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基于CMOS工藝的鋰聚合物電池保護(hù)電路設(shè)計

作者： 時間：2011-09-09 來源：網(wǎng)絡(luò) 收藏
基于耗盡型NMOS管閾值電壓為負(fù)值，在VGS=0時也處于工作狀態(tài)，該特性可有效降低其工作電壓及功耗。因而，該基準(zhǔn)電路中利用串聯(lián)的耗盡型NMOS管MN1-MN4、串聯(lián)的增強(qiáng)型NMOS管MN5-MN9、MN11-MN12和電阻R1、R2構(gòu)成基于VGS的基準(zhǔn)電壓電路，該基準(zhǔn)電路的輸出為檢測比較器反相端的基準(zhǔn)電壓信號VREF。

本文引用地址：http://www.bjwjmy.cn/article/178653.htm

　　由于本電路中耗盡管閾值電壓為負(fù)值，且柵源電壓恒為0,故耗盡型管始終工作在飽和區(qū)。且其電流值恒定為：

　　

　　同時為滿足該電路低功耗的要求，應(yīng)盡可能使電路中增強(qiáng)性管工作在亞閾值區(qū)。如圖3所示，基于襯偏效應(yīng)和源極電位的升高，MN5管工作于亞閾值區(qū)。

　　

　　

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