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了解雙數(shù)據(jù)速率（DDR）存儲(chǔ)器的關(guān)鍵概念和圍繞這一數(shù)字通信技術(shù)的應(yīng)用，其中兩個(gè)數(shù)據(jù)字在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸。串行數(shù)據(jù)傳輸比并行數(shù)據(jù)傳輸具有重要優(yōu)勢(shì)，并且在許多系統(tǒng)中，這些優(yōu)勢(shì)足夠顯著，足以證明添加串行化和反串行化并行數(shù)據(jù)的......
存儲(chǔ)器大廠美光、SK海力士和三星2023年7月底、8月中旬、10月初向英偉達(dá)送樣八層垂直堆疊24GB HBM3E，美光和SK海力士HBM3E于2023年初通過(guò)英偉達(dá)驗(yàn)證，并獲訂單，三星HBM3E卻未通過(guò)驗(yàn)證。外媒報(bào)導(dǎo)，三......
IT之家 5 月 16 日消息，韓國(guó)每日經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)道稱(chēng)，SK 海力士代工部門(mén)啟方半導(dǎo)體（SK Key Foundry）將于今年下半年開(kāi)始為特斯拉生產(chǎn)電源管理（PMIC）芯片?！?圖源：SK Key Foundr......
5月15日消息，據(jù)市場(chǎng)消息稱(chēng)，三星、SK海力士將在下半年停止生產(chǎn)、供應(yīng)DDR3內(nèi)存，轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更豐厚的DDR5內(nèi)存、HBM系列高帶寬內(nèi)存。DDR3雖然在技術(shù)、性能上已經(jīng)落伍，PC、服務(wù)器都不再使用，但因?yàn)榉浅３墒?，功耗和價(jià)......
三星電子計(jì)劃實(shí)現(xiàn)“PB級(jí)”存儲(chǔ)器目標(biāo)。三星高層曾預(yù)期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實(shí)現(xiàn)目標(biāo)，且可能是關(guān)鍵。目前，三......
人工智能大模型的突然爆火，讓發(fā)電這個(gè)近200年的傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)意外再次引起關(guān)注：據(jù)業(yè)界數(shù)據(jù)顯示，僅ChatGPT每天就需要消耗超過(guò)50萬(wàn)千瓦時(shí)電力，相當(dāng)于1.7萬(wàn)個(gè)美國(guó)家庭的用電量。而隨著生成式AI的廣泛應(yīng)用，預(yù)計(jì)到2027年......
近期，媒體報(bào)道三星電子在最新財(cái)報(bào)電話(huà)會(huì)議中表示，未來(lái)存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的重心不再放在消費(fèi)級(jí)PC和移動(dòng)設(shè)備上，而將放在HBM、DDR5服務(wù)器內(nèi)存以及企業(yè)級(jí)SSD等企業(yè)領(lǐng)域。三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)副總裁 Kim Jae-june在電話(huà)會(huì)議上透露......
IT之家 5 月 14 日消息，據(jù)韓媒 Hankyung 報(bào)道，兩大存儲(chǔ)巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動(dòng)時(shí)表示，整體 DRAM 生產(chǎn)線(xiàn)中已有兩成用于 HBM 內(nèi)存的生產(chǎn)。相較于通用 D......
近日，美光科技宣布在業(yè)界率先驗(yàn)證并出貨基于大容量32Gb單塊DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存，其速率在所有主流服務(wù)器平臺(tái)上均高達(dá)5600MT/s。據(jù)介紹，該款128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存采用美光......
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