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功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體 文章 最新資訊
BelGaN 破產(chǎn)將使比利時(shí)損失 100 萬(wàn)歐元；氮化鎵工廠(chǎng)可能被改用于光子芯片
- BelGaN 在比利時(shí)的氮化鎵功率半導(dǎo)體工廠(chǎng)去年關(guān)閉。據(jù) eeNews Europe 的報(bào)道，有報(bào)道稱(chēng)三個(gè)財(cái)團(tuán)有興趣收購(gòu)該設(shè)施，主要用于光子應(yīng)用。報(bào)道還指出該工廠(chǎng)之前專(zhuān)注于汽車(chē)功率器件。報(bào)告稱(chēng)，關(guān)閉預(yù)計(jì)將使地方當(dāng)局花費(fèi)超過(guò)110萬(wàn)歐元，并補(bǔ)充說(shuō)，歐洲全球化和調(diào)整基金將為2024年7月裁員的417名員工提供支持。報(bào)道中提到的競(jìng)標(biāo)者包括 Silex Microsystems，它是世界上最大的純 MEMS 晶圓廠(chǎng)。如 evertiq 所述，Silex Microsyste
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 功率半導(dǎo)體 晶圓代工
利用 SMFA 系列非對(duì)稱(chēng) TVS 二極管實(shí)現(xiàn)高效 SiC MOSFET 柵極保護(hù)
- 引言碳化硅（ SiC）MOSFET在電源和電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。隨著功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展，開(kāi)關(guān)損耗也在不斷降低。隨著開(kāi)關(guān)速度的不斷提高，設(shè)計(jì)人員應(yīng)更加關(guān)注MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路，確保對(duì)MOSFET的安全控制，防止寄生導(dǎo)通，避免損壞功率半導(dǎo)體。必須保護(hù)敏感的MOSFET柵極結(jié)構(gòu)免受過(guò)高電壓的影響。Littelfuse提供高效的保護(hù)解決方案，有助于最大限度地延長(zhǎng)電源的使用壽命、可靠性和魯棒性。 柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)措施關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的穩(wěn)健性，有幾個(gè)問(wèn)題值得考慮。除了驅(qū)動(dòng)器安全切換半導(dǎo)
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 MOSFET 電源 功率半導(dǎo)體
詳解IGBT工作原理
- 大家好，我是蝸牛兄，今天給大家分享的是：IGBT（絕緣柵雙極型晶體管)在實(shí)際應(yīng)用中最流行和最常見(jiàn)的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。IGBT實(shí)物圖+電路符號(hào)圖你可以把 IGBT 看作 BJT 和 MOS 管的融合體，IGBT具有 BJT 的輸入特性和 MOS 管的輸出特性。與 BJT 或 MOS管相比，絕緣柵雙極型晶體管 IGBT 的優(yōu)勢(shì)在于它提供了比標(biāo)準(zhǔn)雙極型晶體管更大的功率增益，以及更高的工作電壓和更低的 MOS 管輸入損耗。一、什么是IGBT？IGBT 是絕緣柵雙
- 關(guān)鍵字： IGBT 功率半導(dǎo)體
動(dòng)態(tài)測(cè)試WBG功率半導(dǎo)體裸片
- 雙脈沖測(cè)試將在電力電子的未來(lái)中發(fā)揮關(guān)鍵作用。電源設(shè)計(jì)人員和系統(tǒng)工程師依靠它來(lái)評(píng)估 MOSFET 和 IGBT 等功率半導(dǎo)體在動(dòng)態(tài)條件下的開(kāi)關(guān)特性。通過(guò)評(píng)估開(kāi)關(guān)期間的功率損耗和其他指標(biāo)，這些測(cè)試使工程師能夠優(yōu)化最新電源轉(zhuǎn)換器、逆變器和其他電源電路的效率和可靠性。推動(dòng)采用雙脈沖測(cè)試的是它能夠在設(shè)計(jì)過(guò)程的早期評(píng)估最壞情況下工作條件下的電力電子設(shè)備。這有助于降低將來(lái)出現(xiàn)不可預(yù)見(jiàn)問(wèn)題的風(fēng)險(xiǎn)。然而，由于 SiC MOSFET 的開(kāi)關(guān)速度更快，GaN 功率 FET 的頻率更高，因此基于氮化
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Kulicke & Soffa推出用于功率半導(dǎo)體應(yīng)用的Asterion-PW
- Kulicke and Soffa Industries Inc.（“Kulicke & Soffa”、“K&S”、“我們”或“公司”）宣布推出Asterion-PW超聲波針焊接機(jī)，通過(guò)快速精確的超聲波針焊接解決方案擴(kuò)大其在功率元件應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。這種先進(jìn)的解決方案為Pin互連能力設(shè)定了新的標(biāo)準(zhǔn)，重新定義了效率、精度和可靠性。在可再生能源、汽車(chē)和鐵路等應(yīng)用中，越來(lái)越多的常用功率模塊元件使用超聲波焊接來(lái)實(shí)現(xiàn)Pin針和DBC的互連以滿(mǎn)足信號(hào)傳輸和機(jī)械固定的要求。功率模塊市場(chǎng)是增長(zhǎng)最快的半導(dǎo)
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SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！
- 隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC?JFET將越來(lái)越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內(nèi)容包括Cascode（共源共柵）關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析，以及設(shè)計(jì)指南。本文為第一篇，聚焦Cascode產(chǎn)品介紹、Cascode背景知識(shí)和并聯(lián)設(shè)計(jì)。簡(jiǎn)介大電流操作通常需要直接并聯(lián)功率半導(dǎo)體器件。出于成本或布局的考慮，并聯(lián)分立器件通常是優(yōu)選方案。另一種替代方案是使用功率模塊，但這些模塊實(shí)際上也是通過(guò)并聯(lián)芯片實(shí)現(xiàn)的。本文總結(jié)了適用于所
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CGD 獲得3,200萬(wàn)美元融資，以推動(dòng)在全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的增長(zhǎng)
- 2025年2月19日 英國(guó)劍橋- 氮化鎵（GaN）功率器件的領(lǐng)先創(chuàng)新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200萬(wàn)美元的C輪融資。該投資由一位戰(zhàn)略投資者牽頭、英國(guó)耐心資本參與，并獲得了現(xiàn)有投資者 Parkwalk、英國(guó)企業(yè)發(fā)展基金（BGF）、劍橋創(chuàng)新資本公司（CIC）、英國(guó)展望集團(tuán)（Foresight Group）和 IQ Capital 的支持。 &nbs
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驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)（二）——驅(qū)動(dòng)器的輸入側(cè)探究
- 驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn)，涉及到功率半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)過(guò)程控制及器件的保護(hù)，實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，英飛凌的驅(qū)動(dòng)集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章以閱讀雜談的方式講詳細(xì)講解如何正確理解和應(yīng)用這些功能，也建議讀者閱讀和收藏文章中推薦的資料以作參考。驅(qū)動(dòng)器的輸入側(cè)一個(gè)可靠的功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)要從輸入側(cè)開(kāi)始，輸入端可能會(huì)受到干擾，控制電路也會(huì)發(fā)生邏輯錯(cuò)誤，可能的誤觸發(fā)會(huì)造成系統(tǒng)輸出混亂，甚至損壞器件。一個(gè)典型的無(wú)磁芯變壓器耦合的隔離型驅(qū)動(dòng)器輸入測(cè)如框圖所示，本文重點(diǎn)講講不起眼的IN
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功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)（一）綜述
- 工業(yè)應(yīng)用中，功率半導(dǎo)體的驅(qū)動(dòng)電源功率不大，設(shè)計(jì)看似簡(jiǎn)單，但要設(shè)計(jì)出簡(jiǎn)單低成本的電路并不容易，主要難點(diǎn)有幾點(diǎn)：1 電路要求簡(jiǎn)潔，占用線(xiàn)路板面積要小一個(gè)EasyPACK? 2B 1200V 100A六單元IGBT模塊，周長(zhǎng)20cm，占板面積27cm2，很小，在四周要安排布置6路驅(qū)動(dòng)和4-6路隔離電源并不容易，如果需要正負(fù)電源就更復(fù)雜。2 電力電子系統(tǒng)需要滿(mǎn)足相應(yīng)的安規(guī)和絕緣配合標(biāo)準(zhǔn)，保證合規(guī)的爬電距離和電氣間隙，這使得PCB面積更捉襟見(jiàn)肘。3 對(duì)于中大功率的功率模塊，驅(qū)動(dòng)板會(huì)放在模塊上方，會(huì)受熱和直面較強(qiáng)的電
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羅姆功率半導(dǎo)體產(chǎn)品概要
- 1.???? 前言近年來(lái)，全球耗電量逐年增加，在工業(yè)和交通運(yùn)輸領(lǐng)域的增長(zhǎng)尤為顯著。另外，以化石燃料為基礎(chǔ)的火力發(fā)電和經(jīng)濟(jì)活動(dòng)所產(chǎn)生的CO2（二氧化碳）排放量增加已成為嚴(yán)重的社會(huì)問(wèn)題。因此，為了實(shí)現(xiàn)零碳社會(huì)，努力提高能源利用效率并實(shí)現(xiàn)碳中和已成為全球共同的目標(biāo)。在這種背景下，羅姆致力于通過(guò)電子技術(shù)解決社會(huì)問(wèn)題，專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)在大功率應(yīng)用中可提升效率的關(guān)鍵——功率半導(dǎo)體，并提供相關(guān)的電源解決方案。本白皮書(shū)將通過(guò)“Power Eco Family”的品牌理念，介紹為構(gòu)建應(yīng)用生
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被神秘的FS7“附體”，解讀兩大最新功率模塊系列的“超能力”
- 安森美（onsemi）在2024年先后推出兩款超強(qiáng)功率半導(dǎo)體模塊新貴，IGBT模塊系列——SPM31 IPM，QDual 3。值得注意的是，背后都提到采用了最新的FS7技術(shù)，主要性能拉滿(mǎn)，形成業(yè)內(nèi)獨(dú)特的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。解密FS7“附體”的超能力眾所周知，IGBT是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件，結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極結(jié)型晶體管（BJT）的優(yōu)點(diǎn)，具有高輸入阻抗和低導(dǎo)通電壓降的特點(diǎn)。而安森美的Field Stop技術(shù)則是IGBT的一種改進(jìn)技術(shù)，通過(guò)在器件的漂移區(qū)引入一個(gè)場(chǎng)截
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安森美榮獲2024年亞洲金選車(chē)用電子解決方案供應(yīng)商獎(jiǎng)及年度最佳功率半導(dǎo)體獎(jiǎng)
- 智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美（onsemi）再次榮膺電子行業(yè)資深媒體集團(tuán)ASPENCORE頒發(fā)的2024亞洲金選獎(jiǎng)（EE Awards Asia)之車(chē)用電子解決方案供應(yīng)商獎(jiǎng)，彰顯其在車(chē)用領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)和領(lǐng)先地位。同期，安森美第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模塊獲得年度最佳功率半導(dǎo)體獎(jiǎng)，基于新的場(chǎng)截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術(shù)帶來(lái)出色的效能表現(xiàn)獲得業(yè)界肯定。作為全球領(lǐng)先的汽車(chē)半導(dǎo)體供應(yīng)商，安森美致力于以創(chuàng)新的智能電源和智能感知技術(shù)推動(dòng)汽車(chē)電氣化和智能化創(chuàng)新。安森美在多個(gè)
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德州儀器日本會(huì)津工廠(chǎng)開(kāi)始生產(chǎn)GaN芯片，自有產(chǎn)能將提升四倍
- 自德州儀器官網(wǎng)獲悉，日前，德州儀器公司（TI）宣布已開(kāi)始在日本會(huì)津工廠(chǎng)生產(chǎn)基于氮化鎵(GaN)的功率半導(dǎo)體。隨著會(huì)津工廠(chǎng)的投產(chǎn)，結(jié)合其在德克薩斯州達(dá)拉斯的現(xiàn)有GaN制造能力，德州儀器的內(nèi)部GaN基功率半導(dǎo)體制造能力將翻四倍。德州儀器技術(shù)與制造高級(jí)副總裁穆罕默德·尤努斯（Mohammad Yunus）表示，在GaN芯片設(shè)計(jì)和制造方面擁有十多年的豐富經(jīng)驗(yàn)后，TI成功地將200mm GaN技術(shù)（這是目前制造GaN的最具可擴(kuò)展性和成本競(jìng)爭(zhēng)力的方法）應(yīng)用于會(huì)津工廠(chǎng)的量產(chǎn)。這一里程碑使德州儀器能夠在內(nèi)部制造更多的Ga
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是德科技推出適用于功率半導(dǎo)體的3kV高壓晶圓測(cè)試系統(tǒng)
- ●? ?通過(guò)高壓開(kāi)關(guān)矩陣實(shí)現(xiàn)一次性測(cè)試，進(jìn)而提高生產(chǎn)效率●? ?該系統(tǒng)旨在提高操作人員與設(shè)備的安全性；同時(shí)確保符合相關(guān)法規(guī)要求是德科技推出適用于功率半導(dǎo)體的?3kV高壓晶圓測(cè)試系統(tǒng)是德科技（Keysight Technologies, Inc.）近日推出全新的?4881HV?高壓晶圓測(cè)試系統(tǒng)，進(jìn)一步擴(kuò)展了其半導(dǎo)體測(cè)試產(chǎn)品組合。該解決方案通過(guò)在一次性測(cè)試中高效完成高達(dá)3kV的高低壓參數(shù)測(cè)試，從而顯著提升了功率半導(dǎo)體制造商的生產(chǎn)效率。傳統(tǒng)上
- 關(guān)鍵字： 是德科技 功率半導(dǎo)體 高壓晶圓測(cè)試
三星加碼氮化鎵功率半導(dǎo)體
- 根據(jù)韓媒報(bào)道，9月2日，三星電子在第二季度引入了少量用于大規(guī)模生產(chǎn)GaN功率半導(dǎo)體的設(shè)備。GaN是下一代功率半導(dǎo)體材料，具有比硅更好的熱性能、壓力耐久性和功率效率?；谶@些優(yōu)勢(shì)，IT、電信和汽車(chē)等行業(yè)對(duì)其的需求正在增加。三星電子也注意到了GaN功率半導(dǎo)體行業(yè)的增長(zhǎng)潛力，并一直在推動(dòng)其進(jìn)入市場(chǎng)。去年6月，在美國(guó)硅谷舉行的“2023年三星代工論壇”上，該公司正式宣布：“我們將在2025年為消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心和汽車(chē)領(lǐng)域推出8英寸GaN功率半導(dǎo)體代工服務(wù)。”根據(jù)這一戰(zhàn)略，三星電子第二季度在其器興工廠(chǎng)引入了德國(guó)愛(ài)思
- 關(guān)鍵字： 三星 氮化鎵 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體介紹
《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類(lèi)功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門(mén)極關(guān)斷晶閘管、門(mén)極換流晶閘管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細(xì) ]
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