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半導(dǎo)體 文章 最新資訊

臺積電將加入國際半導(dǎo)體工藝研發(fā)聯(lián)盟

  •   《日本經(jīng)濟(jì)新聞》日前報導(dǎo),日本 Renesas Electronics(瑞薩電子) 和臺積電,將加入一個由日本主導(dǎo)、從事新世代芯片制程技術(shù)開發(fā)的國際聯(lián)盟。該聯(lián)盟預(yù)計這個月開始研發(fā) EUV (超紫外光) 微影技術(shù),目標(biāo)在 2015 年底前結(jié)束。企業(yè)成員將運(yùn)用這項技術(shù)增進(jìn)自家產(chǎn)品的表現(xiàn),如閃存和系統(tǒng)芯片等。 
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臺積電調(diào)升今年全球半導(dǎo)體增長率至5%

  •   全球晶圓代工龍頭-臺積電將今年全球半導(dǎo)體增長率預(yù)測由原來的4%調(diào)升至5%,且臺積電今年增長率可望高于全球半導(dǎo)體代工增長率的12%。   臺積電董事長張忠謀在股東會后向記者表示,公司保持今年以美元計價的營收增長率為20%之目標(biāo)不變。張忠謀4月時下修對今年全球半導(dǎo)體銷售成長率的預(yù)估,由7%下調(diào)至4%,主要因為日本大地震影響供應(yīng)鏈、全球輕微通脹,以及歐洲經(jīng)濟(jì)情勢等總體經(jīng)濟(jì)疑慮。   張忠謀坦言,對于今年全球經(jīng)濟(jì)展望維持較保守看法,而公司的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇速度,亦較去年預(yù)期緩慢。他表示,臺積電將加大資本及研
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日本311大地震促使三菱電機(jī)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈走向多樣化

  •   在Sankei Biz日前的一次訪談中,三菱電機(jī)的社長山西健一郎提到,三菱電機(jī)在本次日本311大地震中,只有1個主要生產(chǎn)監(jiān)視相機(jī)等產(chǎn)品的福島縣郡山工廠受到影響,公司整體而言沒有蒙受太大損失。   在三菱電機(jī)的關(guān)系企業(yè)中,也只有生產(chǎn)汽車零件用半導(dǎo)體的瑞薩電子(Renesas Electronics)受到地震的影響。瑞薩為三菱電機(jī)重要半導(dǎo)體零件如微處理器等的供應(yīng)伙伴,三菱電機(jī)也有約60人以工程師為主的小隊常駐在瑞薩電子。所幸三菱電機(jī)的汽車零件庫存到5月為止仍然足夠,瑞薩在災(zāi)后生產(chǎn)線的恢復(fù)又迅速,所以可望
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蘋果2010年超越HP成半導(dǎo)體龍頭買家

  •   研究機(jī)構(gòu)IHS iSuppli周三(8日)表示,蘋果公司(AppleInc.)(AAPL-US)受到iPhone和iPad等熱門產(chǎn)品買氣帶動,在去(2010)年期間,已搖身一變成為全球OEM制造商之中,半導(dǎo)體需求量最大的買家。   蘋果在2010年耗資175億美元購入半導(dǎo)體,由2009年的97億美元暴增79.6%。在全球前10大OEM半導(dǎo)體買家中,這樣的增幅令公司連升2名,拿下2010年榜首。   蘋果在2009年是全球第3名半導(dǎo)體購買商,落后全球最大個人電腦制造商惠普(Hewlett-Packa
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英特爾工廠爆炸致7人受傷 原因尚未查明

  •   英特爾的一座工廠日前發(fā)生爆炸,該工廠位于美國亞利桑那州,爆炸致使7名工人受傷,現(xiàn)場已經(jīng)疏散。英特爾發(fā)言人表示,爆炸未造成實質(zhì)影響。具體原因不明。   初步調(diào)查顯示,爆炸發(fā)生在工廠的一個化學(xué)品儲存室內(nèi)。米勒表示,該工廠和鄰近的一棟多層建筑已經(jīng)疏散出了數(shù)百名員工。這些設(shè)施目前都已關(guān)閉,以便當(dāng)局調(diào)查事故原因。   英特爾網(wǎng)站的信息顯示,亞利桑那工廠主要生產(chǎn)奔騰處理器。   英特爾發(fā)言人比爾·卡爾德(Bill Calder)表示,錢德勒市當(dāng)局正在調(diào)查事故原因,而事故發(fā)生的大樓是用于存儲半導(dǎo)
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四月份日本市場半導(dǎo)體芯片銷售額創(chuàng)兩年來新低

  •   根據(jù)全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計機(jī)構(gòu)(WSTS)最新的數(shù)據(jù),四月份日本市場半導(dǎo)體芯片銷售創(chuàng)過去23個月以來的新低。這一結(jié)果可能和日本311大地震影響有關(guān)。四月份日本市場半導(dǎo)體芯片銷售實際金額為29.4億美元,和三月份相比下降了26.4%,而和去年同期相比則下降了18.8%。
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中國IC設(shè)計規(guī)模到2015年將擴(kuò)大一倍

  •   IHS iSuppli公司的研究顯示,在出口的刺激下,中國無廠半導(dǎo)體市場走上高速增長道路,2010-2015年銷售額將擴(kuò)大一倍。   2015年中國無廠半導(dǎo)體公司的營業(yè)收入將從2010年的52億美元增長到107億美元,如圖5所示。2010年營業(yè)收入比2009年的42億美元增長23.6%。2011年營業(yè)收入將達(dá)到57.4億美元,比2010年增長11.3%。
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Q1半導(dǎo)體有力緩解地震造成缺貨危機(jī)

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的研究,第一季度的過多半導(dǎo)體庫存,幫助半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)避免了組件嚴(yán)重短缺。最初人們擔(dān)憂,日本地震與海嘯會帶來嚴(yán)重的組件短缺問題。   
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英飛凌將在新加坡投資2.88億美元拓展產(chǎn)能

  •   6月1日消息,歐洲最大的半導(dǎo)體制造商之一英飛凌當(dāng)日宣布,公司將在未來3至5年內(nèi)投資2億歐元(約合2.88億美元),為其位于新加坡的工廠拓展產(chǎn)能及更新研發(fā)設(shè)施。   
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半導(dǎo)體企業(yè)兼并重組與發(fā)展壯大

  •   最近在全球半導(dǎo)體業(yè)中發(fā)生兩件亊引起關(guān)注。一是德儀(TI)用65億美元兼并美國國家半導(dǎo)體(National Semiconductors,簡稱NS)。另一件是以色列的代工廠TowerJazz,花費(fèi)1.4億美元兼并美光在日本的8英寸生產(chǎn)線。   
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飛思卡爾半導(dǎo)體控股擬在IPO中募資7.83億美元

  •   美國飛思卡爾半導(dǎo)體控股(Freescale Semiconductor Holdings)將在即將啟動的IPO中募資7.83億美元,發(fā)行價處于之前的發(fā)行價區(qū)間的低端,也較早前市場分析師預(yù)測的發(fā)行價低25%。   
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臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)今年預(yù)估成長4.4%

  •   根據(jù)工研院IEK ITIS計劃預(yù)估,2011全年展望臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為18,465億新臺幣,較去年成長約4.4%。在IC設(shè)計業(yè)部分,由于PC/NB芯片成長力道轉(zhuǎn)弱,預(yù)估2011全年仍將衰退3.9%;在IC制造業(yè)部分,預(yù)估2011年的年成長率達(dá)6.6%;在IC封測業(yè)方面,雖受到311日震影響,載板材料供應(yīng)不順,但預(yù)料第二、三季將獲得舒緩,雖然原物料價格如金價飆新高和匯率不確定因素仍存在,但預(yù)估今年臺灣封裝及測試業(yè)仍將較去年成長9.0%和8.1%。整體而言,臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在2011年是呈現(xiàn)成長趨勢的旺年。
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全球半導(dǎo)體企業(yè)第一季度排名出爐

  •   來自國外媒體的最新消息顯示,市場調(diào)研公司ICInsights近日發(fā)布的全球半導(dǎo)體市場企業(yè)第一季度的統(tǒng)計報告顯示,英特爾在半導(dǎo)體市場的優(yōu)勢進(jìn)一步擴(kuò)大,與第二名三星相比領(lǐng)先的優(yōu)勢要更大了,而東芝也成功進(jìn)入三甲,另外值得關(guān)注的是圖形芯片巨頭Nvidia首次在半導(dǎo)體企業(yè)排行上進(jìn)入到前20名。
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德儀擬發(fā)行35億美元債券 用于收購國家半導(dǎo)體

  •   據(jù)國外媒體報道,德州儀器(TI)周一宣布發(fā)行票面總額為35億美元的4種債券。德儀計劃利用發(fā)行債券的大部分收益,完成對國家半導(dǎo)體的收購。   
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SEMI總裁談未來十年高科技發(fā)展趨勢

  •   矽谷臺美產(chǎn)業(yè)科技協(xié)會﹐日前在圣荷西舉行2011年會﹐半導(dǎo)體器材及材料國際公司(SEMI)總裁邁爾斯(Stanley T.Myers)﹐就今后十年的高科技新啟產(chǎn)業(yè)﹐發(fā)表演講。   
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半導(dǎo)體 介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]

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