存儲(chǔ)器文章最新資訊

Gartner：2018年全球半導(dǎo)體收入預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)7.5%

　　全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問(wèn)公司Gartner表示，2018年全球半導(dǎo)體收入預(yù)計(jì)將達(dá)到4510億美元，比2017年的4190億美元增加7.5%。這個(gè)數(shù)字與Gartner在2017年10月預(yù)測(cè)的4%增長(zhǎng)率相比，幾乎增加了一倍。　　Gartner首席研究分析師李輔邦表示：“存儲(chǔ)器市場(chǎng)自2016年下半年開(kāi)始好轉(zhuǎn)，增長(zhǎng)勢(shì)頭貫穿2017年全年，并有望持續(xù)到2018年，為半導(dǎo)體收入增長(zhǎng)提供強(qiáng)大推動(dòng)力。與去年10月份的預(yù)測(cè)相比，Gartner將2018年半導(dǎo)體收入預(yù)測(cè)值提高了236億美元，其中存儲(chǔ)器
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中國(guó)存儲(chǔ)及半導(dǎo)體新勢(shì)力，必須正視即將到來(lái)的專(zhuān)利問(wèn)題

隨著中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的逐步量產(chǎn)，專(zhuān)利戰(zhàn)肯定會(huì)爆發(fā)，不過(guò)要說(shuō)中國(guó)因此會(huì)受到限制也不是絕對(duì)，關(guān)鍵還是自身核心技術(shù)的提升。無(wú)論如何，不僅僅是存儲(chǔ)領(lǐng)域，專(zhuān)利是崛起的中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)必須馬上就正視的問(wèn)題。
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老杳:有關(guān)大陸發(fā)展存儲(chǔ)器的專(zhuān)利問(wèn)題

　　近期有關(guān)大陸發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的專(zhuān)利問(wèn)題再次成為媒體關(guān)注的熱點(diǎn)。　　原因很簡(jiǎn)單，每每海外競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手評(píng)價(jià)大陸發(fā)展存儲(chǔ)器，都會(huì)將專(zhuān)利列為必不可少的障礙之一，特別是臺(tái)灣的某些同行。　　最近因?yàn)槊拦馄鹪V福建晉華更將這一問(wèn)題推向媒體關(guān)注焦點(diǎn)，專(zhuān)利真會(huì)成為大陸發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的障礙嗎? 　　老杳認(rèn)為不會(huì)! 　　首先，美光起訴福建晉華并不是專(zhuān)利侵權(quán)，而是商業(yè)秘密. 　　說(shuō)國(guó)際存儲(chǔ)器大廠已經(jīng)向中國(guó)存儲(chǔ)器廠商發(fā)起專(zhuān)利戰(zhàn)有點(diǎn)聳人聽(tīng)聞。　　第二，沒(méi)有任何一家中國(guó)存儲(chǔ)器廠商對(duì)外宣傳不尊重國(guó)際大廠的專(zhuān)利權(quán)。　　中
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為何存儲(chǔ)器在十大芯片公司中稱(chēng)霸五席？

　　需求量大、供不應(yīng)求是存儲(chǔ)器上升的主因　　近日，Gartner最近提前預(yù)估2017年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額達(dá)4197億美元，增長(zhǎng)22%，并給出2017年世界芯片公司排行榜。令人驚嘆的是半導(dǎo)體市場(chǎng)不僅一反前幾年的低迷徘徊，而是增長(zhǎng)亮麗;而且存儲(chǔ)器企業(yè)占了五席!　　　　先查一下Gartner前兩年的數(shù)據(jù)：　　*Gartner的2016年全球半導(dǎo)體總收入為3435億美元，相比2015年的3349億美元增長(zhǎng)了2.6%[1]。Gartner研究總監(jiān)James Hines解釋道：“全球半
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存儲(chǔ)器大廠3D NAND良率升 NAND Flash恐過(guò)剩

三星、東芝等存儲(chǔ)器大廠已擬定3D NAND擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫(huà)，新產(chǎn)能將在2019年后開(kāi)出，屆時(shí)NAND Flash市場(chǎng)將供過(guò)于求。
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中韓存儲(chǔ)器業(yè)紛擴(kuò)產(chǎn)，2019 年半導(dǎo)體原料大缺貨？

中韓半導(dǎo)體廠商大擴(kuò)產(chǎn)，相關(guān)產(chǎn)能 2018、2019 年開(kāi)出。各大廠商增產(chǎn)，半導(dǎo)體原料需求大增，供給卻未相對(duì)成長(zhǎng)，外界憂慮 2019 年半導(dǎo)體原料可能會(huì)爆發(fā)缺貨危機(jī)。
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嵌入式存儲(chǔ)器的前世今生，作為電子工程師的你知道嗎？

　　隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展，人類(lèi)已經(jīng)進(jìn)入了超深亞微米時(shí)代。先進(jìn)的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲(chǔ)器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個(gè)大規(guī)模的芯片上，形成所謂的SoC(片上系統(tǒng))。作為SoC重要組成部分的嵌入式存儲(chǔ)器，在SoC中所占的比重(面積)將逐漸增大。下面就隨嵌入式小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。　　近期臺(tái)積電技術(shù)長(zhǎng)孫元成在其自家技術(shù)論壇中，首次揭露臺(tái)積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ))和eRRAM(嵌入式電阻式存儲(chǔ)器)將分別訂于明后年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。預(yù)計(jì)試產(chǎn)主要采用2
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三星半導(dǎo)體未來(lái)將著重非存儲(chǔ)器 SOC 及代工業(yè)務(wù)發(fā)展

　　根據(jù)韓國(guó)媒體《The Investor》的報(bào)導(dǎo)，三星即將在 12 月 19 日舉行的一年兩次“全球戰(zhàn)略會(huì)議”上，由接任三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人的金奇南(Kim Ki-nam)宣布，未來(lái)三星在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上將強(qiáng)化在非存儲(chǔ)器的 SOC(系統(tǒng)芯片)及代工業(yè)務(wù)的發(fā)展上。這是三星半導(dǎo)體部門(mén)在尋求當(dāng)前除了最賺錢(qián)的存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)之外，未來(lái)新的營(yíng)收來(lái)源計(jì)劃。　　報(bào)導(dǎo)指出，三星每年在 6 月及 12 月所舉行的“全球戰(zhàn)略會(huì)議”，是三星為接下來(lái)半年的營(yíng)運(yùn)策略定下計(jì)劃的重要會(huì)議。而
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清華大學(xué)攜手兆易創(chuàng)新于IEDM發(fā)表阻變存儲(chǔ)器論文

　　12月2-6日，第63屆國(guó)際電子器件大會(huì)(International Electron Devices Meeting, IEDM)在美國(guó)加州舊金山舉行，清華大學(xué)微納電子系吳華強(qiáng)課題組的2篇文章入選其列，分別題為“類(lèi)腦計(jì)算中阻變存儲(chǔ)器的氧空位分布無(wú)序效應(yīng)模型(Modeling disorder effect of the oxygen vacancy distribution in filamentary analog RRAM for neuromorphic computing)”和“用于類(lèi)腦計(jì)算
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三星半導(dǎo)體未來(lái)將著重非存儲(chǔ)器 SOC 及代工業(yè)務(wù)發(fā)展

　　根據(jù)韓國(guó)媒體《The Investor》的報(bào)導(dǎo)，三星即將在 12 月 19 日舉行的一年兩次“全球戰(zhàn)略會(huì)議”上，由接任三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人的金奇南(Kim Ki-nam)宣布，未來(lái)三星在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上將強(qiáng)化在非存儲(chǔ)器的 SOC(系統(tǒng)芯片)及代工業(yè)務(wù)的發(fā)展上。這是三星半導(dǎo)體部門(mén)在尋求當(dāng)前除了最賺錢(qián)的存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)之外，未來(lái)新的營(yíng)收來(lái)源計(jì)劃?！　?bào)導(dǎo)指出，三星每年在 6 月及 12 月所舉行的“全球戰(zhàn)略會(huì)議”，是三星為接下來(lái)半年的營(yíng)運(yùn)策略定下計(jì)劃的重要會(huì)議。而根據(jù)知情人士的透露，在金奇南被任命為三星半導(dǎo)體部門(mén)C
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中國(guó)存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)風(fēng)云迭起誰(shuí)將成為“攪局者”？

從國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的趨勢(shì)來(lái)看，紫光國(guó)際以及長(zhǎng)江存儲(chǔ)已成為“攪局者”，于國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)而言，將是一把利劍，也是打破美日韓壟斷國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的希望。
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美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)決定調(diào)查海力士存儲(chǔ)器模組侵權(quán)案

　　據(jù)韓國(guó)媒體《etnews》報(bào)導(dǎo)，日前遭美國(guó)芯片廠Netlist控告兩項(xiàng)存儲(chǔ)器模組侵權(quán)的韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠SK海力士，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(ITC)3日宣布，決定立案開(kāi)始調(diào)查。調(diào)查最終結(jié)果，一旦被裁定有侵犯專(zhuān)利權(quán)的事實(shí)，ITC將有權(quán)利引用美國(guó)海關(guān)337條款，禁止使用侵權(quán)技術(shù)的產(chǎn)品輸入美國(guó)。　　報(bào)導(dǎo)指出，SK海力士是在2017年的10月31日遭Netlist控訴侵犯專(zhuān)利權(quán)，指SK海力士?jī)身?xiàng)存儲(chǔ)器模組產(chǎn)品，包括RDIMM和LRDIMM等用于服務(wù)器的存儲(chǔ)器模組產(chǎn)品侵犯了Netlist的專(zhuān)利權(quán)。不過(guò)，該案曾在20
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Yole：供需失衡推動(dòng)存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲，市場(chǎng)年均增長(zhǎng)9%

　　存儲(chǔ)器行業(yè)正處于強(qiáng)勁增長(zhǎng)的階段。Yole在其《2017年存儲(chǔ)器封裝市場(chǎng)與技術(shù)》報(bào)告中預(yù)計(jì)，2016~2022年整個(gè)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的復(fù)合年增長(zhǎng)率約為9%，到2022將達(dá)到1350億美元，DRAM和NAND市場(chǎng)份額合計(jì)約占95%。此外，供需失衡正推動(dòng)存儲(chǔ)器半導(dǎo)體芯片價(jià)格上漲，導(dǎo)致存儲(chǔ)器IDM廠商獲得創(chuàng)紀(jì)錄的利潤(rùn)! 　　存儲(chǔ)器的需求來(lái)自各行各業(yè)，特別是移動(dòng)和計(jì)算(主要是服務(wù)器)市場(chǎng)。平均而言，每部智能手機(jī)的DRAM內(nèi)存容量將增長(zhǎng)三倍以上，預(yù)計(jì)到2022年將到6GB左右，而每部智能手機(jī)的NAND存儲(chǔ)器容量將增加
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紫光南京存儲(chǔ)器基地實(shí)質(zhì)啟動(dòng)

當(dāng)前南京已經(jīng)為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)之城，包括臺(tái)積電、紫光都落地于此。
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三星2017年豪擲260億美元投資欲遏制中國(guó)存儲(chǔ)器廠商發(fā)展

　　根據(jù)IC Insights最新發(fā)布的17年麥克林報(bào)告指出，今年半導(dǎo)體行業(yè)資本支出增長(zhǎng)35%，達(dá)到908億美元。　　而三星今年在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)支出達(dá)到260億美元，是去年支出的兩倍還多。IC Insights總裁Bill McClean表示：“我追蹤半導(dǎo)體行業(yè)的37年里，從沒(méi)有見(jiàn)過(guò)如此激烈的半導(dǎo)體資本支出增長(zhǎng)。可見(jiàn)，今年三星的巨額開(kāi)支在半導(dǎo)體行業(yè)史上是史無(wú)前例的。” 　　下圖顯示了自2010年以來(lái)三星為其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投入的資本支出。2010年，該公司首次為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投入了超過(guò)1
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]