巴斯夫創(chuàng)造出一種先進的電鍍銅化學品，可滿足現今及未來芯片科技的需求。巴斯夫與IBM于2007年6月開始這一聯(lián)合開發(fā)項目，這項創(chuàng)新的化學品解決方案是其直接成果。這種解決方案的表現超越了市場上現有的其它化學品。

　　兩家公司正擴展他們的合作計劃，以確定量產所需的參數。相關的技術、化學品和材料預計可于 2010年中期上市供應。

　　巴斯夫全球電子材料業(yè)務部研發(fā)部門的資深經理兼該項目負責人Dieter Mayer表示：“我們?yōu)檫@一創(chuàng)新的化學品感到興奮無比。巴斯夫與IBM團隊選擇了一種新的方式，通過對于沉積銅物理特性的了解來設計分子添加劑系統(tǒng)。利用巴斯夫與IBM強大的資源，我們已經克服了在電鍍銅方面的主要挑戰(zhàn)，朝著制造更小、更快、更可靠芯片的目標又邁進了一步。”

　　實現無缺陷的電導線沉積是成功沉積銅工藝最關鍵的條件。在電鍍銅沉積工藝中，傳統(tǒng)的等向性充填(conformal fill)會在形體的上、下、外圍產生同樣的銅沉積率，形成接縫及缺陷。通過采用巴斯夫的化學品可以實現快速的充填，一般稱為“超填孔(superfill)”，可以將銅快速的充填至細小的通孔及溝槽，制造出無缺陷的銅導線。通過超填充的方式，底部的銅沉積率會比頂部及外圍更高。

　　銅導線可顯著改善芯片效能，這種高傳導性金屬的沉積是建構多層互連結構的關鍵性工藝。時下最先進的芯片技術被稱為32納米技術節(jié)點，而下一代的22納米技術預期將于2011年推出。當芯片尺寸越來越小，互連結構日趨復雜，要制造出高性能的芯片就更需要專門的化學知識。同時，純熟完善的化學工藝解決方案也是必不可少的。

　　巴斯夫的電鍍銅化學品已經可以應用在32納米和22納米的芯片技術中，能明顯改善芯片銅導線的可靠性，提升芯片的性能和質量。