專門授權自旋電子(spintronics)磁阻隨機存取內存(MRAM)技術的自旋電子組件開發(fā)商NVR公司表示，該公司已于美國聯(lián)邦法院對 MRAM 供貨商Everspin Technologies提出侵權訴訟，以捍衛(wèi)其自旋電子 MRAM 專利技術。

　　NVE公司指出，在美國明尼蘇達州地方法院提起的這項訴訟案指控Everspin侵犯了NVE公司的三項 MRAM 專利。根據(jù)NVE公司表示，該侵權訴訟將尋求法院的禁制令，以迫使Everspin公司停止繼續(xù)使用該技術，并針對其侵權行為造成的NVE財務損失進行求償。

　　「多年來我們已經為此投入大量研發(fā)資源，現(xiàn)在我們將好好捍衛(wèi)我們的權利以保護這些投資?！筃VE公司總裁兼CEO Daniel Baker在一份聲明中表示。

　　但Everspin公司并未立即對此訴訟發(fā)表任何評論。

　　NVE公司一直致力于商用化自旋電子組件--這項奈米技術主要是利用電子自旋(而非電荷)特性，以擷取、儲存并傳送信息。該公司利用該技術制造出許多高性能的自旋電子組件，包括傳感器與耦合器，以用于擷取與傳送信息;同時，該公司也授權自旋電子 MRAM 技術。

　　自1990年代即已展開研發(fā)的 MRAM 是一項非揮發(fā)性的內存技術，通常被視為一種市場利基型技術，不過， MRAM 技術的支持者深信，該技術終將獲得市場的廣泛接受。