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ufs 4.0 閃存芯片 文章 最新資訊

三星閃存芯片項目選址西安 一期投資70億美元

  • 　　新華網(wǎng)西安3月22日電(記者陳鋼 姜辰蓉)記者22日從西安高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)獲悉，韓國三星電子公司當(dāng)日宣布，其擬在中國大陸建設(shè)的閃存芯片項目已經(jīng)選址西安市。 　　陜西省、西安市相關(guān)方面與三星電子公司22日在西安進(jìn)行的工作會談中，三星電子常務(wù)金秀峰表示，三星電子考慮在西安建設(shè)的存儲器研發(fā)和生產(chǎn)工廠，將采用世界最領(lǐng)先的技術(shù)，第一步投資70億美元，計劃2013年底投產(chǎn)。 　　西安是我國重要的新一代信息技術(shù)生產(chǎn)和研發(fā)基地，三星電子閃存芯片項目計劃在西安南郊的國家級西安高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)建設(shè)。 　　據(jù)介紹
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東芝聯(lián)手SanDisk開發(fā)全球最小128Gb閃存芯片

  • 　　東芝周四表示，該公司已經(jīng)與閃存技術(shù)開發(fā)商SanDisk共同研發(fā)出全球最小的128Gbit(16GB)NAND閃存芯片。 　　該閃存芯片采用19nm新工藝，大小為170平方毫米，比一枚普通硬幣還小。 　　該閃存芯片運(yùn)用3-bit-per-cell存儲技術(shù)。該存儲技術(shù)雖然比2-bits-per-cell存儲技術(shù)更為高效，但存在穩(wěn)定性不強(qiáng)的問題。這也意味著該閃存芯片將首先用于記憶棒和記憶卡。 　　據(jù)悉，作為蘋果等公司主要供應(yīng)商的東芝將于本月開始生產(chǎn)這種閃存芯片。 　　隨著芯片生產(chǎn)商爭相追逐更小的芯片
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三星在華建閃存芯片工廠計劃獲批 6個月內(nèi)動工

  • 　　三星電子公司(SamsungElectronicsCo)擬在中國大陸投資建閃存芯片廠的計劃已經(jīng)得到韓國知識經(jīng)濟(jì)部(MinistryofKnowledgeEconomy)的批準(zhǔn)，最快有望在未來六個月內(nèi)動工開建。在中國大陸建閃存芯片廠將加強(qiáng)三星公司在中國電子市場上的地位，預(yù)計未來幾年內(nèi)中國將超過美國成為全球最大的消費(fèi)電子市場。 　　閃存芯片是一種移動存儲產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于音樂播放器、智能手機(jī)和平板電腦中。三星公司計劃在中國生產(chǎn)的是NAND型閃存芯片，主要用于固態(tài)硬盤和大容量數(shù)碼存儲卡。韓國知識經(jīng)濟(jì)部在周三
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三星在華建閃存芯片工廠計劃獲批 6個月內(nèi)動工

  • 　　1月4日道瓊斯報道說，三星電子公司(Samsung Electronics Co)擬在中國大陸投資建閃存芯片廠的計劃已經(jīng)得到韓國知識經(jīng)濟(jì)部(Ministry of Knowledge Economy )的批準(zhǔn)，最快有望在未來六個月內(nèi)動工開建。在中國大陸建閃存芯片廠將加強(qiáng)三星公司在中國電子市場上的地位，預(yù)計未來幾年內(nèi)中國將超過美國成為全球最大的消費(fèi)電子市場。 　　閃存芯片是一種移動存儲產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于音樂播放器、智能手機(jī)和平板電腦中。三星公司計劃在中國生產(chǎn)的是NAND型閃存芯片，主要用于固態(tài)硬盤和大容
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三星計劃在中國設(shè)閃存芯片廠 或耗資40億美元

  • 　　三星電子今日宣稱，由于智能手機(jī)和平板電腦的熱銷將會繼續(xù)推動芯片行業(yè)的發(fā)展，該公司計劃在中國設(shè)立一家閃存芯片生產(chǎn)廠。韓國分析師估計，三星可能會投資40億美元左右來興建該廠。這個生產(chǎn)廠，如果獲得批準(zhǔn)，將是三星在國際上設(shè)立的第二個芯片生產(chǎn)廠，這也反映出中國市場已變得越來越重要了。作為全球頂級內(nèi)存芯片和平面顯示屏生產(chǎn)商，三星還計劃在中國設(shè)立一個平面顯示屏生產(chǎn)基地。 　　目前，三星在國際上設(shè)立的唯一一個芯片生產(chǎn)廠位于美國德克薩斯州奧斯丁市。 　　這個新的生產(chǎn)線“將使我們能夠滿足消費(fèi)者日益增長的需
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出貨不如預(yù)期 閃存芯片價格小幅下跌

  • 　　受到諸多全球總體經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇的不確定變數(shù)干擾，2011部份的NAND Flash終端應(yīng)用產(chǎn)品出貨量將不如預(yù)期，及3Q11受過剩庫存去化影響而使傳統(tǒng)備貨旺季效應(yīng)遞延等因素的綜合影響下，8月上旬NANDFlash芯片市場買氣依然疲弱，但某些系統(tǒng)客戶的OEM訂單需求相對于記憶卡及UFD通路市場需求仍相對地穩(wěn)定，因此，MLCNAND Flash芯片合約均價小跌約1-2%，而TLCNAND Flash芯片合約均價則下跌約4-7%。 　
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NANDFlash買賣雙方協(xié)商 閃存芯片合約價下跌達(dá)30%

  • 　　歷經(jīng)過去2個月的不斷地交涉協(xié)商后，7月底時多數(shù)的NANDFlash買賣雙方業(yè)者，終于就多數(shù)的NANDFlash芯片合約價格大致達(dá)成了共識。由于6月到7月期間正值記憶卡和UFD通路市場及系統(tǒng)產(chǎn)品OEM客戶的傳統(tǒng)淡季，再加上2Q季底效應(yīng)的影響，下游客戶多優(yōu)先忙于去化手頭的過剩庫存，故他們在此期間回補(bǔ)庫存的意愿也都不太高。
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東芝預(yù)計下半年閃存芯片需求將回彈

  • 　　東芝周二稱，今年第二季度中閃存芯片的需求量不及預(yù)期，主要由于平板電腦及其他消費(fèi)電子設(shè)備的銷售表現(xiàn)疲弱。 　　但東芝高管同時指出，在今年剩余時間里，圣誕節(jié)購物季節(jié)以前的閃存芯片需求都將表現(xiàn)強(qiáng)勁。 　　東芝內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)部門負(fù)責(zé)人Yasuo Naruke稱：“從客戶最近的表現(xiàn)來看，我們已經(jīng)看到更多的電子設(shè)備正處于困境中。我認(rèn)為，整體而言電子設(shè)備需求有所下降?！?/li>
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NAND閃存芯片價格創(chuàng)7個月來新高

  • 　　據(jù)國外媒體報道，據(jù)臺灣集邦科技 (dramexchange technology inc)周一發(fā)表的行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存芯片價格在4月份的上半個月創(chuàng)7個月的新高，反應(yīng)了在上個月日本發(fā)生嚴(yán)重的地震中斷了供應(yīng)鏈之后其它存儲芯片價格的情況。 　　
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日本地震未致芯片實(shí)質(zhì)性缺貨

  • 　　盡管日本地震暫未導(dǎo)致電子產(chǎn)品芯片市場的實(shí)質(zhì)性缺貨，但在電子芯片商家的哄炒下，芯片即將缺貨的心理恐慌已經(jīng)開始大面積蔓延。 　　《第一財經(jīng)日報》昨天在上海徐匯區(qū)百腦匯詢問多家檔口發(fā)現(xiàn)，目前4G手機(jī)內(nèi)存卡一般要價65元~75元，8G手機(jī)內(nèi)存卡要價100元~135元。絕大部分商家均表示，最近電子產(chǎn)品漲價都很厲害，每天漲幅都在5元~10元，而且未來幾天可能會繼續(xù)上漲?！?/li>
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iPad將推動今年NAND閃存出貨量增長近五倍

  • 　　據(jù)市場研究公司iSuppli星期五發(fā)表的研究報告稱，隨著消費(fèi)者越來越多地使用平板電腦，蘋果的iPad今年將推動NAND閃存芯片的應(yīng)用增長將近五倍。 　　iSuppli稱，用于制作移動設(shè)備中使用的固態(tài)硬盤的NAND閃存芯片今年的消費(fèi)量預(yù)計將達(dá)到23億GB，比2010年消費(fèi)的4768億GB增長382.4%。iSuppli預(yù)計到2014年，NAND閃存芯片的出貨量將達(dá)到123億GB。　
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3C大廠合力推動UFS實(shí)現(xiàn)NAND應(yīng)用接口標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一

  • 　　集邦科技旗下研究機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 指出，JEDEC Task group 中的一些主要成員如：三星 (Samsung)、諾基亞(Nokia)、美光(Micron)、高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)、晟碟(SanDisk)、德州儀器(TI)、意法半導(dǎo)體(ST)等國際大廠，近期正在積極推動新的 NAND Flash 應(yīng)用接口標(biāo)準(zhǔn) UFS (universal Flash storage)的規(guī)格制定事宜。 　
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夏普聯(lián)袂爾必達(dá)開發(fā)下一代ReRAM閃存芯片

  • 　　日經(jīng)新聞報道，夏普正與爾必達(dá)聯(lián)手開發(fā)下一代ReRAM可變電阻式閃存芯片，預(yù)計在2013年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 　　
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蘋果效應(yīng)不再 NAND閃存價格持續(xù)下滑

  • 　　臺灣媒體報道，來自存儲芯片制造商的消息稱，盡管蘋果的iPhone和iPad銷售火爆，但也難阻主流MLC NAND閃存芯片期貨價格在9月份上半月的下滑。 　　蘋果為其iPhone和iPad放出了大量閃存芯片訂單，但即便是這樣也很難推動NAND閃存價格的上漲，這倒是違背了此前出現(xiàn)的蘋果與NAND閃存之間的緊密聯(lián)系效應(yīng)。之前蘋果產(chǎn)品的熱銷往往會導(dǎo)致NAND閃存市場的供不應(yīng)求。 　　然而現(xiàn)實(shí)是，目前各個渠道的閃存芯片需求依舊微弱，學(xué)生返校季和即將到來的內(nèi)地十一黃金周也很難讓閃存價格反彈。 　　更有悲觀的
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英特爾美光公布存儲密度更高的新型閃存芯片

  • 　　英特爾和美光當(dāng)?shù)貢r間周二公布了存儲密度更高的NAND閃存芯片。新型芯片不僅能減少存儲芯片所占空間，還能增加消費(fèi)電子產(chǎn)品的存儲容量。 　　新NAND芯片每個存儲單元可以存儲3位信息，存儲容量高達(dá)64G位(相當(dāng)于8GB)。英特爾和美光稱這是它們迄今為止尺寸最小的NAND閃存芯片。 　　兩家公司稱，使用NAND閃存的數(shù)碼相機(jī)和便攜式媒體播放器等產(chǎn)品的尺寸越來越小。新型芯片還有助于降低制造成本。 　　兩家公司已經(jīng)向客戶發(fā)送樣品，預(yù)計將于今年底投入量產(chǎn)。新型NAND閃存芯片將采用 25納米工藝生產(chǎn)。與每單
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