存儲器文章最新資訊

EEPROM 和 flash 這樣講，早就懂了！

前幾天看到群里在討論存儲器，有些人一直搞不懂，今天給大家分享一篇文章總結(jié)一下。存儲器分為兩大類：RAM 和 ROM。RAM 就不講了，今天主要討論 ROM。rom最初不能編程，出廠什么內(nèi)容就永遠什么內(nèi)容，不靈活。后來出現(xiàn)了prom，可以自己寫入一次，要是寫錯了，只能換一片，自認倒霉。人類文明不斷進步，終于出現(xiàn)了可多次擦除寫入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外線上照一下，想一下你往單片機上下了一個程序之后發(fā)現(xiàn)有個地方需要加一句話，為此你要把單片機放紫外燈下照半小時
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存儲大廠技術(shù)之爭愈演愈烈

AI、大數(shù)據(jù)等應用催生海量存儲數(shù)據(jù)需求，也對存儲技術(shù)提出了更高要求，這一背景下，存儲大廠技術(shù)競爭愈演愈烈。閃存方面，大廠聚焦層數(shù)突破。近期，韓媒報道，三星電子預計將于本月晚些時候量產(chǎn)第九代V-NAND閃存，該公司已于2022年量產(chǎn)了236層第八代V-NAND閃存，即將量產(chǎn)的第九代V-NAND閃存將繼續(xù)使用雙閃存堆棧的結(jié)構(gòu)，層數(shù)將達到290層。另據(jù)業(yè)界預測，三星未來第十代V-NAND層數(shù)有望達到430層，屆時三星將換用三堆棧結(jié)構(gòu)。而更遙遠的未來，三星、鎧俠兩家廠商透露將發(fā)力1000層閃存。三星計劃2030年
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AI PC一觸即發(fā)，存儲器、NPU等大放異彩！

AI浪潮正持續(xù)改變各行各業(yè)，此前歷經(jīng)下行周期的PC市場也開始迎來新的機會。今年以來，無論是美國消費電子展（CES）還是巴塞羅那世界移動通信大會（MWC），AI PC都成為了當之無愧的焦點，包括英特爾、AMD、英偉達等芯片大廠，以及聯(lián)想、戴爾、宏碁、華碩、榮耀等下游廠商紛紛推出相關(guān)產(chǎn)品，布局AI PC。業(yè)界直言，2024年或是AI PC元年，這一風口下，半導體領(lǐng)域NPU以及存儲器等有望持續(xù)受益。一 AI PC一觸即發(fā)，半導體大廠瞄準NPUChatGPT的橫空出世，讓人見識到了AI大模型的威力，隨后，
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搞嵌入式，不懂DMA？笑死人

DMA，全稱Direct Memory Access，即直接存儲器訪問。DMA傳輸將數(shù)據(jù)從一個地址空間復制到另一個地址空間，提供在外設和存儲器之間或者存儲器和存儲器之間的高速數(shù)據(jù)傳輸。我們知道CPU有轉(zhuǎn)移數(shù)據(jù)、計算、控制程序轉(zhuǎn)移等很多功能，系統(tǒng)運作的核心就是CPU.CPU無時不刻的在處理著大量的事務，但有些事情卻沒有那么重要，比方說數(shù)據(jù)的復制和存儲數(shù)據(jù)，如果我們把這部分的CPU資源拿出來，讓CPU去處理其他的復雜計算事務，是不是能夠更好的利用CPU的資源呢？因此：轉(zhuǎn)移數(shù)據(jù)（尤其是轉(zhuǎn)移大量數(shù)據(jù)）是可以不需要
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AI激發(fā)存儲市場潛能，SSD主控芯片國產(chǎn)化浪潮提速

近日，國產(chǎn)主控芯片廠商英韌科技宣布量產(chǎn)其第九款主控芯片——YRS820。這也是繼去年9月宣布量產(chǎn)PCIe 5.0 SSD企業(yè)級主控YRS900后，英韌科技官宣量產(chǎn)的最新款主控芯片。YRS820的4“高”2“低”據(jù)英韌科技聯(lián)合創(chuàng)始人、數(shù)據(jù)存儲技術(shù)副總裁陳杰介紹，YRS820主控芯片具備四“高”二“低”的技術(shù)亮點，即超高安全性、超高可靠性、超高容量支持、超高性能、超低功耗及超低延時。陳杰表示，YRS820主控芯片采用RISC-V（開源指令架構(gòu)），配備4通道PCIe 5.0接口，8個NAND閃存通道，支持NVM
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中國科學家研究鐵電隧道結(jié)存儲器獲新進展

近日，中國科學家鐵電隧道結(jié)存儲器研發(fā)取得了新的進展。據(jù)中國科學院金屬研究所官網(wǎng)介紹，在最新完成的研究中，其研究團隊提出利用緩沖層定量調(diào)控薄膜應變，延遲鐵電薄膜晶格弛豫從而增強鐵電極化強度的策略，成功揭示極化強度同鐵電隧道結(jié)存儲器隧穿電阻之間的內(nèi)在關(guān)聯(lián)，并實現(xiàn)巨大隧穿電致電阻(或器件開關(guān)比)。鐵電隧道結(jié)具有簡潔的金屬-超薄鐵電-金屬疊層器件結(jié)構(gòu)。利用鐵電極化翻轉(zhuǎn)調(diào)控量子隧穿效應獲得不同的電阻態(tài)，從而實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲功能，具有高速讀寫、低功耗和高存儲容量等優(yōu)點，屬于下一代信息存儲技術(shù)，近年來在信息存儲領(lǐng)域備受關(guān)注
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北京大學公開存儲器專利

存儲器是電子信息處理系統(tǒng)中不可或缺的組成部分。在過去，依靠CMOS工藝的不斷進步，存儲器的性能得以不斷提高。但近年來，一方面，尺寸微縮導致的晶體管漏電問題越來越嚴重，在增大存儲器功耗的同時，惡化了存儲單元的保持特性，存儲器的發(fā)展遇到較為明顯的瓶頸；另一方面，人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的快速發(fā)展又對存儲器的容量速度以及功耗等性能指標提出了更高的要求。在這樣的背景下，由于嵌入式鐵電隨機存取存儲器(Embedded Ferroelectric Random Access Memory，eFeRAM)具有非易失、高密
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存儲器廠憂DRAM漲勢受阻

韓國存儲器大廠SK海力士透露，因市況好轉(zhuǎn)，考慮在第一季增產(chǎn)部分特殊DRAM，市場擔心稼動率回升，破壞以往存儲器大廠減產(chǎn)提價共識，恐不利后續(xù)DRAM漲勢。觀察16日存儲器族群股價，包括鈺創(chuàng)、華邦電、南亞科、點序、十銓、品安、晶豪科等，股價跌幅逾2％，表現(xiàn)較大盤弱勢。惟業(yè)界人士認為，包括三星、SK海力士及美光等三大原廠產(chǎn)能，多往1-alpha／beta先進制程升級，以滿足獲利較佳DDR5及高帶寬存儲器（HBM）需求，預期利基型DRAM后市仍呈正向趨勢。SK海力士執(zhí)行長郭魯正先前在2024年拉斯韋加斯消費性電子
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美光存儲器助力AI造福精神健康

1?沉重的社會話題幾年前，王女士朋友的70多歲婆婆患了阿爾茲海默癥，朋友的老公后來無法外出工作，在家全職照顧她。這使王女士開始關(guān)注這類病癥，了解到如果盡早地發(fā)現(xiàn)和干預，可使病癥發(fā)展減緩。同時，患者需要大量的康復訓練，但患者因為腦部疾病會難以融入社區(qū)、社會，同時因為昂貴的康復費用等因素，為康復帶來一定的難度。在不久前的CNCC2023（中國計算機大會）上，王女士了解到精神健康已是一個重要的社會話題，相關(guān)的醫(yī)學電子正向數(shù)據(jù)驅(qū)動型、精準診療方向發(fā)展，而生成式AI /大模型是推進其進化的加速器。生成式A
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意法半導體STM32F103RET7單片機的工作原理、優(yōu)缺點、應用、引腳

ST(意法半導體)的型號STM32F103RET7屬于32位MCU微控制器，采用集成高性能Arm?Cortex?-M3 32位RISC核心，在72MHz頻率下工作，高速嵌入式存儲器(閃存高達512千字節(jié)，SRAM高達64千字節(jié))，以及廣泛的增強I/ o和連接到兩個APB總線的外設。STM32F103RET7提供3個12位adc，4個通用16位定時器加上兩個PWM定時器，以及標準和高級通信接口：最多兩個i2c，三個spi，兩個I2Ss，一個SDIO, 5個usart，一個USB和一個CAN。STM32F10
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干貨｜必看的單片機知識

前言1946年2月15日，第一臺電子數(shù)字計算機?ENIAC問世，這標志著計算機時代的到來。ENIAC?是電子管計算機，時鐘頻率雖然僅有 100 kHz，但能在1s?的時間內(nèi)完成 5000 次加法運算。與現(xiàn)代的計算機相比，ENIAC有許多不足，但它的問世開創(chuàng)了計算機科學技術(shù)的新紀元，對人類的生產(chǎn)和生活方式產(chǎn)生了巨大的影響。在研制?ENIAC?的過程中，匈牙利籍數(shù)學家馮·諾依曼擔任研制小組的顧問，并在方案的設計上做出了重要的貢獻。1946年6月，馮·諾依曼又提
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OptiFlash存儲器技術(shù)如何利用外部閃存應對軟件定義系統(tǒng)中的挑戰(zhàn)

在寫字樓、工廠車間和汽車中，軟件正逐步取代機械部件和固定電路。例如，使用智能鎖取代機械鎖后，用戶可以通過手機應用程序?qū)χ悄苕i進行控制，同時制造商可通過軟件更新、改進或校正智能鎖的功能。在這種趨勢下，人們對存儲器的要求不斷提高，這一挑戰(zhàn)不容忽視。在常嵌入閃存存儲器的微控制器 (MCU) 中，存儲器的容量也在快速增加。除了宏觀趨勢外，MCU 中的一些特定發(fā)展趨勢（包括更高的計算帶寬、功能集成以及包含額外的大型通信棧）也決定了需要更大容量的閃存。當出現(xiàn)無線更新的需求時，由于原始圖像和備份圖像都需要存儲，上述的這
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存儲器大廠積極布局，DDR5與HBM受青睞

今年以來，ChatGPT持續(xù)推動生成式AI需求上漲，加上PC與服務器領(lǐng)域平臺不斷推陳出新，HBM與DDR5等高附加值DRAM芯片備受市場青睞，存儲器大廠不約而同積極布局上述產(chǎn)品。DDR5：美光發(fā)布新品、三星計劃擴大產(chǎn)線當前DDR5制程已經(jīng)來到1β DRAM，今年10月美光科技宣布推出基于1β技術(shù)的DDR5內(nèi)存，速率高達 7200 MT/s，現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及 PC 市場的所有客戶出貨。此外，該款DDR5內(nèi)存采用先進的High-K CMOS器件工藝、四相時鐘和時鐘同步技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品，性能提升高
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新興內(nèi)存技術(shù)：半導體廠商的革命

半導體行業(yè)的不斷發(fā)展是由一個基本原則驅(qū)動的：存儲器。內(nèi)存技術(shù)是數(shù)字時代背后的無名英雄，支撐著從智能手機的數(shù)據(jù)存儲到超級計算機的效率的一切。隨著對更快、更可靠、更節(jié)能的存儲器的需求激增，新一波新興的非易失性存儲器技術(shù)有望重塑半導體工廠并增強我們的數(shù)字體驗。半導體存儲器的現(xiàn)狀要了解新興存儲技術(shù)的重要性，了解其前輩至關(guān)重要。傳統(tǒng)的半導體存儲器分為兩類：易失性和非易失性。易失性存儲器，如動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM)，可提供快速數(shù)據(jù)訪問，但需要持續(xù)供電才能保留信息。非易失性存儲器，例如 NAND 閃存，可以在沒
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存儲器報價明年H1抬頭

三星（Samsung）、海力士（SK Hynix）近期接續(xù)舉行法說，釋出對存儲器產(chǎn)業(yè)看法，兩大廠商均表示，PC、手機終端庫存去化已告一段落、傳統(tǒng)服務器需求依然疲弱，而AI服務器需求則較為強勁。業(yè)界人士認為，存儲器原廠減產(chǎn)以求獲利的決心不容小覷，在獲利數(shù)字翻正前，應會持續(xù)減產(chǎn)策略，預期2024年上半年內(nèi)存報價向上趨勢不變。臺系存儲器相關(guān)廠商包括南亞科、華邦電、群聯(lián)、威剛、創(chuàng)見、十銓、宇瞻等有望受惠。時序進入第四季，三星認為，市場復蘇將加速，在旺季帶動之下，市場DRAM、NAND Flash位出貨量，可望分別
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]