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英特爾或?qū)⑿薷?nm制程生產(chǎn)計(jì)劃 重回巔峰路途漫漫

  • 消息稱英特爾CEO Pat Gelsinger可能會(huì)在8月份前往臺(tái)積電，與臺(tái)積電的高層會(huì)晤，主要是對(duì)明年的3nm產(chǎn)能計(jì)劃進(jìn)行“緊急修正”。英特爾原計(jì)劃2022年底量產(chǎn)第14代Meteor Lake，并于2023年上半年推出，如今有消息稱將延后到2023年底。作為英特爾GPU繪圖芯片代工企業(yè)，臺(tái)積電的3nm制程的計(jì)劃將受到影響。據(jù)報(bào)道，英特爾內(nèi)部已開始緊急修正未來一年的平臺(tái)藍(lán)圖以及自家制程產(chǎn)能計(jì)劃。一直有消息稱，英特爾將使用臺(tái)積電的N3工藝生產(chǎn)GPU，比如獨(dú)立顯卡使用的GPU以及Meteor Lake的GP
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  3nm  制程  

2022年聚焦十二英寸產(chǎn)能擴(kuò)充，預(yù)估成熟制程產(chǎn)能年增20%

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢資料顯示，2022年全球晶圓代工產(chǎn)能年增約14%，其中八英寸產(chǎn)能因擴(kuò)產(chǎn)較不符合成本效益，增幅遠(yuǎn)低于整體產(chǎn)業(yè)平均，年增約6%，而十二英寸年增幅則為18%。其中，十二英寸新增產(chǎn)能當(dāng)中約65%為成熟制程（28nm及以上），該制程產(chǎn)能年增率達(dá)20%，顯見2022年各晶圓代工廠多半將擴(kuò)產(chǎn)重心放置于十二英寸晶圓產(chǎn)能，且以成熟制程為主軸，而主要擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)能來自于臺(tái)積電（TSMC）、聯(lián)電（UMC）、中芯國(guó)際（SMIC）、華虹集團(tuán)（HuaHong Group）旗下HHGrace，以及合肥晶合集成
  • 關(guān)鍵字： 晶圓代工  制程  

臺(tái)積電2nm制程工藝取得新進(jìn)展 2nm競(jìng)爭(zhēng)賽道進(jìn)入預(yù)熱模式

  • 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，推進(jìn)3nm制程工藝今年下半年量產(chǎn)的臺(tái)積電，在更先進(jìn)的2nm制程工藝的研發(fā)方面已取得重大進(jìn)展，預(yù)計(jì)在明年年中就將開始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn) ——?也就意味著臺(tái)積電2nm制程工藝距量產(chǎn)又更近了一步。業(yè)界估計(jì)，臺(tái)積電2nm試產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)最快在2024年，并于2025年量產(chǎn)，之后再進(jìn)入1nm以及后續(xù)更新世代的“埃米”制程。臺(tái)積電去年底正式提出中科擴(kuò)建廠計(jì)劃，設(shè)廠面積近95公頃，總投資金額達(dá)8000億至10000億元新臺(tái)幣，初期可創(chuàng)造4500個(gè)工作機(jī)會(huì)。以投資規(guī)模及近百公頃設(shè)廠土地面積研判，除了規(guī)劃2nm廠
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3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來嗎？

  • 5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲(chǔ)廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據(jù)公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個(gè)問題之前，我
  • 關(guān)鍵字： DRAM  3D DRAM  華為  三星  美光  制程  納米  

臺(tái)積電發(fā)布N4P工藝：增強(qiáng)版的5nm制程技術(shù)都有哪些不同？

  • 在2021開放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）生態(tài)系統(tǒng)論壇上，臺(tái)積電（TSMC）宣布推出N4P工藝，這是以目前5nm制程節(jié)點(diǎn)為基礎(chǔ)，以性能為重點(diǎn)的增強(qiáng)型工藝。采用N4P技術(shù)生產(chǎn)的首批產(chǎn)品預(yù)計(jì)于2022年下半年完成產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案。N4P制程工藝的推出強(qiáng)化了臺(tái)積電的先進(jìn)邏輯半導(dǎo)體技術(shù)組合，其中的每項(xiàng)技術(shù)皆具備獨(dú)特的效能、功耗效率以及成本優(yōu)勢(shì)。經(jīng)過優(yōu)化的N4P可提供高性能運(yùn)算（HPC）與移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用一個(gè)更強(qiáng)化且先進(jìn)的技術(shù)平臺(tái)。N4N4P是繼N5、N4后，臺(tái)積電5nm家族的第三個(gè)主要強(qiáng)化版本。臺(tái)積電稱，N4P的性能較原先的N5增
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  N4P  5nm  制程  

Gartner對(duì)2021年國(guó)內(nèi)外芯片制造市場(chǎng)的趨勢(shì)分析

  • 當(dāng)前困擾業(yè)界的芯片缺貨何時(shí)結(jié)束？哪種半導(dǎo)體制程會(huì)是主流？哪類芯片產(chǎn)品發(fā)展最好？半導(dǎo)體的投資熱點(diǎn)有哪些？中國(guó)市場(chǎng)的動(dòng)向如何？“成熟工藝+ 先進(jìn)封裝”可否達(dá)到先進(jìn)工藝的產(chǎn)品性能？2021 年6 月底，Gartner研究副總裁盛陵海向電子產(chǎn)品世界等媒體做了詳細(xì)的分析。Gartner研究副總裁盛陵海1? ?全球芯片制造市場(chǎng)1.1 缺貨的原因及何時(shí)結(jié)束1）缺貨的原因最近半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了20 年以來最為嚴(yán)重的缺貨情況。造成缺貨的原因既包含偶然因素，也有必然因素。●? ?偶然因素
  • 關(guān)鍵字： 202108  缺貨  制程  

解密英特爾最新制程路線，與主流先進(jìn)制程有何區(qū)別？

  • 7月27日，英特爾召開制程工藝和封裝技術(shù)線上發(fā)布會(huì)，英特爾CEO帕特·基辛格表示，英特爾正在通過半導(dǎo)體制程工藝和封裝技術(shù)來實(shí)現(xiàn)技術(shù)的創(chuàng)新，并公布有史以來最詳細(xì)的制程工藝和封裝技術(shù)發(fā)展路線。
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  制程  

三星用3納米制程和臺(tái)積電正面對(duì)決

  • 臺(tái)積電與三星在7納米以下先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)激烈，據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，傳出三星放棄4納米制程，直接從5納米殺進(jìn)3納米，跟臺(tái)積電正面對(duì)決，至于臺(tái)積電5納米今年第2季已量產(chǎn)，而三星5納米明年初才可能放量生產(chǎn)，可見臺(tái)積電技術(shù)仍領(lǐng)先三星1年。臺(tái)積電近幾年在先進(jìn)制程領(lǐng)先業(yè)界，7納米和5納米率先量產(chǎn)，國(guó)際大客戶搶著下單，產(chǎn)能更是滿載，從2016年起，連續(xù)為蘋果獨(dú)家代工A系列處理器。三星雖然曾為蘋果A系列處理器代工，但2015年蘋果iPhone 6s系列采用A9處理器，由三星14納米製程打造，在耗能方面竟高于臺(tái)積電16納米所生
  • 關(guān)鍵字： 三星  3納米  制程  臺(tái)積電  

臺(tái)積電700億建先進(jìn)制程封測(cè)廠 最快2022年量產(chǎn)

  • 繼5月15日，臺(tái)積電宣布在美國(guó)興建先進(jìn)晶圓廠之后，臺(tái)積電斥巨資在中國(guó)臺(tái)灣建設(shè)先進(jìn)封測(cè)廠的消息也被傳出。據(jù)臺(tái)灣苗栗縣長(zhǎng)徐耀昌在Facebook上表示，臺(tái)積電日前拍板通過興建竹南先進(jìn)封測(cè)廠，該封測(cè)廠預(yù)計(jì)總投資額約新臺(tái)幣3000億元（約合人民幣716.2億元），計(jì)劃將在苗栗縣竹南科學(xué)園區(qū)興建先進(jìn)制程封測(cè)廠，計(jì)劃明年中第一期產(chǎn)區(qū)運(yùn)轉(zhuǎn)，估計(jì)將可創(chuàng)造1000個(gè)以上就業(yè)機(jī)會(huì)。2012年，臺(tái)積電斥資新臺(tái)幣32億元買下竹南鎮(zhèn)大埔特定區(qū)14.3公頃土地，并于2018年敲定改作為高端技術(shù)的先進(jìn)封測(cè)廠并啟動(dòng)環(huán)評(píng)程序，歷經(jīng)15個(gè)月
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  制程  封測(cè)  

芯片設(shè)計(jì)業(yè)的上下游老總對(duì)本土設(shè)計(jì)業(yè)的點(diǎn)評(píng)和展望

  • 2019年底，一年一度的“中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)2019年會(huì)”在南京舉行，EEPW訪問了EDA、設(shè)計(jì)服務(wù)廠商和代工廠的老總，請(qǐng)他們回顧和分析了2019年的熱點(diǎn)，并展望了2020及未來的設(shè)計(jì)業(yè)下一個(gè)浪潮。
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先進(jìn)制程戰(zhàn)下二線晶圓代工廠怎么生存

  • 半導(dǎo)體行業(yè)觀察：隨著工藝節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)，因?yàn)榧夹g(shù)難度的增加，投入成本的大幅增加，先進(jìn)制程現(xiàn)已經(jīng)成為三星和臺(tái)積電兩家的游戲。
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  制程  三星  臺(tái)積電  晶圓廠  

汽車芯片的制程檢測(cè)：KLA教你如何實(shí)現(xiàn)高效零缺陷

  • ? ? ? ? 在SEMICON China 2019期間，KLA在上海舉辦新聞發(fā)布會(huì)，企業(yè)傳播高級(jí)總監(jiān)Becky Howland女士和中國(guó)區(qū)總裁張智安先生向電子產(chǎn)品世界等媒體介紹了汽車半導(dǎo)體的檢測(cè)技術(shù)。? ? ? ? 據(jù)悉，KLA可提供檢測(cè)和量測(cè)機(jī)臺(tái)，找出在制程中導(dǎo)致可靠性問題的缺陷，讓問題在最前端解決。KLA的新研究——在線檢測(cè)數(shù)據(jù)輔助芯片篩選法，即正在申請(qǐng)專利的新技術(shù) I-PAT，與常規(guī)的G-PAT方法相結(jié)合，使可靠性檢
  • 關(guān)鍵字： 汽車  制程  檢測(cè)  

擁抱數(shù)據(jù)時(shí)代 英特爾詮釋IDM核心價(jià)值

  • 迎接全民數(shù)據(jù)時(shí)代，剛過知天命之年的英特爾在轉(zhuǎn)型，從晶體管為中心向以數(shù)據(jù)為中心進(jìn)行戰(zhàn)略遷移，不過英特爾并不會(huì)放棄自己最傳統(tǒng)的晶體管優(yōu)勢(shì)，而是要以此為基礎(chǔ)突出強(qiáng)調(diào)在......
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聯(lián)華電子公布 2018 年第四季財(cái)務(wù)報(bào)告

  • 聯(lián)華電子股份有限公司今(29)日公布2018年第四季財(cái)務(wù)報(bào)告，合并營(yíng)業(yè)收入為新臺(tái)幣355.2億元，較上季的新臺(tái)幣393.9億元減少9.8%，與去年同期的新臺(tái)幣366.3億元相比減少3.0%。本季毛利率為13.0%，歸屬母公司虧損為新臺(tái)幣17.1億元，每股普通股虧損為新臺(tái)幣0.14元。?總經(jīng)理王石表示：「在第四季，聯(lián)華電子晶圓專工營(yíng)收達(dá)到新臺(tái)幣354.9億，較上季減少9.8%，營(yíng)業(yè)虧損率為1.3%。整體的產(chǎn)能利用率來到88%，出貨量為171萬片約當(dāng)八吋晶圓。雖然第四季度晶圓需求減緩，聯(lián)電在8吋和成
  • 關(guān)鍵字： EDA，制程  

聯(lián)華電子參與2018 CDP年度評(píng)比，獲國(guó)內(nèi)制造業(yè)最高評(píng)等

  • 聯(lián)華電子宣布，2018年國(guó)際CDP氣候變遷項(xiàng)目（Climate Change Program）年度評(píng)比結(jié)果揭曉，聯(lián)華電子成績(jī)獲評(píng)A-，已連續(xù)三年達(dá)到Leadership等級(jí)，為國(guó)內(nèi)制造業(yè)最高之評(píng)等。繼2018年連續(xù)十一年列名道瓊永續(xù)指數(shù)「世界指數(shù)」成分股（DJSI World Index），且在「氣候策略」獲得半導(dǎo)體業(yè)產(chǎn)業(yè)最高分后，聯(lián)華電子再次以突出的表現(xiàn)獲得佳績(jī)。聯(lián)華電子簡(jiǎn)山杰總經(jīng)理表示：「氣候變遷所導(dǎo)致之災(zāi)害風(fēng)險(xiǎn)，對(duì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的影響日益明顯，聯(lián)華電子除了已訂定氣候變遷政策外，同時(shí)亦訂定Green2020
  • 關(guān)鍵字： EDA  制程  
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