功率半導體 文章 最新資訊
總投資60億，這個半導體項目預計本月建成、年底投片生產(chǎn)
- 據(jù)濟南日報報道，總投資60億元的富能功率半導體項目預計今年6月建成，年底實現(xiàn)投片生產(chǎn)。據(jù)濟南市人民政府辦公廳發(fā)布2020年度市級重點項目名單，富能功率半導體項目規(guī)劃建設(shè)月產(chǎn)10萬片的兩座8英寸廠及一座月產(chǎn)5萬片的12英寸廠，一期總投資金額約人民幣60億元，主要建設(shè)月產(chǎn)3萬片的8英寸硅基功率元件產(chǎn)能和月產(chǎn)1000片的6英寸碳化硅（SiC）功率元件產(chǎn)能，應用領(lǐng)域包括消費、工業(yè)、電網(wǎng)以及新能源車等。項目投產(chǎn)后預計年產(chǎn)量48萬片，年產(chǎn)值可達36億元。據(jù)此前公開消息，該項目計劃2020年底實現(xiàn)量產(chǎn)，2022年滿產(chǎn)。
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Littelfuse新的功率半導體裝配工廠破土動工
- 中國，北京，2019年7月16日訊 --全球領(lǐng)先的電路保護、電源控制和傳感技術(shù)制造商Littelfuse，Inc.（納斯達克股票代碼：LFUS）今日宣布它最近在菲律賓利帕市的一家新的功率半導體組裝工廠破土動工。 這將是該公司在菲律賓的第三家制造工廠，它將致力于功率半導體模塊的裝配和測試操作。“基于收購IXYS和加入到我們產(chǎn)品組合的高性能功率半導體產(chǎn)品，對菲律賓這家最先進的新工廠的投資將進一步擴展我們的功率半導體產(chǎn)品的能力，這是Littelfuse增長戰(zhàn)略的關(guān)鍵驅(qū)動力。”Littelfuse半導體
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瞄準市場 錯位發(fā)展——中國需要提升模擬和功率半導體技術(shù)與產(chǎn)能
- 近幾年，國內(nèi)各地陸續(xù)上馬的重大半導體代工項目大多在瞄著數(shù)字工藝。不僅僅臺積電和中芯國際等業(yè)內(nèi)傳統(tǒng)企業(yè)，甚至傳說中的“武漢弘芯”，以及某個在山東簽約的12吋項目，動輒12吋，起步14nm——似乎數(shù)字工藝更“高大上”，更是中國需要。但，對國內(nèi)項目深入調(diào)研和思考后，芯謀研究認為，相比“市長”需要先進數(shù)字工藝，“市場”更需要模擬和功率的技術(shù)與產(chǎn)能?！ ∫?、模擬晶圓生產(chǎn)線產(chǎn)能需求旺盛，國內(nèi)現(xiàn)有產(chǎn)能嚴重不足 首先，中國的模擬芯片市場規(guī)模占全球40%以上，晶圓代工需求巨大?！ 「鶕?jù)WSTS(全球半導體貿(mào)易統(tǒng)計組織
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功率半導體氧化鎵到底是什么
- 目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關(guān)注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應用領(lǐng)域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會有非常廣闊的發(fā)展前景?！ ∪欢琒iC和GaN并不是終點，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優(yōu)勢。因此，近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來?！ 嶋H上，氧化鎵并不是很新的技術(shù)，多年前就
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功率半導體的市場應用及發(fā)展趨勢預測
- 近日，國內(nèi)功率半導體廠商的好消息不斷，先是由佛山合芯半導體有限公司投資的合芯高端功率半導體項目全面投產(chǎn)，主要研究三極管、MOSFET封裝測試、可控硅、三端穩(wěn)壓管、高反壓開關(guān)三極管、信號放大三極管、集成電路等;然后是重慶萬國半導體科技有限公司的12英寸功率半導體晶元測試片已順利產(chǎn)出，預計年底正式量產(chǎn)，據(jù)悉，這是亞洲首款12寸半導體芯片。 功率半導體器件也叫電力電子器件，它的作用是進行功率處理的，是處理高電壓、大電流的。IGBT和功率MOSFET器件是目前應用最廣泛的電力電子器件，作為新型功率半導體器件
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英飛凌著眼長期增長，在奧投資16億歐元新建300毫米芯片工廠
- 英飛凌科技股份公司準備新建一座功率半導體工廠。作為功率半導體市場的領(lǐng)導者，英飛凌將通過此項投資，為其長期盈利性增長奠定基礎(chǔ)。英飛凌將在奧地利菲拉赫現(xiàn)有生產(chǎn)基地附近，新建一座全自動化芯片工廠，用于制造300毫米薄晶圓。奧地利總理Sebastian Kurz、英飛凌首席執(zhí)行官Reinhard Ploss博士和英飛凌奧地利首席執(zhí)行官Sabine Herlitschka博士在維也納共同為該項目進行了推介。英飛凌計劃在未來6年內(nèi)為此項目投入約16億歐元。這座新建的高效率工廠將創(chuàng)造約400個就業(yè)崗位，尤其將吸引一
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工業(yè)及汽車功率模塊的市場技術(shù)方案需求
- 功率半導體/電源管理方案的市場趨勢與各政府政策/各種能源法規(guī)/新應用市場規(guī)模的增長等密切相關(guān)。近年來，中國是這趨勢變化最大的國家，因為它擴展工業(yè)/工廠自動化和電動汽車應用，而由于空氣污染問題，中國政府將煤轉(zhuǎn)電政策推向全國。
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英飛凌2018財年續(xù)攻汽車電子 臺系功率半導體封測同步受惠
- 全球IDM(整合元件制造)業(yè)者持續(xù)搶攻車用電子新藍海，英飛凌(Infineon)、恩智浦(NXP)等重點業(yè)務皆聚焦汽車相關(guān)產(chǎn)品，對于功率半導體、功率模組、模擬IC、中高階MOSFET(金氧半場效電晶體)需求大增，對于臺系后段封測業(yè)者包括日月光、逸昌、菱生、捷敏等業(yè)者來說，可望同步受惠于這波汽車電子市場長線趨勢。 熟悉功率元件封測業(yè)者表示，目前能夠承接中高階MOSFET封測訂單的業(yè)者，主要為日月光與捷敏，日月光規(guī)模龐大，負責MOSFET相關(guān)工廠營收規(guī)模約新臺幣20億~30億元，而捷敏也積極朝向年營
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全球功率半導體規(guī)模2021年將達400億美元
- 在車用與產(chǎn)業(yè)用功率半導體銷售成長推動下，2016年全球整體功率半導體市場銷售額年增3.9%。預估2017~2021年該產(chǎn)品銷售額還會繼續(xù)成長，合計2016~2021年全球功率半導體銷售額年復合成長率(CAGR)為4.8%。 IHS Markit表示，2016年全球各類功率半導體產(chǎn)品，以及各地市場銷售額都出現(xiàn)成長。其中又以功率離散半導體，以及大陸市場的銷售成長表現(xiàn)最為顯眼。 2017年包括功率離散元件、功率模組以及功率IC等產(chǎn)品在內(nèi)的全球整體功率半導體市場銷售額，預估將再成長7.5%，達38
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全球功率半導體規(guī)模2021年將達400億美元
- 在車用與產(chǎn)業(yè)用功率半導體銷售成長推動下，2016年全球整體功率半導體市場銷售額年增3.9%。預估2017~2021年該產(chǎn)品銷售額還會繼續(xù)成長，合計2016~2021年全球功率半導體銷售額年復合成長率(CAGR)為4.8%。 IHS Markit表示，2016年全球各類功率半導體產(chǎn)品，以及各地市場銷售額都出現(xiàn)成長。其中又以功率離散半導體，以及大陸市場的銷售成長表現(xiàn)最為顯眼。 2017年包括功率離散元件、功率模組以及功率IC等產(chǎn)品在內(nèi)的全球整體功率半導體市場銷售額，預估將再成長7.5%，達38
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新型功率半導體器件及應用創(chuàng)新中心成立
- “新型功率半導體器件及應用創(chuàng)新中心的成立，將推動形成‘技術(shù)創(chuàng)新—轉(zhuǎn)化—規(guī)?；瘧?mdash;投資再創(chuàng)新’的閉環(huán)，推動創(chuàng)新成果在先進軌道交通、智能電網(wǎng)、消費電子、電動汽車等重要領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化應用。”日前，在湖南株洲召開的“湖南省IGBT產(chǎn)業(yè)對接會”上，中國工程院院士、中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長丁榮軍說。 新型功率半導體是關(guān)系國民經(jīng)濟命脈的共性關(guān)鍵技術(shù)，涉及先進軌道交通裝備、節(jié)能與新能源汽車、電
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