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單片集成 GaN 功率 IC 如何提高功率密度并減少元件數(shù)量？

  • 與傳統(tǒng)硅芯片相比，單片集成 GaN 功率 IC 具有顯著優(yōu)勢，包括卓越的效率、更小的尺寸、更高的速度和更低的成本。GaN 的特別之處在于其天然特性，例如更高的臨界電場、更低的導通電阻和更小的寄生電容。半導體工程師現(xiàn)在正在采用一種稱為單片集成的智能方法，該方法涉及將所有電路組件構建在單個芯片上，而不是連接單獨的部件。工程師通常在稱為硅基氮化鎵或 SOI 基氮化鎵晶圓的專用平臺上構建這些系統(tǒng)，這些平臺是構建在其之上的其他一切的基礎。圖 1.GaN功率IC的單片集成方法：（a）從供體晶圓到最終金屬柵極形成的完整
  • 關鍵字： GaN  功率IC  功率密度  

瑞薩電子通過下一代功率FET將GaN推向千瓦級

  • 幾十年來，硅一直是電力電子領域無可爭議的領導者。但隨著硅達到其性能極限，氮化鎵 （GaN） 功率器件正在取得進展。憑借更快的開關速度和更高的效率，氮化鎵已經(jīng)在消費類快速充電器中發(fā)揮了重大作用，與硅相比，實現(xiàn)了系統(tǒng)級成本、空間和功耗節(jié)省。然而，盡管具有所有功率處理特性，但基于氮化鎵的橫向高電子遷移率晶體管 （HEMT） 一直在努力進入千瓦級功率設計。瑞薩電子正試圖通過其最新的高壓氮化鎵功率 FET 來改變這一現(xiàn)狀，該 FET 專為要求苛刻的系統(tǒng)而設計，從數(shù)據(jù)中心的 AI 服務器電源和不間斷電源 （
  • 關鍵字： 瑞薩電子  功率  FET  GaN  千瓦級  

從IGBT到GaN：10kW串式逆變器設計的關鍵要點與性能優(yōu)勢解析

  • 隨著全球?qū)δ茉纯沙掷m(xù)性與安全性的關注升溫，住宅太陽能儲能系統(tǒng)需求持續(xù)攀升。當前市場上，2kW級微型逆變器已實現(xiàn)集成儲能功能，而更高功率場景則需依賴串式逆變器或混合串式逆變器。本文聚焦基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器設計，探討其技術優(yōu)勢與核心設計要點，為住宅太陽能應用提供高能效、高密度的解決方案參考?；旌洗侥孀兤骷軜嫞簭哪K到系統(tǒng)典型的混合串式逆變器通過穩(wěn)壓直流母線互聯(lián)各功能模塊（圖1），核心子系統(tǒng)包括：●單向DC/DC轉(zhuǎn)換器：執(zhí)行光伏最大功率點跟蹤（MPPT），優(yōu)化能量捕獲；●雙向DC/
  • 關鍵字： TI  IGBT  GaN  串式逆變器  

GaN如何讓光伏充電控制器更高效更小巧？TI給出答案

  • 在光伏系統(tǒng)中，充電控制器的效率與體積直接影響太陽能利用率和安裝成本。傳統(tǒng)設計多采用MOSFET方案，而德州儀器（TI）推出的中壓GaN器件LMG2100，通過集成驅(qū)動與電源環(huán)路優(yōu)化，為光伏充電控制器帶來了效率、尺寸與成本的全面突破。電子電氣設備快速發(fā)展，需要提供的功率比以往任何時候都大得多。對于許多家庭來說，要縮減電費支出或助力實現(xiàn)綠色可持續(xù)的未來，太陽能都是不錯的選擇，而半導體在其中發(fā)揮著重要作用。適用于光伏應用的緊湊型高效電源轉(zhuǎn)換器既能幫助用戶減少室內(nèi)占用面積，又能節(jié)省成本。氮化鎵 (GaN
  • 關鍵字： TI  GaN  光伏充電控制器  

第三代半導體洗牌GaN躍居主角

  • 拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新報告指出，第三代半導體產(chǎn)業(yè)競爭日益激烈，氮化鎵（GaN）功率元件憑借其高頻、高功率特性，在5G/6G基地臺、航空航天、AI運算等應用領域快速崛起。拓墣預估，2025年全球GaN功率半導體市場規(guī)模將達7.5億美元，年增率高達62.7%，至2030年將擴大至43.8億美元，年復合成長率（CAGR）達42.3%。GaN組件具備優(yōu)異電性能與高可靠性，除了主流通訊以及工業(yè)應用外，也加速滲透至智慧城市、無線充電與醫(yī)療設備等新興場景。隨中國大陸等地積極推動產(chǎn)業(yè)自主，全球GaN供應鏈本土化進程加速，各國
  • 關鍵字： 第三代半導體  GaN  拓墣產(chǎn)業(yè)研究院  SiC  

GaN如何改進光伏充電控制器

  • 本應用簡報介紹TI GaN器件如何改進光伏充電控制器。與MOSFET相比，使用TI GaN器件可提高效率并減小PCB尺寸，而且不會增加BOM成本。
  • 關鍵字： GaN  光伏充電控制器  德州儀器  

基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器的設計注意事項

  • 鑒于對能源可持續(xù)性和能源安全的擔憂，當前對儲能系統(tǒng)的需求不斷加速增長，尤其是在住宅太陽能裝置領域。市面上有一些功率高達 2kW 且?guī)в屑墒絻δ芟到y(tǒng)的微型逆變器。當系統(tǒng)需要更高功率時，也可以選用連接了儲能系統(tǒng)的串式逆變器或混合串式逆變器。圖1是混合串式逆變器的方框圖。常見的穩(wěn)壓直流母線可將各個基本模塊互聯(lián)起來?；旌洗侥孀兤靼韵伦訅K：●? ?用于執(zhí)行最大功率點跟蹤的單向 DC/DC 轉(zhuǎn)換器?！? ?用于電池充電和放電的雙向 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。電池可在夜間或停電
  • 關鍵字： 德州儀器  GaN FET  單相串式逆變器  微型逆變器  儲能系統(tǒng)  

英飛凌300毫米GaN制造路線圖的進展

  • 隨著對 GaN 半導體的需求持續(xù)增長，Infineon Technologies AG 已準備好利用這一趨勢，鞏固其作為 GaN 市場領先集成器件制造商 （IDM） 的地位。今天，該公司宣布其在 300 毫米晶圓上的可擴展 GaN 制造正在按計劃進行。隨著 2025 年第四季度向客戶提供第一批樣品，該公司已做好充分準備來擴大其客戶群并鞏固其作為領先 GaN 巨頭的地位。作為電力系統(tǒng)的領導者，該公司掌握了所有三種相關材料：Si、SiC 和 GaN。GaN 半導體具有更高的功率密度、更快的開關速度和更低的功率
  • 關鍵字： 英飛凌  300毫米  GaN  制造路線圖  

GaN代工模型是否面臨問題？Innoscience參與臺積電2027退出

  • 雖然臺積電計劃到 2027 年退出氮化鎵 （GaN） 晶圓代工業(yè)務，但行業(yè)巨頭英飛凌正在加大努力，這標志著 GaN 領域的重大轉(zhuǎn)變。哪些因素可能推動了這些不同的策略？根據(jù)《科創(chuàng)板日報》的報道，中國英諾賽科董事會主席羅偉偉解釋說，氮化鎵晶圓生產(chǎn)可能不太適合傳統(tǒng)的代工模式。為什么 GaN 不適合代工模型正如報告中所引用的，Luo 解釋說，傳統(tǒng)的功率半導體器件結構相對簡單，不會對代工服務產(chǎn)生強勁的需求。特別是對于 GaN 功率器件，這種模型沒有提供足夠的投資回報 （ROI），并且缺乏代工廠與其客戶之間通?？吹降?/li>
  • 關鍵字： GaN  代工模型  Innoscience  臺積電  

瑞薩電子推出用于AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)及電源系統(tǒng)的全新GaN FET

  • 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務器電源（包括新型800V高壓直流架構）、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設備、電池儲能和太陽能逆變器。此類第四代增強型（Gen IV Plus）產(chǎn)品專為多千瓦級應用設計，將高效GaN技術與硅基兼容柵極驅(qū)動輸入相結合，顯著降低開關功率損耗，同時保留硅基FET的操作簡便性。新產(chǎn)品提供TOL
  • 關鍵字： 瑞薩電子  AI數(shù)據(jù)中心  工業(yè)  電源系統(tǒng)  GaN FET  

臺積電退出后英飛凌加快GaN推進 今年四季度將提供300毫米晶圓樣品

  • 雖然臺積電計劃到 2027 年退出氮化鎵 （GaN） 晶圓代工業(yè)務，但行業(yè)巨頭英飛凌正在加大努力。根據(jù)其新聞稿，英飛凌利用其強大的 IDM 模型，正在推進其 300 毫米晶圓的可擴展 GaN 生產(chǎn)，首批客戶樣品計劃于 2025 年第四季度發(fā)布。據(jù)《商業(yè)時報》報道，臺積電計劃在 2027 年 7 月 31 日之前結束其 GaN 晶圓代工服務，理由是來自中國競爭對手不斷上升的價格壓力是關鍵驅(qū)動因素。Liberty Times 補充說，由于對 GaN 的低利潤率前景持懷疑態(tài)度，臺積電已決定逐步退出其
  • 關鍵字： 臺積電  英飛凌  GaN  300毫米  晶圓樣品  

650V GaN器件在高功率應用中對SiC構成挑戰(zhàn)

  • 瑞薩電子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平臺，該平臺具有適用于高功率應用的 650 V、30 毫歐姆氮化鎵器件。此次發(fā)布代表了該公司在收購 Transphorm 并與其控制器和驅(qū)動器 IC 產(chǎn)品線集成后對 GaN 技術的持續(xù)投資。與之前的 35 毫歐姆器件相比，Gen 4+ 平臺的 RDS（on） 和芯片尺寸減小了 14%，直接降低了成本。開關品質(zhì)因數(shù)提高了 50%，而輸出品質(zhì)因數(shù)提高了 20% 以上。在比較測試中，瑞薩電子在 4 kW 電源應用中的損耗比領先的碳化硅 MOSFET 和 JF
  • 關鍵字： 650V  GaN  器件  高功率應用  SiC  

臺積電無預警退出GaN市場 納微有望接手美國訂單

  • 國際功率半導體廠納微半導體于提交美國證券交易委員會（SEC）消息指出，臺積電將于2027年7月31日結束氮化鎵（GaN）晶圓代工業(yè)務，擬向力積電尋求產(chǎn)能支持。 對此，臺積電回應表示，經(jīng)過完整評估后，決定在未來兩年內(nèi)逐步退出氮化鎵（GaN）業(yè)務。臺積電透露，該決定是基于市場與臺積電公司的長期業(yè)務策略; 公司正與客戶緊密合作確保在過渡期間保持順利銜接，并致力在此期間繼續(xù)滿足客戶需求。同時，臺積電也指出，仍將著重為合作伙伴及市場持續(xù)創(chuàng)造價值; 而該項決定將不會影響之前公布的財務目標。業(yè)界認為，臺積電此舉凸顯中國
  • 關鍵字： 臺積電  納微半導體  GaN  

瑞薩推出全新GaN FET，增強高密度功率轉(zhuǎn)換能力

  • 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務器電源（包括新型800V高壓直流架構）、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設備、電池儲能和太陽能逆變器。此類第四代增強型（Gen IV Plus）產(chǎn)品專為多千瓦級應用設計，將高效GaN技術與硅基兼容柵極驅(qū)動輸入相結合，顯著降低開關功率損耗，同時保留硅基FET的操作簡便性。新產(chǎn)品提供TOLT、TO-247和T
  • 關鍵字： 瑞薩  GaN FET  SuperGaN  

GaN FET支持更高電壓的衛(wèi)星電源

  • EPC Space 推出了 EPC7030MSH，這是一款 300 V 抗輻射 GaN FET。該解決方案提供高功率電流額定值，為衛(wèi)星電源和推進應用樹立了新的基準。EPC7030MSH隨著衛(wèi)星制造商過渡到更高電壓的電源總線和更苛刻的功率密度，EPC Space 最新的 GaN 器件滿足了對緊湊、高效和抗輻射功率轉(zhuǎn)換日益增長的需求。EPC7030MSH專為在極端輻射和熱條件下運行的前端 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電力推進系統(tǒng)而設計。文檔顯示，該器件的額定工作電壓為 300 V，線性能量傳輸 （LET） 為 63
  • 關鍵字： GaN FET  衛(wèi)星電源  
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