半導(dǎo)體 文章 最新資訊
半導(dǎo)體供應(yīng)鏈為3D IC正加速投入研發(fā)
- SEMICON Taiwan2011火熱開展,3DIC依舊是此次展覽的焦點(diǎn)。推動2.5D和3DIC技術(shù)相當(dāng)積極的日月光集團(tuán)總經(jīng)理暨研發(fā)長唐和明6日表示,半導(dǎo)體供應(yīng)鏈近1年來有動起來的跡象,各家大廠在相關(guān)研發(fā)的資源明顯增加。為了界定記憶體和邏輯IC之間的介面標(biāo)準(zhǔn)(Wide-I/O Memorybus)也可望于年底前確立。他預(yù)期2013年可望成為3DIC量產(chǎn)元年。
- 關(guān)鍵字: 日月光 半導(dǎo)體 IC設(shè)計(jì)
國內(nèi)LED照明產(chǎn)品零部件的標(biāo)準(zhǔn)化工作啟動
- 為實(shí)現(xiàn)LED照明產(chǎn)品零部件的標(biāo)準(zhǔn)化,產(chǎn)品的通用性、互換性,維修的便利性,規(guī)范市場,實(shí)現(xiàn)規(guī)?;a(chǎn),降低成本等目標(biāo),國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟組織LED企業(yè)開展規(guī)格接口標(biāo)準(zhǔn)化工作。通過前期調(diào)研,聯(lián)盟規(guī)格接口標(biāo)準(zhǔn)化工作以LED筒燈為切入點(diǎn),逐步開展,預(yù)計(jì)在2011年底完成相關(guān)技術(shù)規(guī)范的制定。
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 LED
清華大學(xué)獲授權(quán)使用飛思卡爾內(nèi)核技術(shù)
- 日前,飛思卡爾半導(dǎo)體 [NYSE: FSL] 與清華大學(xué)簽訂許可授權(quán)協(xié)議,這所重點(diǎn)高校將獲權(quán)使用飛思卡爾e200z6-z3內(nèi)核;飛思卡爾與中國最高學(xué)府的攜手合作也將成為推進(jìn)Power Architecture技術(shù)在中國發(fā)展步伐的里程碑。同時,清華大學(xué)也表示,今后會在飛思卡爾e200內(nèi)核的基礎(chǔ)上研發(fā)新產(chǎn)品,并為學(xué)生提供Power Architecture技術(shù)培訓(xùn)。
- 關(guān)鍵字: 飛思卡爾 半導(dǎo)體 DSP
半導(dǎo)體 介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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