存儲器文章最新資訊

收購東芝存儲器的貝恩財團(tuán)有哪些成員？

　　東芝出售內(nèi)存事業(yè)股權(quán)花落美國私募股權(quán)基金貝恩資本陣營，群聯(lián)董事長潘健成21日表示，該公司也會參與這次股權(quán)投資。群聯(lián)雖然所占股權(quán)比率不多，但雙方親上加親，代表臺廠在這項(xiàng)全球矚目的內(nèi)存事業(yè)投資，仍占有一席之地。　　群聯(lián)是NAND Flash控制芯片暨模塊廠，東芝原本即是其最大單一股東，持股比重近10%，雙方共生共榮，被視為是魚幫水、水幫魚的伙伴關(guān)系。　　當(dāng)市場缺貨時，東芝給予群聯(lián)最大程度貨源奧援，當(dāng)市況較為低緩時，群聯(lián)也支持東芝，在淡季時先吃下大量貨源，供后續(xù)旺季使用。　　業(yè)界認(rèn)為，在東芝本身
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存儲器大廠美光在臺投資千億

　　全球DRAM大廠美光預(yù)計在臺投資新臺幣1,300億元，絕大部分DRAM基地都在臺灣地區(qū)，成為生產(chǎn)重鎮(zhèn)，未來也將持續(xù)在臺擴(kuò)充產(chǎn)能。美光鎖定中科進(jìn)行新的3D封測制程，預(yù)估2-3年可量產(chǎn)，要打造成為亞太區(qū)營運(yùn)中心。　　臺灣也就美光擴(kuò)大投資所需土地、廠房、資金等提供協(xié)助，未來規(guī)劃中科擴(kuò)廠計劃，將可增加2,000個以上就業(yè)機(jī)會，將臺灣塑造為高效完整的DRAM全球生產(chǎn)基地。　　據(jù)了解，美光于2012年并購爾必達(dá)與瑞晶之后，剛好瑞晶于中科已有2廠，后面還有2個廠還沒蓋，解決土地、廠房、水電等問題后，美光未來
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英特爾存儲器：熱數(shù)據(jù)推“傲騰”，溫數(shù)據(jù)有“Ruler”

　　“中國閃存市場峰會CFMS2017”上，英特爾中國區(qū)非易失存儲器事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生介紹了英特爾最新的存儲技術(shù)，包括用于熱數(shù)據(jù)的傲騰和用于溫數(shù)據(jù)的3D NAND “Ruler”?！　?jù)悉，大數(shù)據(jù)、海量集成的數(shù)據(jù)在各個領(lǐng)域涌現(xiàn)，并希望能夠盡快處理，為此需要對海量的數(shù)據(jù)要進(jìn)行分層，即熱數(shù)據(jù)、溫數(shù)據(jù)、冷數(shù)據(jù)?！　釘?shù)據(jù)——基于3D Xpoint材料的“傲騰”　　英特爾展示了不同于flash的一種非易失存儲器材料——3D Xpoint?；?D Xpoint的
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三維存儲器設(shè)計取得進(jìn)展

　　近日，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所相變存儲器課題組在三維存儲器設(shè)計領(lǐng)域取得進(jìn)展，研究成果以A Single-Reference Parasitic-Matching Sensing Circuit for 3-D Cross Point PCM為題，發(fā)表在IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs上。　　相變存儲器利用電脈沖誘導(dǎo)存儲材料在非晶態(tài)與晶態(tài)之間切換，具有非揮發(fā)性、循環(huán)壽命長、寫入速度快、穩(wěn)定性好、功耗低
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全球半導(dǎo)體設(shè)備市場可望成長37%，韓國第一、中國大陸第二

　　2017年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售金額可望創(chuàng)下歷史紀(jì)錄。據(jù)SEMI最新預(yù)估數(shù)字，2全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售金額可望在2017年逼近550億美元，比2016年大幅成長37%。這也是自金融海嘯以來最高的成長率。　　SEMI進(jìn)一步分析，2017年全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場將由韓國奪下，其采購的半導(dǎo)體設(shè)備價值將達(dá)195億美元，比2016年大幅成長130%。韓國半導(dǎo)體設(shè)備采購金額暴增，主要與三星(Samsung)大舉投資新的存儲器產(chǎn)能有關(guān)。　　另一方面，中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備采購金額有望在2018年超越中國臺灣，以125億
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東芝存儲器收購案：有關(guān)方面詢問蘋果參與意向

　　據(jù)日媒報道，有關(guān)正陷入巨額虧損的東芝半導(dǎo)體子公司“東芝存儲器”的出售談判，作為新提案的一部分，美國西部數(shù)據(jù)公司(WD)正在詢問美國蘋果公司是否有意參與收購。報道稱，西數(shù)在新提案中表示出降低收購參與度的意向，有可能暫緩注資。據(jù)分析，西數(shù)意在增加己方陣營的注資企業(yè)，確保東芝要求的2萬億日元(約合人民幣1200億元)規(guī)模的收購資金。　　據(jù)報道，東芝6日召開社內(nèi)外董事會議，以西數(shù)陣營的提案為主進(jìn)行協(xié)商。然而對于未放棄將來取得經(jīng)營權(quán)的西數(shù)，東芝存儲器方面存在著根深蒂固的警惕，因此并未
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存儲器價格為何居高不下？

存儲器價格較高不再只是因?yàn)楣┬枋Ш狻?/li>
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美光或在臺建存儲器一條龍供應(yīng)鏈

　　中國臺灣地區(qū)工業(yè)局副局長游振偉于近日赴存儲器大廠美光訪問，并促請美光持續(xù)擴(kuò)大在臺投資。工業(yè)局官員表示，美光今年初購買達(dá)鴻廠房后，將改建成DRAM后段封測廠，估帶動相關(guān)設(shè)備投資達(dá)百億元新臺幣。　　游振偉在拜訪美光時表示，期望美光在臺灣建立存儲器一條龍供應(yīng)鏈，讓臺灣成為其全球DRAM存儲器產(chǎn)業(yè)研發(fā)與制造中心。　　美光公司是世界第三大存儲器制造商，僅次于韓國三星及SK海力士，在桃園及臺中均有設(shè)廠，雇用約5,280人。　　官員表示，達(dá)鴻廠房改造后，預(yù)計新增1,000名就業(yè)人口。　　據(jù)了解，工業(yè)
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三星存儲器項(xiàng)目落戶西安的五大意義

三星電子決定再次在西安高新區(qū)投資建設(shè)三星電子存儲芯片二期項(xiàng)目，使得西安高新區(qū)再次成為全球IT業(yè)界的聚焦點(diǎn)。
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存儲器“漲”勢不停中國有望填補(bǔ)產(chǎn)能缺口

存儲器作為智能手機(jī)，電腦，智能手表等終端產(chǎn)品必不可少的元器件之一，它的缺貨將會導(dǎo)致整個產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)失衡，終端產(chǎn)品也將面臨著無貨可用的尷尬。
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若買下東芝存儲器西部數(shù)據(jù)會否再次開啟轉(zhuǎn)型模式？

如果收購成功，西部數(shù)據(jù)的整體實(shí)力必然大增，半導(dǎo)體行業(yè)市場又將重新洗牌，那么，這一次收購是否意味著西部數(shù)據(jù)將再次轉(zhuǎn)型呢?
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韓國存儲器燈火下的黑暗　封測業(yè)者陷經(jīng)營困境

　　三星電子(SamsungElectronics)、SK海力士(SKHynix)、美光(Micron)等存儲器業(yè)者在市場供不應(yīng)求引起的價格上漲下，接連刷新自身業(yè)績，但韓國封測業(yè)者卻因疏于強(qiáng)化技術(shù)競爭力，逐漸陷入經(jīng)營困境。　　據(jù)韓媒ETNews報導(dǎo)，Winpac是韓國存儲器封測業(yè)者，也是IC設(shè)計業(yè)者TLi的子公司，從2015年起已經(jīng)連續(xù)2年出現(xiàn)營業(yè)損失，2017年上半營業(yè)損失達(dá)34億韓元(約298萬美元)，更從2013年以來連續(xù)4年出現(xiàn)凈損失，財務(wù)狀況相當(dāng)不理想。　　最近Winpac面臨必須提前償
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迎接嵌入式存儲器轉(zhuǎn)型全球晶圓代工大廠投入MRAM研發(fā)

　　全球主要晶圓代工廠計劃在2017年與2018年提供磁阻式隨機(jī)存取存儲器(MRAM)作為嵌入式儲存解決方案，可望改變下一代儲存技術(shù)的游戲規(guī)則。　　據(jù)Semi Engineering網(wǎng)站報導(dǎo)，GlobalFoundries、三星(Samsung)、臺積電(TSMC)和聯(lián)電(UMC)計劃在2017年稍晚開始提供ST-MRAM或STT-MRAM，取代NOR Flash，此舉代表市場的巨大轉(zhuǎn)變，因?yàn)榈侥壳盀橹?，只有Everspin已經(jīng)為各種應(yīng)用提供MRAM，例如電池供電的SRAM替代品、讀寫緩存(Write
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揭開合肥長鑫存儲器項(xiàng)目神秘，靠挖墻腳能挖出個未來？

　　前兩期《中國芯勢力》介紹了長江存儲和晉華存儲，然而中國三大存儲器勢力還有一大神秘“隊(duì)伍”——合肥長鑫，看看背后有著怎么樣的神秘。　　揭開合肥存儲器項(xiàng)目神秘　　合肥對DRAM的謀劃不僅是合肥長鑫的存儲項(xiàng)目，在2016年3月，就有消息傳出，原爾必達(dá)社長坂本幸雄成立的半導(dǎo)體設(shè)計公司兆基科技(Sino King Technology)將在中國主導(dǎo)大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)項(xiàng)目。據(jù)悉，這位爾必達(dá)前社長和合肥政府欲聯(lián)合投資8000億日元，爆料的文章中還用到了&ldqu
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一種多功能存儲器芯片的測試系統(tǒng)硬件設(shè)計與實(shí)現(xiàn)

　　隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，存儲器的種類日益繁多，每一種存儲器都有其獨(dú)有的操作時序，為了提高存儲器芯片的測試效率，一種多功能存儲器芯片的測試系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生。本文提出了一種多功能存儲器芯片的測試系統(tǒng)硬件設(shè)計與實(shí)現(xiàn)，對各種數(shù)據(jù)位寬的多種存儲器芯片(SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等)進(jìn)行了詳細(xì)的結(jié)口電路設(shè)計(如何掛載到NIOSII的總線上)，最終解決了不同數(shù)據(jù)位寬的多種存儲器的同平臺測試解決方案，并詳細(xì)地設(shè)計了各結(jié)口的硬件實(shí)現(xiàn)方法。　　引
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]