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碳化硅(sic)mosfet
是德示波器如何精準測量第三代半導(dǎo)體SiC的動態(tài)特性
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西安安泰
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2025-04-21
MOSFET選型技巧一
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leiditechsh
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2025-03-19
自有SiC Mos已批量應(yīng)用于主驅(qū),產(chǎn)能達9000片/月
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旺材芯片
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2024-08-21
碳化硅芯片的設(shè)計和制造
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旺材芯片
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2024-06-02
喜報!讓碳化硅瘋狂生長-科友半導(dǎo)體晶體厚度突破80mm!
瀏覽:366
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旺材芯片
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2024-05-31
技術(shù) | SiC襯底和外延材料對MOSFET器件特性的影響
瀏覽:379
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旺材芯片
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2024-03-09
碳化硅晶片的化學(xué)機械拋光技術(shù)
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旺材芯片
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2024-01-24
碳化硅與第三代半導(dǎo)體的淵源
瀏覽:512
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旺材芯片
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2023-12-19
中國碳化硅(國內(nèi)三杰)產(chǎn)能跟蹤
瀏覽:447
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旺材芯片
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2023-12-14
碳化硅 (SiC) 與氮化鎵 (GaN)應(yīng)用差異
瀏覽:1193
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旺材芯片
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2023-12-08
碳化硅賽道“涌動” ,國內(nèi)外巨頭抓緊布局
瀏覽:817
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傳感器技術(shù)
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2023-12-03
詳解大功率電源中MOSFET功耗的計算
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yingjian
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2023-11-17
盤點國內(nèi)SiC碳化硅襯底公司
瀏覽:16683
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旺材芯片
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2023-10-28
英飛凌確認:兩家中國SiC供應(yīng)商獲車規(guī)認證并大規(guī)模出貨
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芯片大師哥
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2023-09-08
東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低開關(guān)損耗的4引腳封裝
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12345zhi
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2023-08-31
【資訊】全球SiC晶圓競爭,進入白熱化
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旺材芯片
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2023-08-09
英飛凌推出TO263-7封裝的新一代1200 V CoolSiC溝槽式MOSFET
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12345zhi
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2023-08-03
碳化硅需求旺盛,安森美Q3業(yè)績及Q3財測超預(yù)期
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芯智訊
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2023-08-01
碳化硅“狂飆”:追趕、內(nèi)卷、替代
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芯東西
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2023-07-09
中國電科:國產(chǎn)碳化硅器件和設(shè)備取得突破
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芯片大師哥
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2023-07-06
碳化硅“狂飆”:追趕、內(nèi)卷、替代
瀏覽:231
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旺材芯片
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2023-06-27
細談中國碳化硅的從無到有,老一輩工藝先驅(qū)者的匠心足跡
瀏覽:612
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芯片揭秘
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2023-05-18
ROHM 1200V IGBT成功導(dǎo)入SEMIKRON-Danfoss功率模塊
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12345zhi
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2023-05-09
國際領(lǐng)先!新一代SIC晶體生長用材料
瀏覽:301
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先進半導(dǎo)體
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2023-04-28
SiC MOSFET——降低功率損耗,邁向碳中和
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芝識課堂
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2023-04-27
東芝SiC MOSFET為您開啟電源新大門
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芝識課堂
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2023-04-27
如何避免MOSFET常見問題和失效模式
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yingjian
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2023-04-25
采埃孚與意法半導(dǎo)體就碳化硅器件簽署多年供應(yīng)協(xié)議
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旺材芯片
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2023-04-15
買買買成就的SiC巨頭
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旺材芯片
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2023-03-16
MOSFET柵極驅(qū)動電路應(yīng)用說明
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yingjian
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2023-02-28
政策持續(xù)推動需求爆發(fā),SiC在充電樁市場大有可為 旺材芯片
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旺材芯片
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2023-02-17
SiC,將拿下30%的功率器件市場
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旺材芯片
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2023-02-17
降低碳化硅Sic牽引逆變器的功率損耗和散熱
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旺材芯片
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2023-02-02
光電耦合器和MOSFET之間的差異
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騰恩科技彭工
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2023-02-01
今年會是SiC半導(dǎo)體和功率模組元年嗎?
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旺材芯片
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2023-01-30
羅姆的第4代SiC MOSFET成功應(yīng)用于日立安斯泰莫的純電動汽車逆變器
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12345zhi
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2022-12-28
又一SiC相關(guān)企業(yè)上市,市值超270億!
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旺材芯片
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2022-12-18
ST與Soitec合作開發(fā)碳化硅襯底制造技術(shù)
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12345zhi
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2022-12-08
如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET:良好驅(qū)動器的重要性
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dianlaotie
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2022-11-10
芯片研發(fā)過程中的可靠性測試——碳化硅功率器件
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深圳半導(dǎo)體
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2022-11-03
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[直流開關(guān)電源的軟開關(guān)技術(shù)]
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