三星文章進(jìn)入三星技術(shù)社區(qū)

三星HBM3E沒過英偉達(dá)驗(yàn)證，原因與臺積電有關(guān)

存儲(chǔ)器大廠美光、SK海力士和三星2023年7月底、8月中旬、10月初向英偉達(dá)送樣八層垂直堆疊24GB HBM3E，美光和SK海力士HBM3E于2023年初通過英偉達(dá)驗(yàn)證，并獲訂單，三星HBM3E卻未通過驗(yàn)證。外媒報(bào)導(dǎo)，三星至今未通過英偉達(dá)驗(yàn)證，是卡在臺積電。身為英偉達(dá)數(shù)據(jù)中心GPU制造和封裝廠，臺積電也是英偉達(dá)驗(yàn)證重要參與者，傳聞采合作伙伴SK海力士HBM3E驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)，而三星制程與SK海力士有差異，SK海力士采MR-RUF，三星則是TC-NCF，對參數(shù)多少有影響。三星2024年第一季財(cái)報(bào)表示，八層垂直堆疊
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三星和SK海力士計(jì)劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3

近兩年，DRAM市場已經(jīng)開始從DDR4內(nèi)存向DDR5內(nèi)存過渡，此外在存儲(chǔ)器市場經(jīng)歷低迷后，供應(yīng)商普遍減少了DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)并降低了庫存水平。DDR3內(nèi)存的市場需求量進(jìn)一步減少，更多地被DDR4和DDR5內(nèi)存所取代。據(jù)市場消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應(yīng)DDR3內(nèi)存，全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內(nèi)存，很可能帶動(dòng)DDR3內(nèi)存的價(jià)格上漲，預(yù)計(jì)漲幅最高可達(dá)20%。三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產(chǎn)DDR3；而SK海力士則在去年
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DDR3內(nèi)存正式終結(jié)！三星、SK海力士停產(chǎn) 漲價(jià)20％

5月15日消息，據(jù)市場消息稱，三星、SK海力士將在下半年停止生產(chǎn)、供應(yīng)DDR3內(nèi)存，轉(zhuǎn)向利潤更豐厚的DDR5內(nèi)存、HBM系列高帶寬內(nèi)存。DDR3雖然在技術(shù)、性能上已經(jīng)落伍，PC、服務(wù)器都不再使用，但因?yàn)榉浅３墒?，功耗和價(jià)格都很低，在嵌入式領(lǐng)域依然大有可為，尤其是Wi-Fi路由器、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)等。但對于芯片廠商來說，DDR3利潤微薄，無利可圖，形同雞肋。而在AI的驅(qū)動(dòng)下，HBM高帶寬內(nèi)存需求飆升，產(chǎn)能遠(yuǎn)遠(yuǎn)無法滿足，2024年和2025年的大部分產(chǎn)能都已經(jīng)被訂滿，HBM2E、HBM3、HBM3E等的價(jià)格預(yù)計(jì)明年
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三星1000層NAND目標(biāo)，靠它實(shí)現(xiàn)

三星電子計(jì)劃實(shí)現(xiàn)“PB級”存儲(chǔ)器目標(biāo)。三星高層曾預(yù)期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實(shí)現(xiàn)目標(biāo)，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲(chǔ)器，而據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星計(jì)劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數(shù)將達(dá)到驚人的430層。三星的目標(biāo)是盡快實(shí)現(xiàn)超過1000 TB的存儲(chǔ)容量里程碑，為大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強(qiáng)大的存儲(chǔ)支持。最新消息是，KAIST的研究
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三星1000層NAND目標(biāo)，靠它實(shí)現(xiàn)？

三星電子計(jì)劃實(shí)現(xiàn)“PB級”存儲(chǔ)器目標(biāo)。三星高層曾預(yù)期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實(shí)現(xiàn)目標(biāo)，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲(chǔ)器，而據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星計(jì)劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數(shù)將達(dá)到驚人的430層。三星的目標(biāo)是盡快實(shí)現(xiàn)超過1000 TB的存儲(chǔ)容量里程碑，為大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強(qiáng)大的存儲(chǔ)支持。最新消息是，KAIST的
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SK 海力士、三星電子：整體 DRAM 生產(chǎn)線已超兩成用于 HBM 內(nèi)存

IT之家 5 月 14 日消息，據(jù)韓媒 Hankyung 報(bào)道，兩大存儲(chǔ)巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動(dòng)時(shí)表示，整體 DRAM 生產(chǎn)線中已有兩成用于 HBM 內(nèi)存的生產(chǎn)。相較于通用 DRAM，HBM 內(nèi)存坐擁更高單價(jià)，不過由于 TSV 工藝良率不佳等原因，對晶圓的消耗量是傳統(tǒng)內(nèi)存的兩倍乃至三倍。內(nèi)存企業(yè)唯有提升產(chǎn)線占比才能滿足不斷成長的 HBM 需求。正是在這種“產(chǎn)能占用”的背景下，三星電子代表預(yù)計(jì)，不僅 HBM 內(nèi)存，通用 DRAM（如標(biāo)準(zhǔn) DDR5）的價(jià)格年內(nèi)也不會(huì)
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三星電子已停止自動(dòng)駕駛汽車研究

5月14日消息，近日，據(jù)外媒報(bào)道，三星電子已停止自動(dòng)駕駛汽車研究，并且將研發(fā)人員轉(zhuǎn)移到機(jī)器人領(lǐng)域。負(fù)責(zé)三星中長期發(fā)展的三星先進(jìn)技術(shù)研究院（SAIT），已經(jīng)將自動(dòng)駕駛排除在研究項(xiàng)目之外，將開發(fā)人員轉(zhuǎn)移到機(jī)器人領(lǐng)域，作為三星中長期發(fā)展的一部分。在2023年的公開活動(dòng)中，三星電子曾透露，由SAIT研發(fā)的自動(dòng)駕駛技術(shù)已接近"L4級"，并在2022年10月在韓國完成了長達(dá)200公里的測試，且開發(fā)了自動(dòng)駕駛汽車的半導(dǎo)體、顯示器和傳感器等相關(guān)技術(shù)。然而，由于開發(fā)難度超出預(yù)期、高級別自動(dòng)就愛是商業(yè)化困
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實(shí)在太難了！三星跟進(jìn)蘋果「放棄自研自動(dòng)駕駛」

韓國媒體報(bào)導(dǎo)，繼蘋果暫停Apple Car計(jì)劃后，三星電子也決定叫停自駕車研發(fā)項(xiàng)目，轉(zhuǎn)而將研發(fā)人員投入機(jī)器人領(lǐng)域。這也讓曾被視為未來主流趨勢的「自駕車時(shí)代」，因多家車廠相繼放棄相關(guān)技術(shù)研發(fā)，而蒙上巨大陰影。根據(jù)BusiessKorea報(bào)導(dǎo)，由于預(yù)期自駕車商業(yè)化還需要一段長時(shí)間，三星已經(jīng)放棄第4級（Level 4）自駕技術(shù)，也就是車輛能夠自動(dòng)行駛的研發(fā)階段。業(yè)界消息人士透露，三星內(nèi)部負(fù)責(zé)中長程發(fā)展的三星先進(jìn)技術(shù)研究院（SAIT），已將自駕計(jì)劃排除在研究項(xiàng)目之外，并把相關(guān)研發(fā)人員轉(zhuǎn)調(diào)到機(jī)器人領(lǐng)域。三星去年曾成
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AI賽道，馬力全開！

作為引領(lǐng)新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革的戰(zhàn)略性技術(shù)，人工智能AI已經(jīng)成為新型工業(yè)化發(fā)展的重要推動(dòng)力之一。在ChatGPT熱潮推動(dòng)下，當(dāng)前，AI人工智能及其應(yīng)用在全球迅速普及。從產(chǎn)業(yè)格局來看，目前英偉達(dá)在AI芯片市場幾乎掌握著絕對的話語權(quán)。而與此同時(shí)，為加速占領(lǐng)風(fēng)口，以谷歌、微軟、蘋果等為代表的各大科技廠商都積極下場競賽。其中，Meta、谷歌、英特爾、蘋果推出了最新的AI芯片，希望降低對英偉達(dá)等公司的依賴，而微軟、三星等廠商在AI方面的投資計(jì)劃及進(jìn)展亦相繼傳出。微軟：逾110億美元投資計(jì)劃公布微軟方面，近日，據(jù)多
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三星 AI 推理芯片 Mach-1 即將原型試產(chǎn)，有望基于 4nm 工藝

5 月 10 日消息，韓媒 ZDNet Korea 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱，三星電子的 AI 推理芯片 Mach-1 即將以 MPW（多項(xiàng)目晶圓）的方式進(jìn)行原型試產(chǎn)，有望基于三星自家的 4nm 工藝。這位業(yè)內(nèi)人士還表示，不排除 Mach-1 采用 5nm 工藝的可能。三星已為 Mach-1 定下了時(shí)間表：今年下半年量產(chǎn)、今年底交付芯片、明年一季度交付基于該芯片的推理服務(wù)器。同時(shí)三星也已獲得了 Naver 至高 1 萬億韓元（當(dāng)前約 52.8 億元人民幣）的預(yù)訂單。雖然三星電子目前能提供 3nm 代工，但在 M
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AI硬件核心HBM，需求爆發(fā)增長

2022年末，ChatGPT的面世無疑成為了引領(lǐng)AI浪潮的標(biāo)志性事件，宣告著新一輪科技革命的到來。從ChatGPT掀起的一片浪花，到無數(shù)大模型席卷全球浪潮，AI的浪潮一浪高過一浪。在這波浪潮中，伴隨著人才、數(shù)據(jù)、算力的不斷升級，AI產(chǎn)業(yè)正展現(xiàn)出巨大的潛力和應(yīng)用前景，并在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出重要作用。AI的快速發(fā)展對算力的需求呈現(xiàn)井噴的態(tài)勢，全球算力規(guī)模超高速增長。在這場浪潮中，最大的受益者無疑是英偉達(dá)，其憑借在GPU領(lǐng)域的優(yōu)勢脫穎而出，然
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三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)重心轉(zhuǎn)向企業(yè)領(lǐng)域：目標(biāo)今年 HBM 產(chǎn)量增加 3 倍，明年再翻番

IT之家 5 月 8 日消息，三星公司在最近召開的財(cái)報(bào)電話會(huì)議中表示，未來公司存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的重心不再放在消費(fèi)級 PC 和移動(dòng)設(shè)備上，而是放在 HBM、DDR5 服務(wù)器內(nèi)存、企業(yè)級 SSD 等企業(yè)市場。IT之家翻譯三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)副總裁 Kim Jae-june 在電話會(huì)議上表達(dá)內(nèi)容如下：我們計(jì)劃到 2024 年年底，HBM 芯片的供應(yīng)量比去年增加 3 倍以上。我們已經(jīng)完成協(xié)調(diào) HBM 芯片供應(yīng)商，在共同努力下目標(biāo)在 2025 年讓 HBM 芯片產(chǎn)量再翻一番。英偉達(dá)目前已經(jīng)轉(zhuǎn)型成為 AI 硬件巨頭，成為全
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美國的壓力未能減緩中國半導(dǎo)體的崛起：韓國感受到了壓力

盡管美國一直在努力限制中國的技術(shù)進(jìn)步，但來自韓國的報(bào)道表明一個(gè)令人擔(dān)憂的現(xiàn)實(shí)：中國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迅速趕上，對韓國在中國市場的主導(dǎo)地位構(gòu)成了重大挑戰(zhàn)。與最初的預(yù)期相反，美國的壓力并沒有顯著削弱中國的工業(yè)競爭力。事實(shí)上，中國不僅在智能手機(jī)和顯示器領(lǐng)域鞏固了自己的地位，而且在關(guān)鍵的半導(dǎo)體行業(yè)也取得了顯著進(jìn)展，與韓國的發(fā)展步伐相媲美。這在中國智能手機(jī)市場上是顯而易見的，國內(nèi)品牌如今已明顯領(lǐng)先于三星等韓國巨頭。數(shù)據(jù)顯示，三星在折疊手機(jī)市場的市場份額在2024年第一季度跌至僅有5.9%，與去年的11%相比顯著下降，
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累計(jì)上漲100%還不停！消息稱SK海力士將對內(nèi)存等漲價(jià) 至少上調(diào)20%

5月6日消息，供應(yīng)鏈爆料稱，SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產(chǎn)品提價(jià)，漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說法，海力士DRAM產(chǎn)品價(jià)格從去年第四季度開始逐月上調(diào)，目前已累計(jì)上漲約60%-100%不等，下半年漲幅將趨緩?？恐鎯?chǔ)漲價(jià)，三星電子2024年第一季營業(yè)利潤達(dá)到了6.606萬億韓元。財(cái)報(bào)顯示，三星電子一季度存儲(chǔ)業(yè)務(wù)營收17.49萬億韓元，環(huán)比增長11%，同比暴漲96%，在整體的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收當(dāng)中的占比高達(dá)75.58%。三星表示，一季度存儲(chǔ)市場總體需求強(qiáng)勁，特別是生
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臺積電、三星赴美遇最大弱點(diǎn)：人才差太多

美國為了加強(qiáng)半導(dǎo)體制造在地化，推動(dòng)芯片法案補(bǔ)助臺積電、三星及英特爾等大廠，但各廠商卻接連出現(xiàn)人才不足，延后建廠時(shí)程與量產(chǎn)時(shí)間等問題，華盛頓郵報(bào)直言，美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最大的問題還是人才，砸大錢找臺積電與英特爾，卻沒有足夠的人才庫，確實(shí)是比較差的一部分。報(bào)導(dǎo)提到，不僅是建廠的工人短缺，晶圓廠運(yùn)作所需的技術(shù)員、工程師及計(jì)算機(jī)科學(xué)家也都不夠，為了讓更多人投入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，美國需要小區(qū)大學(xué)培訓(xùn)、高中職業(yè)計(jì)劃甚至學(xué)徒制，但這些策略看似簡單，實(shí)務(wù)執(zhí)行上并不容易，相當(dāng)復(fù)雜又費(fèi)時(shí)。報(bào)導(dǎo)直言，臺積電設(shè)廠的所在地亞利桑那州，其實(shí)大
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三星介紹

　韓國三星電子成立于1969年，正式進(jìn)入中國市場則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有l(wèi)ogo限公司在中國惠州投資建廠。此后的10年，三星電子不斷加大在中國的投資與合作，已經(jīng)成為對中國投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國的銷售額突破100億美元，躍入中國一流企業(yè)的水平。2003年，三星品牌價(jià)值108.5億美元，世界排名25位，被商務(wù)周刊評選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。 [ 查看詳細(xì) ]