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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率半導(dǎo)體

功率半導(dǎo)體 文章 最新資訊

Fairchild全新1200V智能功率模塊在工業(yè)電機(jī)控制中所展現(xiàn)的熱性能令人贊嘆

  • 　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild今日發(fā)布1200V Motion SPM? 2模塊，該產(chǎn)品適用于開發(fā)高電壓工業(yè)應(yīng)用的客戶。電機(jī)耗能占全球能源總耗的40%以上，面對(duì)這一局勢(shì)，此款新型智能功率模塊產(chǎn)品設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單可靠、熱性能表現(xiàn)卓越，可為使用大型三相變頻電機(jī)的系統(tǒng)提供全面保護(hù)，實(shí)現(xiàn)超高能效，為創(chuàng)造更潔凈、更智能世界這一目標(biāo)而不斷努力。 　　Fairchild最新的智能功率模塊 (SPM) 集成了重要的電源管理硅元件，以此節(jié)省電路板空間和散熱片尺寸，打造出緊湊的一體化解決方案
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英飛凌收購(gòu)PCB制造商Schweizer Electronic 9.4%的股份

  • 　　半導(dǎo)體廠商英飛凌科技股份公司和印刷電路板(PCB)廠商Schweizer Electronic(FSE： SCE)宣布，英飛凌將收購(gòu)Schweizer9.4%的股份。相關(guān)協(xié)議已簽訂。兩家公司同意嚴(yán)格保密合同條款。 　　此次注資Schweizer，英飛凌凸顯了其與合作伙伴攜手開發(fā)將功率半導(dǎo)體與PCB集成的技術(shù)以及挖掘高功率汽車和工業(yè)應(yīng)用芯片嵌入市場(chǎng)的決心。Schweizer的芯片嵌入技術(shù)可與英飛凌專有的芯片嵌入封裝技術(shù)BLADE™結(jié)合使用，用于計(jì)算機(jī)和電信系統(tǒng)處理器所需的直流供電(DC/D
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中國(guó)首批自主研發(fā)8英寸IGBT芯片裝車成功試運(yùn)行

  • 　　中國(guó)南車株洲所25日對(duì)外公布，裝有中國(guó)首批自主研發(fā)8英寸IGBT芯片的模塊在昆明地鐵車輛段完成段內(nèi)調(diào)試，并穩(wěn)定運(yùn)行一萬公里，各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)均達(dá)國(guó)際先進(jìn)水平。 　　這意味著，由中國(guó)南車株洲所下屬公司南車時(shí)代電氣自主研制生產(chǎn)的8英寸IGBT芯片已徹底打破國(guó)外高端IGBT技術(shù)壟斷，實(shí)現(xiàn)從研發(fā)、制造到應(yīng)用的完全國(guó)產(chǎn)化。 　　IGBT是一種新型功率半導(dǎo)體器件，中文全名“絕緣柵雙極型晶體管”。作為電力電子裝置的“心臟”，IGBT在國(guó)家戰(zhàn)略領(lǐng)域中不可或缺。 　　由
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英飛凌躍居2013年全球功率半導(dǎo)體龍頭

  • 　　英飛凌(Infineon)于2013年的全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)取得領(lǐng)先，蟬聯(lián)龍頭地位，同時(shí)在金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)功率電晶體市場(chǎng)首次取得領(lǐng)先。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS的研究報(bào)告指出，英飛凌以12.3%的市占率連續(xù)11年奪得第一。 　　英飛凌執(zhí)行長(zhǎng)Dr. Reinhard Ploss表示，事實(shí)證明英飛凌的策略正確，從產(chǎn)品導(dǎo)向的思維模式邁向系統(tǒng)級(jí)別的觀點(diǎn)，并提供最適合客戶的產(chǎn)品，幫助他們獲得成功。這點(diǎn)由英飛凌在MOSFET功率電晶體領(lǐng)域的持續(xù)成長(zhǎng)便可看出。 　　2013年全球功率
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英飛凌躍居2013年全球功率半導(dǎo)體龍頭

  • 　　英飛凌(Infineon)于2013年的全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)取得領(lǐng)先，蟬聯(lián)龍頭地位，同時(shí)在金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)功率電晶體市場(chǎng)首次取得領(lǐng)先。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS的研究報(bào)告指出，英飛凌以12.3%的市占率連續(xù)11年奪得第一。 　　英飛凌執(zhí)行長(zhǎng)Dr.ReinhardPloss表示，事實(shí)證明英飛凌的策略正確，從產(chǎn)品導(dǎo)向的思維模式邁向系統(tǒng)級(jí)別的觀點(diǎn)，并提供最適合客戶的產(chǎn)品，幫助他們獲得成功。這點(diǎn)由英飛凌在MOSFET功率電晶體領(lǐng)域的持續(xù)成長(zhǎng)便可看出。 　　2013年全球功率半導(dǎo)
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英飛凌收購(gòu)IR、功率半導(dǎo)體市場(chǎng)獨(dú)大

  • 　　德國(guó)英飛凌科技開始著手?jǐn)U大功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。該公司以大約30億美元收購(gòu)從事功率半導(dǎo)體元件及功率管理IC的美國(guó)國(guó)際整流器(IR)公司。對(duì)英飛凌來說，“這是公司史上最大規(guī)模的收購(gòu)案”注1)。 　　注1)收購(gòu)價(jià)格為每股40美元，與過去3個(gè)月的平均股價(jià)相比，溢價(jià)47.7%，與2014年8月19日的收盤價(jià)相比，溢價(jià)50.6%。各項(xiàng)收購(gòu)手續(xù)將于2014年底至2015年初完成。 　　英飛凌雖是功率半導(dǎo)體行業(yè)最大規(guī)模的企業(yè)，但其市場(chǎng)份額在2012年不過11.8%(表1)。第二名以后的
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SiC功率半導(dǎo)體將在2016年形成市場(chǎng) 成為新一輪趨勢(shì)

  • 　　矢野經(jīng)濟(jì)研究所2014年8月4日公布了全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的調(diào)查結(jié)果。 　　全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模的推移變化和預(yù)測(cè)(出處：矢野經(jīng)濟(jì)研究所) 　　2013年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模(按供貨金額計(jì)算)比上年增長(zhǎng)5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負(fù)增長(zhǎng)，但2013年中國(guó)市場(chǎng)的需求恢復(fù)、汽車領(lǐng)域的穩(wěn)步增長(zhǎng)以及新能源領(lǐng)域設(shè)備投資的擴(kuò)大等起到了推動(dòng)作用。 　　預(yù)計(jì)2014年仍將繼續(xù)增長(zhǎng)，2015年以后白色家電、汽車及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的需求有望擴(kuò)大。矢野經(jīng)濟(jì)研究所預(yù)測(cè)，2020年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)
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新一代功率半導(dǎo)體是多個(gè)領(lǐng)域節(jié)能關(guān)鍵

  • 在年前，就有研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，功率半導(dǎo)體將成為2014年半導(dǎo)體成長(zhǎng)強(qiáng)勁動(dòng)力，原來不出彩的原件，有望煥發(fā)光彩了。
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新一代功率半導(dǎo)體掌握多個(gè)領(lǐng)域節(jié)能關(guān)鍵

  • 　　最近幾年，在半導(dǎo)體之中，原本在人們眼中“不出彩”的功率半導(dǎo)體成為了關(guān)注的焦點(diǎn)。 　　功率半導(dǎo)體的作用是轉(zhuǎn)換直流與交流、通過變壓等方式高效控制電力，用于充電裝置和馬達(dá)。如今，這種半導(dǎo)體已配備于家電、汽車、工業(yè)機(jī)械、鐵路車輛、輸配電裝置、光伏和風(fēng)電系統(tǒng)等，掌握著節(jié)能的關(guān)鍵。 　　三菱電機(jī)半導(dǎo)體器件第一事業(yè)部營(yíng)業(yè)戰(zhàn)略課長(zhǎng)山田正典說“用人體打比方的話，個(gè)人店的CPU(中央運(yùn)算處理裝置)和存儲(chǔ)器是控制運(yùn)算和記憶的大腦，而功率半導(dǎo)體則相當(dāng)于肌肉?！?
  • 關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體  半導(dǎo)體器件  

新一代功率半導(dǎo)體掌握多個(gè)領(lǐng)域節(jié)能關(guān)鍵

  • 　　最近幾年，在半導(dǎo)體之中，原本在人們眼中“不出彩”的功率半導(dǎo)體成為了關(guān)注的焦點(diǎn)。 　　功率半導(dǎo)體的作用是轉(zhuǎn)換直流與交流、通過變壓等方式高效控制電力，用于充電裝置和馬達(dá)。如今，這種半導(dǎo)體已配備于家電、汽車、工業(yè)機(jī)械、鐵路車輛、輸配電裝置、光伏和風(fēng)電系統(tǒng)等，掌握著節(jié)能的關(guān)鍵。 　　三菱電機(jī)半導(dǎo)體器件第一事業(yè)部營(yíng)業(yè)戰(zhàn)略課長(zhǎng)山田正典說“用人體打比方的話，個(gè)人店的CPU(中央運(yùn)算處理裝置)和存儲(chǔ)器是控制運(yùn)算和記憶的大腦，而功率半導(dǎo)體則相當(dāng)于肌肉?！? 　　因新興
  • 關(guān)鍵字： 富士通  功率半導(dǎo)體  

新一代功率半導(dǎo)體：元件開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足

  • 2013年，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體器件發(fā)展迅速，中國(guó)大陸、臺(tái)灣、韓國(guó)等亞洲國(guó)家和地區(qū)的廠商開始大范圍涉足該領(lǐng)域，預(yù)計(jì)2014年，功率半導(dǎo)體的熱點(diǎn)將集中在這些國(guó)家和地區(qū)的廠商之中。
  • 關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體  元件  

元件開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)激烈 亞洲企業(yè)紛紛涉足

  • 　　與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。 　　SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
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AMAT全方位強(qiáng)化功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備業(yè)務(wù)

  • 　　美國(guó)應(yīng)用材料公司(Applied Materials，AMAT)瞄準(zhǔn)近年來需求高漲的功率半導(dǎo)體及MEMS器件市場(chǎng)，將強(qiáng)化200mm晶圓生產(chǎn)設(shè)備相關(guān)業(yè)務(wù)，將來還打算支持功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的300mm晶圓及SiC/GaN的生產(chǎn)。 　　AMAT的主力業(yè)務(wù)歸根結(jié)底還是300mm晶圓相關(guān)設(shè)備，但該公司“也一直在致力于200mm設(shè)備的業(yè)務(wù)”(AMAT元件及系統(tǒng)部門全球服務(wù)總監(jiān)田中豐)。除了銷售新的200mm設(shè)備之外，最近該公司還在開展對(duì)客戶擁有的200mm設(shè)備進(jìn)行升級(jí)(改造)的服務(wù)，使這
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英飛凌連續(xù)十年位居功率半導(dǎo)體市場(chǎng)榜首，進(jìn)一步鞏固領(lǐng)導(dǎo)地位

  • 2013年12月24日，汽車傳感器市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(法蘭克福股票交易所股票代碼：IFX / 美國(guó)柜臺(tái)交易市場(chǎng)股票代碼：IFNNY)連續(xù)十年位居世界功率半導(dǎo)體市場(chǎng)榜首。這是北美市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS Inc的調(diào)查結(jié)果。
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淺談功率半導(dǎo)體的技術(shù)與未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展（三）

  • 四、我國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議　　國(guó)際著名市場(chǎng)調(diào)研公司HISISuppliResearch公司2012年9月給出的全球前10 ...
  • 關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體  產(chǎn)業(yè)發(fā)展  
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功率半導(dǎo)體介紹

　　《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細(xì) ]

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