存儲(chǔ)器文章最新資訊

傳博通獲東芝存儲(chǔ)器出售案獨(dú)家議約權(quán)

　　據(jù)朝日新聞報(bào)導(dǎo)，眾所矚目的東芝半導(dǎo)體招親案，美國(guó)芯片廠商博通(Broadcom)已確認(rèn)中選，獲得東芝存儲(chǔ)器的獨(dú)家議約權(quán)。　　盡管東芝發(fā)言人第一時(shí)間拒絕對(duì)此發(fā)表評(píng)論，但消息還是激勵(lì)東芝股價(jià)周二早盤一度大漲4%。嘉實(shí)XQ全球贏家報(bào)價(jià)顯示，截至10時(shí)10分(GMT+8)止，東芝股價(jià)上漲2.66%、暫報(bào)262.4日?qǐng)A。　　東芝的NAND閃存芯片在電子設(shè)備，包括智能手機(jī)、服務(wù)器和PC中得到廣泛使用。市場(chǎng)研究公司TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，2017年第一季度，三星NAND閃存芯片業(yè)務(wù)的收入為42.1億
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幾種DSP與外接存儲(chǔ)器的連接方法

存儲(chǔ)器接口分為ROM接口和RAM接口兩種。ROM包括EPROM和FLASH，而RAM主要是指SRAM。TMS320C5409具有32K字的片內(nèi)RAM和16K字的掩膜ROM。但是在DSP應(yīng)用的很多場(chǎng)合，尤其是帶信號(hào)存儲(chǔ)的DSP應(yīng)用來(lái)說(shuō)，TMS320C5409的片內(nèi)存儲(chǔ)資源是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠用的。因此，設(shè)計(jì)一個(gè)TMS320C5409硬件系統(tǒng)一般應(yīng)該包括其與EPROM/FLASH和SRAM的接口設(shè)計(jì)，以存放程序和數(shù)據(jù)。本文介紹TMS320C5409與存儲(chǔ)器的接口設(shè)計(jì)方案。
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FPGA系統(tǒng)設(shè)計(jì)原則和技巧之：FPGA系統(tǒng)設(shè)計(jì)的3種常用IP模塊

FPGA的開(kāi)發(fā)工具軟件，如Quartus II、ISE等，一般都會(huì)提供一些經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的IP模塊。這些IP模塊是芯片廠家提供的，所以只能用于該廠家的FPGA芯片設(shè)計(jì)中。這些IP主要包括以下幾類。
關(guān)鍵字： FPGA系統(tǒng)設(shè)計(jì) 存儲(chǔ)器 IP模塊鎖相環(huán) 高速串行收發(fā)器

DDR3存儲(chǔ)器接口控制器IP加速了數(shù)據(jù)處理應(yīng)用

DDR3存儲(chǔ)器系統(tǒng)可以大大提升各種數(shù)據(jù)處理應(yīng)用的性能。然而，和過(guò)去幾代（DDR和DDR2）器件相比，DDR3存儲(chǔ)器器件有了一些新的要求。為了充分利用和發(fā)揮DDR3存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，使用一個(gè)高效且易于使用的DDR3存儲(chǔ)器接口控制器是非常重要的。視屏處理應(yīng)用就是一個(gè)很好的示例，說(shuō)明了DDR3存儲(chǔ)器系統(tǒng)的主要需求以及在類似數(shù)據(jù)流處理系統(tǒng)中DDR3接口所需的特性。
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摩爾定律之后存儲(chǔ)器發(fā)展要靠大數(shù)據(jù)、AI？

　　半導(dǎo)體供應(yīng)鏈存儲(chǔ)器缺貨絕對(duì)是橫貫2017年的主調(diào)，但除了量變，大數(shù)據(jù)中心、AI深度學(xué)習(xí)運(yùn)算帶來(lái)對(duì)CPU與AI處理器的運(yùn)算速度、存儲(chǔ)容量高門檻要求，也正在改變整個(gè)存儲(chǔ)器乃至于運(yùn)算基礎(chǔ)核心架構(gòu)。　　在近日一場(chǎng)GSA存儲(chǔ)器高峰論壇上，半導(dǎo)體與數(shù)據(jù)平臺(tái)、服務(wù)器領(lǐng)域與會(huì)人士對(duì)上述議題展開(kāi)熱議。　　西數(shù)(Western Digital)董事長(zhǎng)兼COO Mike Cordano提到，未來(lái)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)仍然機(jī)會(huì)巨大，占整個(gè)IC行業(yè)的三分之一份額，其中DRAM約600億美元、NAND Flash約480億美元、微
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向IDM進(jìn)軍中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)需勇往直前

　　存儲(chǔ)器尤如一座大山，擺在中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)面前。不過(guò)既然已經(jīng)決定發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，就沒(méi)有退縮的余地。　　中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展有其特殊性，它依國(guó)家實(shí)力作為后盾，盡管西方陣營(yíng)在“唱衰”中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。然而不可否認(rèn)的是，他們也在擔(dān)心中國(guó)存儲(chǔ)器業(yè)的成功。　　現(xiàn)階段中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)積聚了三股力量，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)，晉華及王寧國(guó)主導(dǎo)的合肥長(zhǎng)鑫，它們各有特色，采用不同的策略。不過(guò)至于哪家能取得成功，要看2018或2019年的結(jié)果，目前尚不好預(yù)言。　　中國(guó)存儲(chǔ)器業(yè)的初級(jí)目標(biāo) 　　按中國(guó)臺(tái)
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【E課堂】單片機(jī)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類講解

　　單片機(jī)當(dāng)中的存儲(chǔ)器，根據(jù)只讀和隨機(jī)可以分為兩種不同的種類，本文就將為大家介紹單片機(jī)系統(tǒng)當(dāng)中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類，感興趣的朋友快來(lái)看一看吧?！　“垂δ芊譃橹蛔x和隨機(jī)存取存儲(chǔ)器兩大類。所謂只讀，從字面上理解就是只能從里面讀，不能寫進(jìn)去，它類似于我們的書(shū)本，發(fā)到我們手回之后，我們只能讀里面的內(nèi)容，不能隨意更改書(shū)本上的內(nèi)容。只讀存儲(chǔ)器的英文縮寫為ROM(READ ONLY MEMORY)　　所謂隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，即隨時(shí)能改寫，也能讀出里面的數(shù)據(jù)，它類似于我們的黑板，能隨時(shí)寫東西上去，也能用黑板
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基于FPGA助力高端存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)

　　高性能系統(tǒng)設(shè)計(jì)師在滿足關(guān)鍵時(shí)序余量的同時(shí)要力爭(zhēng)獲得更高性能，而存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)則是一項(xiàng)艱巨挑戰(zhàn)。雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM和4倍數(shù)據(jù)速率SDRAM都采用源同步接口來(lái)把數(shù)據(jù)和時(shí)鐘(或選通脈沖)由發(fā)射器傳送到接收器。接收器接口內(nèi)部利用時(shí)鐘來(lái)鎖存數(shù)據(jù)，此舉可消除接口控制問(wèn)題(例如在存儲(chǔ)器和FPGA間的信號(hào)傳遞時(shí)間)，但也為設(shè)計(jì)師帶來(lái)了必須解決的新挑戰(zhàn)?！　￡P(guān)鍵問(wèn)題之一就是如何滿足各種讀取數(shù)據(jù)捕捉需求以實(shí)現(xiàn)高速接口。隨著數(shù)據(jù)有效窗越來(lái)越小，該問(wèn)題也益發(fā)重要;同時(shí)，更具挑戰(zhàn)性的問(wèn)題是，如何讓接收到的時(shí)鐘與數(shù)據(jù)中心對(duì)準(zhǔn)
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我國(guó)成功研制80納米“萬(wàn)能存儲(chǔ)器”核心器件

　　想必大家都曾經(jīng)遭遇過(guò)電腦突然斷電，因數(shù)據(jù)未及時(shí)保存后悔不已;或是因?yàn)槭謾C(jī)待機(jī)時(shí)間太短而莫名焦慮……這些尷尬有望避免。記者日前獲悉，北京航空航天大學(xué)電子信息工程學(xué)院教授趙巍勝與中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心研究員趙超聯(lián)合團(tuán)隊(duì)經(jīng)過(guò)三年攻關(guān)，成功制備國(guó)內(nèi)首個(gè)80納米自旋轉(zhuǎn)移矩-磁隨機(jī)存儲(chǔ)器器件(STT-MRAM)，此項(xiàng)技術(shù)應(yīng)用后，電腦死機(jī)也會(huì)保留所有數(shù)據(jù)，手機(jī)待機(jī)時(shí)間也有望大幅提高。　　存儲(chǔ)器是電子系統(tǒng)的重要組成部分。目前絕大多數(shù)電子系統(tǒng)均采用寄存、主存加硬盤的存儲(chǔ)體
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我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)全景掃描

　　如果以2000年國(guó)務(wù)院印發(fā)《鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》為標(biāo)志，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)入真正起步階段，2014年發(fā)布的《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》(以下簡(jiǎn)稱《推進(jìn)綱要》)則是一臺(tái)強(qiáng)力加速器，將中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)又推向一個(gè)新的高度。　　然而，隨著產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程的加快，我們更加急需了解我國(guó)當(dāng)前IC產(chǎn)業(yè)的整體狀況，包括產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展情況、產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布、關(guān)鍵產(chǎn)品開(kāi)發(fā)進(jìn)程等，進(jìn)而探尋適合中國(guó)IC的發(fā)展模式。　　關(guān)鍵器件：存儲(chǔ)器將是突破口　　從1958年第一塊集成電路發(fā)明開(kāi)始，至今近60年的發(fā)展
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存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化是我國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展大戰(zhàn)略的重要一步

與此形成鮮明對(duì)比的是，在存儲(chǔ)器領(lǐng)域，我國(guó)幾乎完全依賴于進(jìn)口，存儲(chǔ)器已經(jīng)成為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受外部制約最嚴(yán)重的基礎(chǔ)產(chǎn)品之一，存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化也成了我國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展大戰(zhàn)略中的重要一步。
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數(shù)據(jù)中心等需求帶動(dòng) 存儲(chǔ)器為首零組件價(jià)格上揚(yáng)

　　2017年4~6月的主要電子零組件與材料交易價(jià)，以存儲(chǔ)器為中心，包括DRAM等揮發(fā)性存儲(chǔ)器以及NAND Flash與硬盤等非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，呈現(xiàn)持續(xù)走揚(yáng)，除了智能型手機(jī)與個(gè)人電腦(PC)需求外，4K電視與數(shù)據(jù)中心需求也帶動(dòng)相關(guān)市場(chǎng)。　　根據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)報(bào)導(dǎo)，大屏幕4K電視除了帶動(dòng)存儲(chǔ)器需求外，同時(shí)也帶動(dòng)液晶面板市場(chǎng)走勢(shì)，大陸液晶面板廠仍在建設(shè)中，目前仍無(wú)法供應(yīng)市場(chǎng)需求，鴻海與夏普(Sharp)得以利用價(jià)格優(yōu)勢(shì)積極搶奪市場(chǎng)。另外，存儲(chǔ)器需求還影響到硅晶圓需求成長(zhǎng)，硅晶圓材料廠投資仍謹(jǐn)慎
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北航與微電子所成功制備國(guó)內(nèi)首個(gè)80nm磁隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片器件

　　近日，北京航空航天大學(xué)與微電子所聯(lián)合成功制備國(guó)內(nèi)首個(gè)80納米自旋轉(zhuǎn)移矩——磁隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片(STT-MRAM)器件。　　STT-MRAM是一種極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲(chǔ)器解決方案。由于采用了大量的新材料、新結(jié)構(gòu)，加工制備難度極大。當(dāng)前，美韓日三國(guó)在該項(xiàng)技術(shù)上全面領(lǐng)先，很有可能在繼硬盤、DRAM及閃存等存儲(chǔ)芯片之后再次實(shí)現(xiàn)對(duì)我國(guó)100%的壟斷。　　微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心研究員趙超與北京航空航天大學(xué)教授趙巍勝的聯(lián)合團(tuán)隊(duì)通過(guò)3年的艱苦攻關(guān)，在STT-MRAM關(guān)鍵工
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存儲(chǔ)器價(jià)格揚(yáng)升　第2季三星有望成為全球最大半導(dǎo)體廠

　　隨著DRAM與NAND Flash等存儲(chǔ)器平均售價(jià)(ASP)大幅揚(yáng)升，南韓三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體產(chǎn)品銷售額，有可能在2017年第2季首度超越英特爾(Intel)，躍居為全球最大半導(dǎo)體產(chǎn)品供應(yīng)商，并終結(jié)20余年來(lái)英特爾在半導(dǎo)體市場(chǎng)中的霸主地位。　　根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights最新公布數(shù)據(jù)，2017年第1季全球DRAM與NAND Flash存儲(chǔ)器ASP為3.82美元與3.79美元，分別季增26.5%與8.3%，以及年增45.2%與35.8%。雖然預(yù)計(jì)2017年下
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存儲(chǔ)器供貨短缺將持續(xù)一整年？

2017年會(huì)是flash/SSD年?隨著3D NAND轉(zhuǎn)型步調(diào)緩慢，加上智慧型手機(jī)到服務(wù)器等市場(chǎng)需求旺盛，如今的flash晶粒供應(yīng)極其吃緊…
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]