導(dǎo)體集成綱要中，明定中芯和紫光為主導(dǎo)邏輯晶片和存儲(chǔ)器兩大指標(biāo)廠，不過各地方競相爭首，希望獲得中央關(guān)注及國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金(大基金)青睞注資。中芯目前是中國大陸晶片制造龍頭，但和全球尖端制造廠相比，技術(shù)仍落后一大截，雖然中芯去年市值超越聯(lián)電，但因兩地本益比
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為什么臺灣存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)會(huì)走向沒落！

隨著華亞科在2016年正式被美光收購，也標(biāo)志著臺灣地區(qū)自主存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)沒落，雖然還有相關(guān)產(chǎn)業(yè)存在，但已不是臺灣地區(qū)公司和資本主導(dǎo)。
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人才和經(jīng)驗(yàn)全部“made in Taiwan” 紫光打造國家級半導(dǎo)體艦隊(duì)

　　據(jù)臺灣媒體報(bào)道，大陸打造上中下游一條鞭的半導(dǎo)體航空母艦的輪廓看似越來越清晰，但其實(shí)格局越拉越大，劇情超展開，且紫光集團(tuán)在當(dāng)中扮演的角色越來越重要，更是提供滿滿大平臺，吸引臺灣半導(dǎo)體現(xiàn)役、退役、半退役人士紛紛加入，貢獻(xiàn)畢生所學(xué)，且燃盡余生來協(xié)助大陸打造國家級半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)艦隊(duì)，這支艦隊(duì)“made in Taiwan”! 　　紫光已成大陸發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)之首，除了打造DRAM和NAND Flash存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)外，紫光的布局明顯地已經(jīng)進(jìn)入晶圓代工領(lǐng)域。日前紫光再度加碼大陸晶圓代工龍頭中芯國
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10年追“芯”路 “中國存儲(chǔ)器航母”終起航

雖然我國缺乏大規(guī)模存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)廠家，但全球集成電路產(chǎn)業(yè)增長放緩，為我國實(shí)現(xiàn)趕超、縮小差距提供了難得機(jī)遇。
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兆易創(chuàng)新于國際存儲(chǔ)器技術(shù)會(huì)議發(fā)表論文

　　全球頂級研究人員匯聚三藩市，參加IEEE國際電子元件會(huì)議(IEDM)。斯坦福大學(xué)團(tuán)隊(duì)在會(huì)議上發(fā)表的一篇論文，正是這種洞察細(xì)節(jié)精神的體現(xiàn)。　　由IBM電子工程師出身的黃漢森教授(H.S.PhilipWong)指導(dǎo)該團(tuán)隊(duì)，在深入研究一種新型資料儲(chǔ)存技術(shù)。對于智慧手機(jī)和其他移動(dòng)設(shè)備而言，高效節(jié)能是至關(guān)重要的，因此此種資料存儲(chǔ)技術(shù)將是這些設(shè)備的理想選擇。　　這種新技術(shù)產(chǎn)品稱為電阻式存儲(chǔ)器，縮寫為RRAM。電阻式存儲(chǔ)器基于一種新型半導(dǎo)體材料，此種半導(dǎo)體材料能夠以阻止或允許通過電子流的方式，形成狀態(tài)值&l
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趙偉國：要打贏存儲(chǔ)芯片制造的“世界戰(zhàn)爭”

　　引起全球集成電路產(chǎn)業(yè)重大關(guān)注的國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目，2016年12月30日正式開工。立志打造中國集成電路產(chǎn)業(yè)航母的紫光集團(tuán)入股長江存儲(chǔ)，執(zhí)掌項(xiàng)目建設(shè)，亦引人注目。　　2016年12月30日，紫光集團(tuán)董事長兼長江存儲(chǔ)董事長趙偉國接受長江日報(bào)記者采訪時(shí)表示，參與建設(shè)國家存儲(chǔ)器基地，對于紫光集團(tuán)來說，責(zé)任和壓力很大，這是事關(guān)國家戰(zhàn)略、“使命必達(dá)”的戰(zhàn)役，也是真刀真槍的全球市場競爭。　　談項(xiàng)目：這是“中國存儲(chǔ)器航母”起航　　“國家存儲(chǔ)器基地
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國家存儲(chǔ)器基地動(dòng)土　要建3座全球最大3D NAND廠

　　傾大陸國家之力的中國長江存儲(chǔ)存儲(chǔ)器基地正式于2016年12月30日開工，而此項(xiàng)目前身為武漢新芯存儲(chǔ)器基地，在歷經(jīng)中國紫光與武漢新芯合體后，重新找地建新廠，強(qiáng)調(diào)要打造全球單座潔凈室面積最大的3DNANDFlash新廠。　　紫光集團(tuán)于2016年12月30日在大陸武漢東湖高新區(qū)舉移動(dòng)土典禮，宣布中國國家存儲(chǔ)器基地正式開工，該建設(shè)項(xiàng)目聯(lián)合紫光集團(tuán)、國家集成電路產(chǎn)業(yè)地方基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投等共同出資，項(xiàng)目總投資金額達(dá)240億美元。　　紫光集團(tuán)暨長江存儲(chǔ)董事長趙偉國趙偉國典禮中強(qiáng)調(diào)，
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正式開工長江存儲(chǔ)帶頭中國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)啟航

　　今日，由紫光集團(tuán)聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資240億美元建設(shè)的國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目正式動(dòng)工，預(yù)計(jì) 2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個(gè)項(xiàng)目，初期計(jì)劃以先進(jìn)的3D NAND為策略產(chǎn)品。　　據(jù)悉，此次動(dòng)工建設(shè)的存儲(chǔ)器基地位于武漢東湖高新區(qū)的武漢未來科技城，規(guī)劃建設(shè)3座3D NAND 生產(chǎn)工廠，1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套設(shè)施，總占地面積1968畝，預(yù)計(jì)到2020年可形成月產(chǎn)能30萬片的規(guī)模，年產(chǎn)值將超過100億美元，到2030年可提升到每月100萬
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Cypress于聯(lián)電制造的eCT嵌入式快閃存儲(chǔ)器MCU開始量產(chǎn)出貨

　　聯(lián)華電子與嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器解決方案廠商Cypress今(14日)共同宣布，在聯(lián)電制造的專有40奈米嵌入式電荷擷取(eCT)快閃存儲(chǔ)器的微電腦控制器(MCU)已量產(chǎn)出貨。此次量產(chǎn)展現(xiàn)Cypress快閃存儲(chǔ)器技術(shù)結(jié)合聯(lián)電40奈米低功耗(40LP)邏輯制程的多年合作結(jié)果。 40奈米eCT 快閃存儲(chǔ)器的尺寸僅為0.053μm2，比最接近之競爭對手的尺寸約小25%。 eCT快閃存儲(chǔ)器可滿足最嚴(yán)苛的高性能應(yīng)用設(shè)計(jì)的兩個(gè)關(guān)鍵特性，即8 nsec的隨機(jī)存取速率和
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資深工程師：選擇汽車MCU的十大考慮因素

　　微控制器(MCU)在從電機(jī)控制，到信息娛樂系統(tǒng)和車身控制等越來越寬泛的汽車應(yīng)用中提供至關(guān)重要的性能。隨著價(jià)格的下降和整固的增加，微控制器正變得越來越普及，這意味著MCU被越來越多地視為商品。盡管存在這種商品化趨勢，汽車系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師仍然認(rèn)為不同的控制器會(huì)有很大的差異，包括各種級別的集成度和功率要求。選擇MCU通?？梢钥s減材料成本(BOM)，從而有效地降低電子控制單元(ECU)本身的價(jià)格。　　選擇汽車MCU時(shí)，設(shè)計(jì)工程師可以考慮以下10個(gè)重要因素，實(shí)現(xiàn)成本壓力與應(yīng)用所需的特定性能特色之間的平衡?！　?.
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存儲(chǔ)的春天 2017年存儲(chǔ)行業(yè)收入將創(chuàng)紀(jì)錄

　　根據(jù)ICInsights報(bào)道，在經(jīng)歷了2013年與2014年連續(xù)兩年20%以上增長的好年景以后，2015年全球存儲(chǔ)器市場陷入困境。無論是供應(yīng)商合并、產(chǎn)能控制還是新型應(yīng)用頻出等過去認(rèn)為是利好的事情，都沒有拯救2015年的存儲(chǔ)器市場。個(gè)人電腦市場的低迷導(dǎo)致存儲(chǔ)器庫存過多，從而在2015年下半年出現(xiàn)了價(jià)格暴跌，2015年存儲(chǔ)器銷售額最終為780億美元，同比下降了3%。　　這種頹勢延續(xù)到了2016年上半年，但從2016年下半年開始情況發(fā)生了變化，存儲(chǔ)器價(jià)格開始變得異常堅(jiān)挺，而且持續(xù)到了2016結(jié)束。但由于
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SK海力士72層3D NAND存儲(chǔ)器，傳明年領(lǐng)先全球量產(chǎn)

　　SK海力士最先進(jìn)72層3D NAND存儲(chǔ)器傳明年開始量產(chǎn)，韓聯(lián)社周一引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出，SK海力士計(jì)劃于2017上半年完成芯片設(shè)計(jì)，位在利川(Icheon)的M14廠將可在下半年開始生產(chǎn)。　　若按計(jì)劃進(jìn)行，SK海力士將成為全球第一個(gè)量產(chǎn)72層3D NAND的存儲(chǔ)器廠。為因應(yīng)市場需求增溫，SK海力士上周已宣布將在韓國與中國兩地，投資3.15兆韓圜來增加DRAM與NAND存儲(chǔ)器產(chǎn)能。　　隨著微縮制程遭遇瓶頸，業(yè)者紛紛改以3D垂直方式堆疊存儲(chǔ)器做突破，但工藝技術(shù)各不相同。目前技術(shù)領(lǐng)先的三星已于
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]