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三星電子將引入VCT技術，未來2到3年推出新型DRAM產(chǎn)品

  • 據(jù)最新消息，三星電子已制定明確的技術路線圖，計劃在第7代10nm級DRAM內(nèi)存工藝（1d nm）后引入VCT垂直通道晶體管技術。相關產(chǎn)品預計將在未來2到3年內(nèi)問世。在規(guī)劃下一代DRAM工藝時，三星電子曾面臨兩種選擇：1e nm工藝和VCT DRAM技術。經(jīng)過深入研究和對比，三星最終選擇了VCT DRAM技術。相較于1e nm，VCT技術在性能和效率方面表現(xiàn)更優(yōu)。為加快研發(fā)進度，三星電子還將原1e nm的先行研究團隊并入1d nm研發(fā)團隊，集中力量推進1d nm工藝的開發(fā)。VCT DRAM技術是一種新型存儲
  • 關鍵字： 三星電子  VCT  DRAM  

地都賣了，三星電子與ASML半導體研發(fā)合作還能繼續(xù)嗎？

  • 三星電子和ASML曾于2023年12月宣布共同投資7億歐元（約1萬億韓元），在大都市地區(qū)建立極紫外（EUV）研究中心，致力于打造面向未來的半導體制造設備以保持三星在先進工藝制程技術的領先性。針對這次合作，ASML特別與韓國土地住宅公社（LH）簽訂了在京畿道華城購買6個地塊（約 19,000 平方米）的合同以建設研發(fā)中心。不過最近這項計劃可能出現(xiàn)了一些變動， ASML最近出售了其中的兩塊地塊，并且正在處理另外兩塊地塊。盡管還剩下兩個地塊，但ASML似乎沒有計劃在剩余的空間里與三星建立研發(fā)中心。 ASML 是
  • 關鍵字： 三星電子  ASML  EUV  

三星電子計劃上調(diào)存儲器價格

  • 根據(jù)韓國媒體Pulse的報道，復雜國際形勢下，三星已經(jīng)開始與全球主要客戶進行價格調(diào)整的談判，三星計劃對DRAM和NAND閃存產(chǎn)品進行3%至5%的提價。報道指出，在過去的幾個月里，存儲器芯片的需求因為客戶的儲備行為而急劇上升，這使得三星開始重新考慮其定價策略。此前，該公司由于市場供應過剩和需求疲軟，長期維持穩(wěn)定價格。然而，隨著國際形勢以及存儲市場變化，加上競爭對手宣布提價，三星也開始加入漲價陣營。根據(jù)TrendForce集邦咨詢預測，DRAM價格在第二季度有望上漲3%至8%，而NAND閃存的價格也將隨著需求
  • 關鍵字： 三星電子  存儲器  

韓媒：三星智能眼鏡“海岸”項目正開發(fā)中，或于年底面世

  • 據(jù)韓國媒體 etnews 最新報道，三星電子在智能穿戴設備領域又有新動作，除了正在推進的頭顯產(chǎn)品 Project Moohan 外，公司還在秘密研發(fā)一款代號為“??”（海岸）的智能眼鏡。據(jù)悉，這款智能眼鏡預計將于今年年底正式發(fā)布，為市場帶來新的驚喜。雖然具體規(guī)格尚未公布，但據(jù)透露，三星在這款智能眼鏡的人體工學設計上投入了大量精力，力求為用戶提供極致的佩戴舒適度。值得一提的是，這款智能眼鏡并未配備傳統(tǒng)的遙控器或按鈕，而是可能采用了更為先進的手勢交互技術。etnews 推測，眼鏡上可能會集成攝像頭和傳感器，以
  • 關鍵字： 三星電子  智能穿戴  智能眼鏡  

芯片巨頭，盯上EUV

  • 除了 ArF 空白掩膜，三星還在加大力度將其他高度依賴日本的材料本地化。
  • 關鍵字： 三星電子  EUV  

傳三星2nm SF2工藝初始良率達30%

  • 據(jù)韓媒報道，三星電子近日正在為旗下自研處理器Exynos 2600投入大量資源，以確保其按時量產(chǎn)，且已在試產(chǎn)中獲得初步成功，其2nm工藝（SF2）的良率達到了高于預期的30%。這一工藝被預期在今年下半年進行量產(chǎn)，并且這一良品率還有望進一步提升。報道中稱，SF2是三星晶圓代工部門計劃在2025年下半年推出的最新制程技術，采用第三代GAA技術。與SF3制程技術相較，SF2性能有望提高12%，能效提高25%，而芯片面積微縮5%。有消息稱，Exynos 2600預計將用在計劃于2026年第一季發(fā)表的Galaxy
  • 關鍵字： 三星電子  SF2  芯片制程  

消息稱三星和 SK 海力士達成合作，聯(lián)手推動 LPDDR6-PIM 內(nèi)存

  • 12 月 3 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 昨日報道，三星電子和 SK 海力士正在合作標準化 LPDDR6-PIM 內(nèi)存產(chǎn)品。該合作伙伴關系旨在加快專門用于人工智能（AI）的低功耗存儲器標準化。報道提到，兩家公司已經(jīng)確定，有必要建立聯(lián)盟，以使下一代存儲器符合這一趨勢。報道還稱，三星電子和 SK 海力士之間的合作尚處于早期階段，正在進行向聯(lián)合電子設備工程委員會（JEDEC）注冊標準化的初步工作。目前正在討論每一個需要標準化項目的適當規(guī)格?！?圖源三星PIM 內(nèi)存技術是一種將存儲和計
  • 關鍵字： 三星電子  SK 海力士  內(nèi)存  

是德科技助力三星電子成功驗證FiRa 2.0安全測距測試用例

  • ●? ?采用是德科技的超寬帶測試解決方案，并搭載三星的?U100?芯片組進行測試●? ?可確保超寬帶設備的穩(wěn)定性和安全性是德科技助力三星電子成功驗證FiRa? 2.0安全測距測試用例是德科技（Keysight Technologies, Inc.）成功助力三星電子，在其Exynos Connect U100芯片組上驗證了FiRa? 2.0安全測試用例。此次驗證得益于是德科技提供的超寬帶?（UWB）測試解決方案，該方案符合物理層一致性測試
  • 關鍵字： 是德科技  三星電子  FiRa 2.0  安全測距  

現(xiàn)代、起亞與三星電子攜手合作，以加強軟件定義汽車的用戶體驗

  • 意義：現(xiàn)代汽車和起亞汽車日前已與三星電子建立戰(zhàn)略合作伙伴關系，旨在加強軟件定義車輛（SDV）與智能手機之間的整合。此次合作將在現(xiàn)代汽車全球軟件中心42dot的技術支持下，重點開發(fā)下一代信息娛樂系統(tǒng)并打造一個開放的出行生態(tài)系統(tǒng)。目標是開發(fā)一個用戶友好的汽車環(huán)境，將車載信息娛樂系統(tǒng)與三星計劃于2026年推出的SmartThings物聯(lián)網(wǎng)（IoT）平臺進行整合。展望：現(xiàn)代汽車集團計劃打造一個將出行解決方案與基礎設施相結(jié)合的智慧城市平臺。這一舉措將支持公司向軟件驅(qū)動型出行服務提供商轉(zhuǎn)型的戰(zhàn)略，旨在構(gòu)建一個連接數(shù)據(jù)
  • 關鍵字： 現(xiàn)代汽車  起亞  三星電子  軟件定義汽車  

三星電子開發(fā)出其首款基于第八代V-NAND的車載SSD

  • 三星電子今日宣布成功開發(fā)其首款基于第八代V-NAND技術的PCIe 4.0車載SSD。三星新款AM9C1車載SSD憑借行業(yè)前沿的速度和更高的可靠性，成為適配車載應用端側(cè)人工智能功能的解決方案。三星新款256GB AM9C1車載SSD相比前代產(chǎn)品AM991，能效提高約50%，順序讀寫速度分別高達4,400MB/s和400MB/s。三星半導體基于第八代V-NAND技術的車載SSD AM9C1三星電子副總裁兼存儲器事業(yè)部汽車業(yè)務負責人Hyunduk Cho表示：“我們正在與全球自動駕駛汽車廠商合作，為這些企業(yè)提
  • 關鍵字： 三星電子  V-NAND  車載SSD  

三星首款！第八代V-NAND車載SSD發(fā)布：讀取4400MB/s

  • 9月24日消息，今日，三星電子宣布成功開發(fā)其首款基于第八代V-NAND 技術的PCIe 4.0車載SSD——AM9C1。相比前代產(chǎn)品AM991，AM9C1能效提高約50%，順序讀寫速度分別高達4400MB/s和400MB/s。三星表示，AM9C1能滿足汽車半導體質(zhì)量標準AEC-Q1003的2級溫度測試標準，在-40°C至105°C寬幅的溫度范圍內(nèi)能保持穩(wěn)定運行。據(jù)介紹，AM9C1采用三星5nm主控，用戶可將TLC狀態(tài)切換至SLC模式，以此大幅提升讀寫速度。其中，讀取速度高達4700MB/s，寫入速度高達1
  • 關鍵字： 三星電子  NAND  PCIe 4.0  車載SSD  

消息稱三星電子確認平澤 P4 工廠 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線投資，目標明年 6 月投運

  • IT之家 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，三星電子內(nèi)部已確認在平澤 P4 工廠建設 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線的投資計劃，該產(chǎn)線目標明年 6 月投入運營。平澤 P4 是一座綜合性半導體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產(chǎn)設備，但擱置了二期建設。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內(nèi)存工藝，各家的 1c nm（或?qū)?1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式
  • 關鍵字： NAND  閃存  三星電子  

消息稱三星電子、SK 海力士分別考慮申請 5/3 萬億韓元低息貸款，擴張運營

  • IT之家 7 月 1 日消息，據(jù)《韓國經(jīng)濟日報》報道，三星電子、SK 海力士分別考慮向韓國產(chǎn)業(yè)銀行申請 5 萬億和 3 萬億韓元（IT之家備注：當前分別約 263.8 / 158.28 億元人民幣）低息貸款，用于業(yè)務擴張。韓國產(chǎn)業(yè)銀行由韓國政府全資控股，是韓國唯一的政策性金融機構(gòu)，主要為韓國國家經(jīng)濟發(fā)展提供長期資金。韓國企劃和財政部此前公布了“半導體生態(tài)系統(tǒng)綜合支持計劃”。作為該計劃的一部分，韓國產(chǎn)業(yè)銀行將向半導體企業(yè)發(fā)放 17 萬億韓元低息貸款，其中大企業(yè)可獲得 0.8~1% 利率折讓，而中小
  • 關鍵字： 三星電子  SK 海力士  

三星電子宣布成功構(gòu)建其首個紅帽認證的CXL基礎設施

  • 今日，三星電子宣布已成功構(gòu)建其首個經(jīng)紅帽（Red Hat，全球領先的開源解決方案提供商）認證的Compute Express Link?（CXL?）基礎設施。這意味著從CXL相關產(chǎn)品到軟件，構(gòu)成服務器的各種元素現(xiàn)在都可以在位于韓國華城的三星存儲器研發(fā)中心 (SMRC) 直接進行驗證。一旦CXL產(chǎn)品通過三星驗證，即可立即注冊成為"紅帽認證"產(chǎn)品，從而大大加快產(chǎn)品開發(fā)速度。三星電子構(gòu)建首個紅帽認證的CXL基礎設施作為該基礎設施的首個成果，三星本月成功驗證了其CMM-D產(chǎn)品，這也是
  • 關鍵字： 三星電子  紅帽認證  CXL基礎設施   

傳三星電子正擴大半導體封裝聯(lián)盟

  • 據(jù)Business Korea報道，三星電子預計今年將擴大其2.5D和3D MDI（多芯片集成）聯(lián)盟，新增十名成員。業(yè)界認為，三星電子此舉旨在試圖縮小與臺積電的技術差距。根據(jù)報道，MDI聯(lián)盟由三星電子于2023年6月發(fā)起，旨在應對移動和HPC應用芯片市場的快速增長，三星電子將與其合作伙伴公司以及、存儲、基板封裝和測試領域的主要參與者進行合作。
  • 關鍵字： 三星電子  半導體封裝  
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三星電子介紹

　　三星電子（Samsung Electronics KSE：005930 、KSE：005935 、LSE：SMSN、LSE：SMSD）是世界上最大的電子工業(yè)公司。1938年3月它于朝鮮大邱成立，創(chuàng)始人是李秉喆，現(xiàn)在的社長是李健熙。一開始它是一個出口商，但很快它就進入了許多其它領域。今天它在全世界58個國家擁有20多萬職員。2003年，它的周轉(zhuǎn)值為1017億美元。在世界上最有名的100個商標的列 [ 查看詳細 ]

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