5月27日消息，據韓國媒體Business Korea報道稱，針對此前三星高帶寬內存（HBM）未通過英偉達（NVIDIA）認證是因為功耗及散熱問題的消息，三星予以了否認。

日前路透社引述市場人士的說法稱，三星最新的HBM芯片由于散熱和功耗問題，導致其尚未通過GPU大廠英偉達的測試認證。

對此，三星發(fā)布聲明表示，“我們正與全球各合作伙伴順利測試HBM供應，努力提高所有產品品質和可靠性，也嚴格測試HBM產品的質量和性能，以便為客戶提供最佳解決方案。”

據了解，三星近期開始量產第五代HBM產品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E設備。

外媒Tom′s Hardware認為，三星雖然聲稱最新HBM產品可與多種處理器正常工作，但沒明確說明能否與英偉達相關處理器配合正常工作，以及此前未能通過英偉達某方面認證的原因是什么。

目前英偉達有多種GPU采用HBM3E內存，包括H200及B200、B100和GB200，雖然都需要HBM3E內存堆疊，但對功耗和散熱要求不同。因此，Tom′s Hardware猜測，三星HBM3E內存可滿足英偉達H200、B200及AMD即將推出的Instinct MI350X的要求，但可能無法滿足Nvidia GB200要求。

編輯：芯智訊-林子