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sic fet 文章 最新資訊

美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應用的創(chuàng)新SiC MOSFET系列 繼續(xù)保持在碳化硅解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導地位

  • 　　致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產(chǎn)品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創(chuàng)新SiC MOSFET器件設(shè)計用于效率至關(guān)重要的大功率工業(yè)應用，包括用于太陽能逆變器、電動汽車、焊接和醫(yī)療設(shè)備的解決方案。　　美高森美擁有利用SiC半導體市場增長的良好條件，據(jù)市場研究機構(gòu)Yole Développement預計，從201
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耐高溫半導體解決方案日益受到市場歡迎

  • 　　日前，CISSOID 公司與上海諾衛(wèi)卡電子科技有限公司簽訂在華銷售 CISSOID 產(chǎn)品的經(jīng)銷協(xié)議，后者將會幫助CISSOID公司的高溫半導體產(chǎn)品在中國市場大范圍推廣。　　諾衛(wèi)卡公司將其在碳化硅方面的專業(yè)技術(shù)與 CISSOID 的技術(shù)及其產(chǎn)品組合完美結(jié)合在一起，形成獨一無二的競爭力。例如：SiC 電源開關(guān)專用的隔離式柵極驅(qū)動器HADES 技術(shù);高溫 SiC MOSFET;及 SiC 傳感元件的高溫信號調(diào)節(jié)器?！　ISSOID公司營銷拓展副總裁Jean-Christophe Doucet先生表示，為保
  • 關(guān)鍵字： CISSOID  諾衛(wèi)卡  SiC  

基于場效應管的功率放大器設(shè)計

  • 摘要：用場效應晶體管設(shè)計出有膽味的音頻功率放大器。前級采用單管、甲類，后級采用甲乙類推挽放大技術(shù)。實驗證明差分放大器使用的對管的一致性與整機的失真程度密切相關(guān)。從聽音效果來看，末級電流200mA是理想值。 前后級間耦合電容對聽音影響較大，要求質(zhì)量高些。 對于音頻功率放大器而言，最好聽的莫過于甲類放大器。根據(jù)頻率分析的結(jié)果，由集成運算放大器構(gòu)成的前級聲音單薄、缺乏活力。所以，可不可以前級采用單管甲類放大器，后級采用甲乙類功率放大器?這樣既兼顧聽音需要，又兼顧效率的需要。目前，電子管音頻功率放大器仍然占據(jù)
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用于汽車啟停的低耗能電源設(shè)計的幾種方法

  • 隨著城市快節(jié)奏的發(fā)展，大多數(shù)人擁有自己的車，這也使得交通變得擁堵，而汽車在高峰期的走走停停會耗掉很多的能源，不僅浪費還污染環(huán)境。故而引進了汽車系統(tǒng)中的“啟停”功能，但是這種系統(tǒng)也給汽車電子帶來了一些獨特的工程技術(shù)挑戰(zhàn)，汽車啟停系統(tǒng)中電源設(shè)計是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車啟停的低耗能電源設(shè)計。 為了控制燃油消耗，許多汽車制造商在下一代汽車中實現(xiàn)了“啟停”功能，而且為數(shù)眾多的這種汽車已經(jīng)開始上路。這些系統(tǒng)會在汽車停下來時關(guān)閉發(fā)動機，當腳從剎車踏板移動
  • 關(guān)鍵字： P-FET  MOSFET  

電容器

  • 　　2014年慕尼黑上海電子展產(chǎn)品亮點　　TDK公司為變頻器提供一款采用了愛普科斯(EPCOS)?CeraLink?技術(shù)的全新直流鏈路電容器。CeraLink?技術(shù)是以PLZT陶瓷材料為基礎(chǔ)(鉛鑭鋯鈦酸)，使用的容值范圍為1?微法?至100?微法，額定直流電壓為400?伏。另一款電容器的額定直流電壓為800伏，容值為5?微法。　　CeraLink?新技術(shù)在功率變換器的直流鏈路的穩(wěn)定性和濾波方面具有很多優(yōu)勢-特別與傳統(tǒng)電容器技術(shù)相比：由于該款新電容
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新電源模塊如何解決關(guān)鍵設(shè)計問題

  • 新型靈活應用的高密度電源模塊現(xiàn)在能夠以易于使用的集成封裝提供先進的電熱性能。系統(tǒng)性能的提升促進了對更高功率電源的要求，以及由于需要快速實現(xiàn)收入的壓力迫使設(shè)計人員縮短開發(fā)周期，從而對全功能、快速實現(xiàn)電源解決方案的需要呈激增之勢。電源模塊可以解決這些問題，并提供系統(tǒng)設(shè)計人員所需的靈活性和性能，幫助他們從最小的空間獲得最大的功率
  • 關(guān)鍵字： 新電源  FET  ISL8225  

Silego公司推出體積小一倍電流為4.5A的雙通道全功能負載開關(guān)

  • 　　2014年3月17日Silego于美國加州圣克拉拉推出一款基于Silego亞微米銅制程電源FET技術(shù)的16?mΩ雙通道GreenFET3?負載開關(guān)產(chǎn)品即SLG59M1527V。該款負載開關(guān)每條通道最高電流可達到?4.5A?、總電流高達9.0A。并且引用Silego?CuFETTM?技術(shù)來實現(xiàn)低導通電阻、外形尺寸最小同時可靠性提高。　　SLG59M1527V是一款以14?pin腳、尺寸為1.0?x?3.0?
  • 關(guān)鍵字： Silego  FET  SLG59M1527V  

新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈

  • 　　與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。 　　SiC功率半導體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
  • 關(guān)鍵字： SiC  GaN  

研究人員以硼/氮共摻雜實現(xiàn)石墨烯能隙

  • 　　韓國蔚山科技大學(UNIST)的研究人員們宣稱開發(fā)出一種可大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米微板的方法，從而可實現(xiàn)基于石墨烯的場效電晶體(FET)制造與設(shè)計。 　　由Jong-BeomBaek主導的研究團隊們采用一種BBr3/CCl4/N2的簡單溶劑熱反應，大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米管，即「硼-碳-氮-石墨烯」(BCN-石墨烯)。 　　石墨烯自2004年經(jīng)由實驗發(fā)現(xiàn)后，已經(jīng)開發(fā)出各種方法來制造基于石墨烯的FET，包括摻雜石墨烯打造成石墨烯狀的奈米帶，以及利用氮化硼作為支柱。在各種控制石墨烯
  • 關(guān)鍵字： 石墨烯  FET  

汽車啟動/停止系統(tǒng)電源方案

  • 為了限制油耗，一些汽車制造商在其新一代車型中應用了“啟動/停止”(Start/Stop)功能。當汽車停下來時，這些創(chuàng)新的新系統(tǒng)關(guān)閉發(fā)動機;而當駕駛?cè)说哪_從剎車踏板移向油門踏板時，就自動重新啟動發(fā)動機。這就幫助降低市區(qū)駕車及停停走走式的交通繁忙期時的油耗。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  二極管  PCB  穩(wěn)壓器  P-FET  

如何針對反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓而進行緩沖

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 反向轉(zhuǎn)換器  FET  關(guān)斷電壓  緩沖  漏極電感  

在光伏逆變器中運用SiC BJT實現(xiàn)更低的系統(tǒng)成本

  • 最近，碳化硅(SiC)的使用為BJT賦予了新的生命，生產(chǎn)出一款可實現(xiàn)更高功率密度、更低系統(tǒng)成本且設(shè)計更簡易的...
  • 關(guān)鍵字： 光伏逆變器  SiC  BJT  

通過基片薄型化降低導通電阻漸成趨勢

  • 　　通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。 　　目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達到230μm左右。為了進一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。 　　比如，羅姆通過研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
  • 關(guān)鍵字： 三菱電機  SiC  

SiC二極管 通過基片薄型化降低導通電阻

  • 　　通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。 　　目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達到230μm左右。為了進一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。 　　比如，羅姆通過研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
  • 關(guān)鍵字： SiC  二極管  

新日本無線新推出粗銅線絲焊類型的音頻SiC-SBD

  • 新日本無線的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode)，粗銅線有利于降低損耗提高效率，SiC-SBD專長于高速開關(guān)動作，再加上注重最佳音質(zhì)的制造工藝技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)高音質(zhì)音響效果。
  • 關(guān)鍵字： 新日本無線  SiC-SBD  MUSES  
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