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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ufs 4.0 閃存芯片

ufs 4.0 閃存芯片 文章 最新資訊

6.5EB的閃存芯片被污染，漲價已成為事實

  • 根西數(shù)和鎧俠的報告，這兩家工廠可能會造成多達16EB的閃存被浪費，影響到本季度閃存市場10%的份額。不光近期準備發(fā)布新品的蘋果公司收到了影響，原本芯片就很緊缺，加上現(xiàn)在又出現(xiàn)閃存污染的問題，對于那些依賴西部數(shù)據(jù)和鎧俠閃存的廠商來說，更是巨大的打擊，就包括了微軟、索尼、谷歌等知名廠商。加上相關(guān)事件引發(fā)市場恐慌，已有消息稱群聯(lián)第一時間調(diào)漲模組報價15%，其它廠商則暫停報價。然而在這方面，也并不全是壞消息，競爭對手三星、海力士和美光這幾個巨頭，會從此類事件受益。其中SK海力士和美光的股價，在盤后交易中應(yīng)聲上漲了
  • 關(guān)鍵字： 閃存芯片  西部數(shù)據(jù)  鎧俠  

2022年裝機要趁早：閃存芯片即將迎來漲價

  • 日前鎧俠及西數(shù)位于日本的NAND閃存工廠爆發(fā)污染事故，導(dǎo)致6.5EB容量的閃存芯片受到影響，這一黑天鵝事件給全球閃存行業(yè)帶來了不確定性，原本價格還在下滑，但是最新預(yù)測稱Q2季度閃存價格將會轉(zhuǎn)向上漲5-10%。來自集邦科技的分析認為，原本NAND閃存全年都有微幅的供過于求壓力，今年上半年價格都有下滑壓力，但是現(xiàn)在的情況變了，1月份三星位于西安的工廠受到疫情影響，2月份這又曝出鎧俠、西數(shù)閃存芯片受污染的事故。集邦科技認為在當前的情況下，Q1季度閃存芯片價格跌幅會收窄到5-10%，而Q2季度價格則會反轉(zhuǎn)，變成漲
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西部數(shù)據(jù)為5G時代的移動應(yīng)用強勢賦能

  • 西部數(shù)據(jù)近日新推出了一款嵌入式通用閃存存儲（UFS, Universal Flash Storage）設(shè)備——西部數(shù)據(jù) iNAND MC EU521，借此可以大大提升5G智能手機的用戶體驗。作為最早支持實現(xiàn)UFS3.1 規(guī)范中Write Booster特性的供應(yīng)商，西部數(shù)據(jù)在業(yè)界第一批提供了針對5G應(yīng)用優(yōu)化的UFS3.1閃存方案。 <西部數(shù)據(jù) iNAND MC EU521嵌入式閃存設(shè)備>西部數(shù)據(jù) iNAND MC EU521嵌入式閃存設(shè)備幫助移動開發(fā)人員充分利用UFS 3.
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三星UFS存儲卡現(xiàn)身IFA：順速讀取速度達510.82MB/s

  • 9月10日消息，據(jù)WinFuture報道，三星UFS存儲卡現(xiàn)身IFA2019展會，它被裝在了海信T91手機上。
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集邦咨詢：受惠需求回溫及產(chǎn)能調(diào)節(jié)，第二季NAND Flash合約價跌幅略有收斂

  • 　　Mar. 20, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查指出，受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機換機周期延長、蘋果新機銷售不如預(yù)期等終端需求不佳沖擊，2019年第一季各類NAND Flash產(chǎn)品合約價綜合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash轉(zhuǎn)為供過于求以來跌幅最劇的一季?！　≌雇诙荆珼RAMeXchange分析師葉茂盛表示，歷經(jīng)第一季的需求低谷之后，智能手機、筆記本電腦及服務(wù)器等主要需求較第一季有所改善。另一方面，NAND Flash供應(yīng)商
  • 關(guān)鍵字： NAND  UFS  SSD  

關(guān)于NAND閃存大科普

  • 　　在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計的真實可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念?！　≡谑褂闷诘男阅芎愣?。　　固態(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內(nèi)部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現(xiàn)差勁，不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降。　　隨著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
  • 關(guān)鍵字： NAND  eMMC  UFS  

NAND閃存大科普

  • 　　在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計的真實可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念。　　在使用期的性能恒定。　　固態(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內(nèi)部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現(xiàn)差勁，不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！　‰S著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
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如何快速從eMMC轉(zhuǎn)移到UFS？

  • 在高速數(shù)字接口中，并行總線越來越少。原因很簡單，隨著系統(tǒng)頻率的提升，并行總線在板級建置時已經(jīng)遭遇到實體瓶頸，抖動、串擾、信號偏移、傳輸路徑不
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LPDDR5、UFS 3.0存儲介紹：我們何時能用上？

  • 　　相較于處理器芯片，存儲性能這些年在智能手機上的重要性也開始逐漸凸顯。據(jù)Android Authority總結(jié)，LPDDR5 RAM、UFS 3.0 ROM和SD Express存儲卡將會成為新一輪旗艦智能機將要占領(lǐng)的技術(shù)之制高點。　　具體來說，LPDDR5的速度將達到6400Mbps，比LPDDR4翻番，比LPDDR4X(4266Mbps)提升50%。按照IC廠商Synopsys透露的，LPDDR5將引入WCK差分時鐘，類似于GDDR5，從而在不增加引腳的情況下提升頻率?！　〈送猓琇PDDR5還將引入
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三星不再霸權(quán)！美光強勢殺入UFS 2.1手機閃存

  • 　　2月26日，美光發(fā)布了專為安卓旗艦機打造的UFS 2.1標準閃存，容量設(shè)計為64GB、128GB和256GB。 　　顆粒選用TLC，3D 64層堆疊，美光強調(diào)基于人工智能技術(shù)進行了APP打開、運行有關(guān)的性能優(yōu)化。 　　由于是第二代3D閃存，美光稱性能提升了50%。 　　單Die面積59.341mm2，32GB，號稱業(yè)內(nèi)最小。因此，在同樣芯片面積下的總?cè)萘糠? 　　新閃存將于今春發(fā)貨，2018年下半年開始出現(xiàn)在智能機中。 　　由于此前，UFS2.1能穩(wěn)定供貨的只有三星和東芝，導(dǎo)致價格較高，美
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UFS 3.0進軍車用儲存 三星256GB Flash量產(chǎn)

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)于2018年2月宣布最新256GB嵌入式通用快閃儲存(embedded Universal Flash Storage, eUFS) 2.1解決方案已開始量產(chǎn)， 是業(yè)界首款將固態(tài)技術(shù)協(xié)會(JEDEC)的UFS 3.0標準導(dǎo)入汽車應(yīng)用的儲存設(shè)備。 　　三星電子在2017年9月宣布首款128GB eUFS技術(shù)有所突破之后，于近日發(fā)布量產(chǎn)256GB eUFS 2.1車用內(nèi)存。 該儲存設(shè)備將為下一代駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、車用娛樂系統(tǒng)與儀表板應(yīng)用帶來更好的
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TrendForce：2018年NAND Flash價格有望縮減10%-20%

  • 　　TrendForce研究指出，明年上半年步入淡季，NANDFlash價格有機會走跌，下半年需求回升，可能再次供不應(yīng)求，預(yù)估2018年NANDFlashASP(平均銷售單價)將較2017年縮減10%-20%。 　　相對而言，TrendForce預(yù)計，2018年DRAM產(chǎn)能擴增效益有限，價格趨勢與供給狀況持續(xù)看漲、看緊。 　　TrendForce表示，就移動存儲來看，智能手機應(yīng)用的存儲零組件價格從2016年第三季開始不斷攀升，以主流規(guī)格而言，到今年第四季價格平均上升40%，不僅影響各大品牌在智能手機的
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群聯(lián)UFS新芯片獲高通和海思認證

  • 　　NAND Flash解決方案供應(yīng)商群聯(lián)9、10月連續(xù)兩月份的固態(tài)硬盤(SSD)出貨量都破歷史新高，上月更達到100萬組的水準，另一個好消息是，群聯(lián)在下一代的嵌入式快閃存儲器新款的UFS芯片PS8313上，已經(jīng)通過手機芯片大廠高通(Qualcomm)和海思等智能手機芯片平臺的測試，新產(chǎn)品布局有成。 　　群聯(lián)今年全力沖刺SSD和嵌入式存儲器解決方案eMMC產(chǎn)品線，繼9月SSD出貨量突破90萬片后，10月再創(chuàng)新高達100萬片水準。 　　以第3季表現(xiàn)來看，群聯(lián)第3季獲利創(chuàng)下單季歷史新高，主要是受惠多項主流
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eMMC使命完成，UFS時代來臨，如何快速從eMMC轉(zhuǎn)移到UFS

  • eMMC使命完成，UFS時代來臨，如何快速從eMMC轉(zhuǎn)移到UFS-在高速數(shù)字接口中，并行總線越來越少。原因很簡單，隨著系統(tǒng)頻率的提升，并行總線在板級建置時已經(jīng)遭遇到實體瓶頸，抖動、串擾、信號偏移、傳輸路徑不完美等因素，都將大幅降低并行總線持續(xù)建立時間窗口，從而限制系統(tǒng)帶寬的進一步提升。
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UFS 3.0曝光：2666MB/s速度 快到飛起

  • 　　智能手機體驗優(yōu)秀與否，除了處理器芯片，閃存芯片也是一大影響因素，目前手機上常搭載的閃存有UFS 2.1、UFS 2.0及eMMC 5.1等標準。其中UFS標準于2011年誕生，升級到2.0版本是在2013年，2.1版本則是在2016年發(fā)布的，而近日據(jù)網(wǎng)友爆料其下一代標準3.0也已經(jīng)在研發(fā)了。 　　   　　根據(jù)網(wǎng)友爆料使用的圖片顯示，UFS 3.0的速度最高達2666MB/s，較UFS 2.1最高1333MB/s的速度整整快了一倍。 　　除了快到飛起的速度外，USF 3.0占據(jù)的
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