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ufs 4.0 閃存芯片
ufs 4.0 閃存芯片 文章 最新資訊
傳韓系三位元型MLC NAND芯片新品質(zhì)量存穩(wěn)定性問題
- 據(jù)業(yè)者透露,韓國(guó)廠商生產(chǎn)的三位元型MLC NAND閃存芯片新品在穩(wěn)定性和耐用性方面不如現(xiàn)有兩位元型產(chǎn)品,不過(guò)消息來(lái)源不愿意透露這家韓國(guó)廠商的具體名稱。據(jù)消息來(lái)源透露,這家韓國(guó)廠商首批推出 的三位元MLC NAND閃存芯片只面向大陸以及美國(guó)地區(qū)的市場(chǎng)發(fā)售,不過(guò)目前部分銷往美國(guó)市場(chǎng)的產(chǎn)品已經(jīng)由于產(chǎn)品質(zhì)量不穩(wěn)定而遭到客戶的退貨。 據(jù)閃存控制芯片的廠商表示,三位元型MLC NAND閃存芯片技術(shù)目前還處在初級(jí)發(fā)展階段,由于可能存在一些兼容性等方面的問題,因此需要3個(gè)月的時(shí)間對(duì)這種新產(chǎn)品進(jìn)行充分的測(cè)試。
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傳東芝投資22億美元擴(kuò)大NAND閃存產(chǎn)能
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,消息人士周一透露,東芝可能將投資2000億日元(約合22億美元)擴(kuò)大NAND閃存芯片生產(chǎn)。到2010年4月底,東芝的閃存芯片生產(chǎn)規(guī)模將擴(kuò)大40%。 報(bào)道稱,東芝當(dāng)前還計(jì)劃在2012年3月之前,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資總計(jì)5000億日元。市場(chǎng)調(diào)研公司iSuppli上周發(fā)布研究數(shù)據(jù)顯示,今年第三季度全球NAND閃存市場(chǎng)業(yè)績(jī)強(qiáng)勁,東芝表現(xiàn)最為搶眼,營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)近50%。 iSuppli的報(bào)告稱,全球NAND閃存市場(chǎng)第三季度的營(yíng)收較第二季度的31億美元,增長(zhǎng)了25.5%,達(dá)39.4億美元。
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旺宏電子與茂德科技洽談收購(gòu)芯片廠事宜
- 臺(tái)灣閃存芯片生產(chǎn)商旺宏電子新聞發(fā)言人林云龍今日表示,公司正考慮收購(gòu)茂德科技旗下一座12英寸芯片生產(chǎn)工廠,他稱“希望在農(nóng)歷新年前完成這樣一筆收購(gòu)交易”,但拒絕透露其中細(xì)節(jié)。 有臺(tái)灣媒體報(bào)道稱,旺宏電子此舉為滿足市場(chǎng)對(duì)閃存芯片的強(qiáng)勁需求,同時(shí)旺宏電子將斥資50億元新臺(tái)幣收購(gòu)該工廠,預(yù)計(jì)在明年第一季度完成交易。 目前,茂德科技方面尚未就此事發(fā)表評(píng)論。
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SanDisk Q3意外由虧轉(zhuǎn)盈 內(nèi)存產(chǎn)業(yè)展望樂
- 美國(guó)內(nèi)存大廠SanDisk近日公布第3季財(cái)報(bào),意外由虧損轉(zhuǎn)為強(qiáng)勁獲利,主要由于銷售額優(yōu)于預(yù)期,以及先前減記的庫(kù)存收入回補(bǔ)加持。這也反映了內(nèi)存制造商持續(xù)受惠于閃存芯片市場(chǎng)好轉(zhuǎn)趨勢(shì)。 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,SanDisk第3季由去年同期的虧損1.659億美元或每股74美分,改善為獲利2.313億美元或每股99美分。去除特殊項(xiàng)目后,每股獲利則為76美分,優(yōu)于分析師預(yù)期的每股26美分。 該季營(yíng)收增長(zhǎng)14%至9.352億美元,遠(yuǎn)優(yōu)于公司今年7月份預(yù)估的介于7.25-7.75億美元,以及分析師預(yù)期的7.87
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鎂光34nm企業(yè)級(jí)MLC/SLC NAND閃存明年初量產(chǎn)

- 鎂光34nm制程企業(yè)級(jí)MLC/SLC NAND閃存芯片已經(jīng)進(jìn)入試樣階段,MLC部分的存儲(chǔ)密度可達(dá)32Gb,寫入壽命達(dá)3萬(wàn)次,是普通MLC產(chǎn)品的6倍;SLC部分存儲(chǔ)密度為16Gb,寫入壽命同樣為3萬(wàn)次,是普通SLC產(chǎn)品的3倍. 鎂光這次開發(fā)成功的34nm MLC/SLC閃存芯片支持ONFI2.1接口規(guī)范(Open NAND Flash Interface),數(shù)據(jù)傳輸率最高可達(dá)200MB/S,而且可以采用閃存封裝內(nèi)部集成多片閃存芯片的封裝方案。 鎂光表示,明年初這兩種閃存芯片便可正式量產(chǎn)。
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晟碟推出新技術(shù)閃存芯片 容量高達(dá)64GB
- 晟碟(SanDisk)今日推出了新的先進(jìn)閃存芯片生產(chǎn)技術(shù),旨在進(jìn)一步幫助芯片生產(chǎn)商提高利潤(rùn)。 晟碟表示,已經(jīng)開始向零售商供應(yīng)采用這項(xiàng)名為X4的新技術(shù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)卡,這種存儲(chǔ)卡包含容量為64G的閃存芯片,較當(dāng)前市場(chǎng)上流通的芯片存儲(chǔ)能力高出一倍。 晟碟稱,X4技術(shù)將有助于降低閃存芯片的生產(chǎn)成本,從而提高該公司及其生產(chǎn)伙伴東芝的利潤(rùn)率。 晟碟總裁兼首席營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)Sanjay Mehrotra表示,該公司將采用了X4技術(shù)的芯片植入現(xiàn)有存儲(chǔ)卡內(nèi),但并未在產(chǎn)品標(biāo)簽上作出區(qū)分,定價(jià)也沒有變化,從而實(shí)現(xiàn)了
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爾必達(dá)擬投資4.52億美元提高40納米芯片產(chǎn)量
- 日本最大閃存芯片制造商爾必達(dá)表示,可能投資至多400億日元(約合4.52億美元)提高40納米芯片的產(chǎn)量,達(dá)到公司芯片總產(chǎn)量的一半。 爾必達(dá)發(fā)言人表示,公司計(jì)劃今年開始大規(guī)模生產(chǎn)這一產(chǎn)品。他說(shuō),為了反映市場(chǎng)狀況,爾必達(dá)決定加快投資步伐。 爾必達(dá)、三星電子、海力士半導(dǎo)體等芯片制造商正在降低芯片尺寸,以增加一片晶圓所能切割出的芯片數(shù)量,以此降低成本,應(yīng)對(duì)產(chǎn)品價(jià)格不斷下滑的局面。爾必達(dá)說(shuō),從當(dāng)前的50納米技術(shù)轉(zhuǎn)向較小的芯片尺寸,公司可以將每片晶圓的芯片產(chǎn)量提高44%。 亞洲最大半導(dǎo)體現(xiàn)貨市場(chǎng)
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美政府承諾就半導(dǎo)體補(bǔ)貼政策向日本和中國(guó)施壓
- 據(jù)國(guó)外媒體今日?qǐng)?bào)道,在美國(guó)閃存芯片廠商美光科技提出投訴后,美國(guó)政府承諾就日本最大電腦閃存廠商必爾達(dá)的補(bǔ)貼問題向日本和中國(guó)臺(tái)灣施加壓力。 美國(guó)貿(mào)易代表榮·基克(Ron Kirk)向愛達(dá)荷州共和黨參議員邁克·卡拉普(Mike Crapo)致函,承諾會(huì)通過(guò)世界貿(mào)易組織以及單獨(dú)會(huì)晤擁有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國(guó)家,要求日本和中國(guó)臺(tái)灣就補(bǔ)貼問題提供更多信息。愛達(dá)荷州是美光科技的總部所在地。 基克在這封9月24日的信件中表示:“我們理解這個(gè)問題對(duì)你和對(duì)美國(guó)DRAM芯片制造商
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美國(guó)承諾介入海外芯片廠商補(bǔ)貼問題
- 據(jù)國(guó)外媒體今日?qǐng)?bào)道,在美國(guó)閃存芯片廠商美光科技提出投訴后,美國(guó)政府承諾就日本最大電腦閃存廠商必爾達(dá)的補(bǔ)貼問題向日本和中國(guó)臺(tái)灣施加壓力。 美國(guó)貿(mào)易代表榮·基克(Ron Kirk)向愛達(dá)荷州共和黨參議員邁克·卡拉普(Mike Crapo)致函,承諾會(huì)通過(guò)世界貿(mào)易組織以及單獨(dú)會(huì)晤擁有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國(guó)家,要求日本和中國(guó)臺(tái)灣就補(bǔ)貼問題提供更多信息。愛達(dá)荷州是美光科技的總部所在地。 基克在這封9月24日的信件中表示:“我們理解這個(gè)問題對(duì)你和對(duì)美國(guó)DRAM芯片制造商
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東芝Sandisk計(jì)劃明年啟用2xnm制程量產(chǎn)閃存芯片
- 據(jù)業(yè)者透露,東芝及其閃存合作伙伴SanDisk計(jì)劃要在明年下半年開始采用20nm級(jí)別制程來(lái)量產(chǎn)NAND閃存芯片。另外兩家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合資興建的閃存芯片廠將逐月增大閃存芯片的產(chǎn)能,直至達(dá)到20萬(wàn)片的產(chǎn)能水平。 東芝公司最近已經(jīng)開始32nm制程3bpc(每存儲(chǔ)單元3bit數(shù)據(jù))閃存芯片的量產(chǎn),按原先的計(jì)劃,合資的四日市芯片廠32nm制程芯片的產(chǎn)量應(yīng)在今年底前達(dá)到總產(chǎn)量的50%左右,不過(guò)按目前的產(chǎn)能規(guī)劃來(lái)看,實(shí)際的量產(chǎn)實(shí)施時(shí)間看來(lái)已經(jīng)會(huì)有所拖延。 另一方面,對(duì)手In
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飛索半導(dǎo)體3100萬(wàn)美元出售蘇州工廠
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,申請(qǐng)破產(chǎn)的閃存芯片制造商飛索半導(dǎo)體周一表示,作為公司重組計(jì)劃的一部分,公司已經(jīng)同意作價(jià)約3100萬(wàn)美元現(xiàn)金將旗下中國(guó)蘇州工廠出售給臺(tái)灣力成科技。 飛索半導(dǎo)體周一發(fā)表聲明稱,蘇州工廠約有565名工人,是公司4家工廠之一。 飛索半導(dǎo)體今年3月申請(qǐng)破產(chǎn)。該公司表示,出售蘇州工廠意在降低固定成本,轉(zhuǎn)向更為靈活外包的制造模式。 這一出售交易還有待美國(guó)破產(chǎn)法庭批準(zhǔn)。飛索半導(dǎo)體表示,計(jì)劃今年第四季度走出破產(chǎn)保護(hù)。
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美光或收購(gòu)Numonyx Intel脫離NAND市場(chǎng)?
- 根據(jù)國(guó)外媒體爆料,NAND閃存芯片制造商以及英特爾的合作伙伴美光科技可能會(huì)收購(gòu)英特爾投資的NOR閃存制造商N(yùn)umonyx。 這將使得英特爾能夠擺脫掉Numonyx,而美光則可以藉此進(jìn)入NOR閃存業(yè)務(wù),并獲得Numonyx的phase-change memory技術(shù)。 Numonyx是英特爾的合資公司,英特爾擁有其45%的股份,意法半導(dǎo)體持股49%。金融服務(wù)公司Francisco Partners持有其余股份,并在Numonyx 2008年成立時(shí)投資了1.5億美元。閃存業(yè)務(wù)對(duì)英特爾和意法半導(dǎo)
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三星東芝稱美司法部閃存反壟斷調(diào)查已結(jié)束
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,全球最大的兩家閃存芯片制造商,三星電子與東芝公司今日表示,美國(guó)司法部針對(duì)兩家公司展開的反壟斷調(diào)查已經(jīng)結(jié)束。此次反壟斷調(diào)查歷時(shí)2年。 三星電子的一位女發(fā)言人今日宣布,美國(guó)司法部已通知三星電子,對(duì)公司的相關(guān)調(diào)查已告結(jié)束。東芝美國(guó)分公司則在7月28日收到了有關(guān)通知。但美國(guó)司法部女發(fā)言人塔拉莫娜拒絕對(duì)此發(fā)表評(píng)論。 美國(guó)司法部對(duì)閃存芯片制造商的反壟斷調(diào)查始于2007年9月,調(diào)查源于司法部懷疑半導(dǎo)體行業(yè)存在限定價(jià)格的可能。另一項(xiàng)獨(dú)立的調(diào)查則在4家電腦內(nèi)存芯片公司中展開,這其中也包括三星
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三星閃存芯片被指侵權(quán)殃及八家公司
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,美國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)公司BTG International Inc.(以下簡(jiǎn)稱“BTG”)今天向美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)提出申訴,稱三星的NAND閃存芯片侵犯其5項(xiàng)專利,要求禁止進(jìn)口侵權(quán)芯片及相關(guān)產(chǎn)品。BTG還將蘋果、RIM等8家采用該芯片的公司列為被告。 BTG申訴材料稱,涉案專利與采用“多層存儲(chǔ)單元”(MLC)技術(shù)的閃存芯片的編程和讀取方法有關(guān)。MLC技術(shù)能降低閃存芯片制造成本,并提高存儲(chǔ)密度。 申訴材料指出,包括手機(jī)、攝像機(jī)、筆記本和
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